CTIMES - Vishay

Vishay推出新系列螺釘安裝式高電壓圓盤電容器 (2009.02.16)
Vishay宣佈推出新系列螺釘安裝式高電壓圓盤電容器，這些器件為設計人員提供了多種直徑和電容值選擇，其額定電壓為10kVDC～40kVDC。憑藉低交流與直流係數，以及可忽略的壓電/電致伸縮效應，Vishay Cera-Mite 715CxxKT系列可專用於具有高峰值電流及高重複率的電路

Vishay推出新款光電二極體環境光感測器 (2009.02.13)
Vishay推出採用0805尺寸小型表面貼裝封裝、厚度為0.85 mm及簡單兩引腳連接的光電二極體環境光感測器，從而擴展了其光電產品系列。新型TEMD6200FX01以類似人眼的方式回應燈光，從而可自動控制LCD亮度和按鍵區的背光，並可實現諸多高級汽車駕駛方面舒適及安全的功能

Vishay推出新型Bulk Metal Z箔電阻 (2009.02.05)
Vishay日前推出新型超高精度Bulk Metal Z箔電阻E102Z。該款電阻可在-55°C到+125°C的溫度範圍內提供達軍品級標準的絕對TCR值（±0.2 ppm/°C），容差為±0.005%（50 ppm），在+70ºC下工作2000小時的負載壽命穩定性達到±0.005%（50 ppm）

Vishay宣佈推出首款帶翼式超薄、大電流電感器 (2009.02.05)
Vishay宣佈推出首款帶翼式超薄、大電流電感器。IHLW-5050CE-01旨在用於保險（cut-out）PCB 上，通過使用較大部件可為設計人員提供大電流解決方案，而在電路兩板側的厚度不超過1.2 mm

Vishay推出採用MICRO FOOT晶片級封裝MOSFET (2009.02.02)
Vishay宣佈推出首款採用MICRO FOOT晶片級封裝的TrenchFET功率MOSFET，該器件具有背面絕緣的特點。 Si8422DB針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智慧型電話等便攜設備中的功率放大器、電池和負載切換進行了優化

Vishay推出新系列低抗阻鋁電容器 (2009.02.02)
Vishay宣佈推出新系列徑向鋁電容器，此系列元件具有極低的抗阻值、高電容及高紋波電流，並可運作於高達+125℃的高溫。146 RTI元件可採用13種封裝尺寸，以10㎜×12㎜至較大的18㎜×35㎜

vishay推出超小型表面貼裝紅外接收器系列 (2009.01.23)
Vishay推出用於遙控系統的新型超小型表面貼裝(SMD)紅外接收器系列，從而拓寬了其光電子產品系列。TSOP75xxx系列器件具有0.15 mW/sqm的典型輻照度、在3.3 V時0.35 mA的超低電流、側視型的厚度僅為3.0 mm及極佳敏感度/尺寸比

Vishay推出感應器等應用小型SMD紅外接收器 (2009.01.23)
Vishay推出為感應器和光系統應用的小型SMD接收器，其快速反應時間、不易受電壓波動與EMI噪音影響，以及在5V時具有0.85mA典型低電流等特點，此元件可在所有光環境中提供穩定性能

Vishay推出的新型Sfernice面板電位計 (2009.01.20)
Vishay推出兩款微型面板電位計，這兩款產品具有5,000 VRMS的高抗電強度，採用金屬陶瓷和導電塑膠材料，可提供多種模組和接線端類型。新的P11P和P11D尺寸僅為 12.5-mm，可為設計者提供針對其他低成本面板電位計的替代選擇

Vishay推出新型表面貼裝Power Metal Strip電阻 (2009.01.19)
Vishay日前推出新型高溫1-W表面貼裝Power Metal Strip電阻，該產品是首款可在–65°C到+275°C溫度範圍內工作的2010封裝尺寸電流感測電阻。WSLT2010-18電阻具有極低的電阻值範圍（10-m Ω到500-mΩ）、較低的誤差（低至±0.5%）和低TCR值（低至±75 ppm/°C）

Vishay新推出超薄型大電流電感器 (2008.12.26)
Vishay宣布推出採用2020封裝尺寸的新型IHLP超薄型大電流電感器。此款小型元件IHLP-2020BZ-11具有2.0mm超薄度以及更廣泛的電感範圍和較低的DCR。憑藉高達1MHz的頻率範圍，新型IHLP電感器成為終端產品中穩壓器模組（VRM）和直流到轉換器應用的小型高性能低功耗解決方案

Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET (2008.12.24)
Vishay宣佈推出新型20-V和30-V p-通道TrenchFET功率MOSFET。該器件採用SO-8封裝，具有±20-V柵源極電壓以及業內最低的導通電阻。現有的同類SO-8封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至24 mΩ，而Si7633DP具有3.3 mΩ（在10 V時）及 5.5 mΩ（在4.5 V時）的超低導通電阻

Vishay宣佈推出採用2020封裝尺寸電感器 (2008.12.22)
Vishay宣佈推出採用2020封裝的新型IHLP薄型，高電流電感器。此款小尺寸IHLP-2020CZ-11元件僅有3.0mm厚度，寬泛的電感範圍與低DCR。該新型IHLP電感器成為終端產品穩壓器模組和直流到直流轉換器應用的小型高性能低功耗解決方案，適用於筆電，個人多媒體設備等行動終端產品

Vishay結合20V n通道功率MOSFET及肖特基二極體 (2008.12.17)
Vishay宣佈推出超小的20V n通道功率MOSFET＋肖特基二極體。SiB800EDK採用1.6mm×1.6mm的熱增強型 PowerPAK SC-75封裝，其將在100 mA時具有0.32V低正向電壓的肖特基二極體與具有在低至 1.5V柵極驅動時規定的額定導通電阻的MOSFET進行了完美結合

Vishay提供IHLP電感開關損失線上免費計算工具 (2008.12.17)
Vishay目前在其網站上提供了計算IHLP電感器開關損失的免費工具。這種易於使用的開關損失計算器可針對各個單獨應用進行定制，從而使設計人員能夠選擇正確的部件以最佳化板設計，同時加速產品上市時間

Vishay新增兩款第三代功率MOSFET產品 (2008.12.04)
Vishay推出兩款20V和30V n通道元件，擴展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。這些元件採用TurboFET技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達45%，大幅降低切換損耗及提高切換速度

Vishay MicroTan晶片式鉭電容器獲EDN創新獎 (2008.12.04)
Vishay宣佈其TR8模塑MicroTan晶片式鉭電容器榮獲EDN China無源元件、連接器及感測器類別的創新獎。 EDN China雜誌的年度創新獎創立於2005年，該獎項旨在獎勵在過去一年中塑造了半導體行業的人員、產品及技術

Vishay新推採用SMD PLCC2封裝紅外線發射器 (2008.11.25)
Vishay推出採用PLLCC2封裝的新型870nm SMD紅外發射器，此發射器具低正向電壓及高輻射強度。新型VSMF4720具有±60º寬視角及16Mw/sr的高輻射強度（在100Ma時），其強度比其他採用PLCC2封裝的發射器大150%

Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.11.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n通道器件，擴展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。該器件採用PowerPAK SO-8封裝，在20V額定電壓時具有業界最低導通電阻及導通電阻與閘極極電荷乘積

Vishay推出新型USB-OTG匯流排端口保護陣列 (2008.11.17)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出新型超薄ESD保護陣列，該器件具有低電容和漏電流，可保護USB-OTG端口免受瞬態電壓信號損壞。新器件在工作電壓為5.5V時提供三線USB ESD保護，在工作電壓為12V時提供單線VBUS保護