 |
AI推升全球半導體製造業Q3罕見成長 動能可望延續至年底 (2024.11.27)
基於現今全球半導體製造業成長動能強勁，根據SEMI國際半導體產業協會與TechInsights最新發表2024年Q3半導體製造監測報告（SSM）指出，受惠於季節性因素和投資AI資料中心等強力需求所帶動，所有關鍵產業指標均呈現季度環比增長，為兩年來首見；唯有消費、汽車和工業等部門復甦速度較為遲緩，估計此成長趨勢可望延續至Q4 |
|
ASML：高階邏輯和記憶體EUV微影技術的支出可達兩位數成長 (2024.11.14)
艾司摩爾（ASML）預估該公司 2030 年年營收約為 440 億至 600 億歐元之間，毛利率約為 56% 至 60%。除了幾個重要終端市場的成長潛力之外，ASML 認為 AI 帶來的發展可望成為驅動整體社會生產力與創新的主要動力，並為半導體產業創造顯著商機 |
|
ASML助晶圓代工簡化工序 2025年每晶圓用電降30~35% (2024.09.06)
因AI人工智慧驅動半導體需求，全球晶片微影技術領導廠商艾司摩爾（ASML）今（6）日於SEMICON Taiwan 分享新一代高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術，並表示將協助晶片製造商簡化製造工序、提高產能，並降低每片晶圓生產的能耗 |
 |
揮別製程物理極限 半導體異質整合的創新與機遇 (2024.08.21)
半導體異質整合是將不同製程的晶片整合，以提升系統性能和功能。
在異質整合系統中，訊號完整性和功率完整性是兩個重要的指標。
因此必須確保系統能夠穩定地傳輸訊號，和提供足夠的功率 |
|
AI運算方興未艾 3D DRAM技術成性能瓶頸 (2024.08.21)
HBM非常有未來發展性，特別是在人工智慧和高效能運算領域。隨著生成式AI和大語言模型的快速發展，對HBM的需求也在增加。主要的記憶體製造商正在積極擴展採用3D DRAM堆疊技術的HBM產能，以滿足市場需求 |
|
ASML：第二季營收主要來自浸潤式DUV系統銷售動能 (2024.07.17)
艾司摩爾 (ASML) 發佈 2024 年第二季財報，銷售淨額 (net sales)為 62 億歐元，淨收入為 (net income) 16 億歐元，毛利率 (gross margin) 為 51.5%，第二季度訂單金額為 56 億歐元，其中 25 億歐元為 EUV 訂單 |
|
成大﹑日本東工大及國研院攜手合作 培育半導體異質整合科技人才 (2024.07.11)
現今的晶片縮小技術已近乎物理極限，先進封裝的異質整合成為半導體科技持續發展的重要關鍵。國立成功大學、日本東京工業大學與國研院台灣半導體研究中心攜手，要在既有的合作基礎加以強化學術量能與產業鏈結，強化半導體產業競爭力與培育高階人才，因應 AI 世代科技發展的需求 |
|
應材發表新晶片佈線技術 實現更節能AI運算 (2024.07.09)
基於現今人工智慧（AI）時代需要更節能的運算，尤其是在晶片佈線和堆疊方式對於效能和能耗至關重要。應用材料公司今（9）日於美國SEMICON WEST 2024展會，發表兩項新材料工程創新技術，旨在將銅互聯電網佈線微縮到2奈米及以下的邏輯節點，以協助晶片製造商擴展到埃米時代，來提高電腦系統的每瓦效能 |
|
鎧俠推出全新第八代 BiCS FLASH技術的2Tb QLC樣品 (2024.07.03)
鎧俠公司（Kioxia）宣布第八代2Tb四層單元（Quad-Level-Cell；QLC）樣品開始供貨BiCS FLASH 3D快閃記憶體技術。這款2Tb QLC設備將儲存設備提升到高容量，將推動包括AI在內的多個應用領域成長 |
|
記憶體應用發展的關鍵指標 (2024.07.01)
記憶體發展軌跡是隨著越來越龐大的運算與感測功能而亦步亦趨，其應用發展的關鍵指標就會以容量、速度為重點來觀察。當容量與速度越來越大、越來越快，可靠度也是未來發展的關鍵指標 |
|
Diodes新款高額定電流負載開關為數位 IC智慧供電 (2024.06.06)
Diodes 公司擴展DML30xx 智慧負載開關系列推出四款新產品：DML3008LFDS、DML3010ALFDS、DML3011ALFDS 與 DML3012LDC，可針對 0.5V 至 20V 的電源軌達成高電流 (10.5A 至 15A)電源域開關控制。透過這些元件的嵌入式功能，可以高效處理有關微控制器、顯示卡、ASIC、FPGA 與記憶體晶片供電的多樣需求 |
|
ASML與imec成立High-NA EUV微影實驗室 (2024.06.05)
比利時微電子研究中心（imec）與艾司摩爾（ASML）共同宣布，雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室正式啟用，為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）曝光機原型TWINSCAN EXE:5000以及相關的製程和量測工具 |
|
AI世代的記憶體 (2024.05.28)
AI運算是專門處理AI應用的一個運算技術，是有很具體要解決的一個目標，而其對象就是要處理深度學習這個演算法，而深度學習跟神經網路有密切的連結，因為它要做的事情，就是資料的辨識 |
|
國研院攜手台積電 成功開發磁性記憶體技術 (2024.02.20)
國研院半導體中心今（20）日也宣佈與台積電合作開發的「選擇器元件與自旋轉移力矩式磁性記憶體整合」（Selector and STT-MRAM Integration），於2023年12月電子元件會議IEDM（International Electron Devices Meeting）中發表，並獲選為Highlight Paper，成為全世界極少數成功開發出高密度、高容量的獨立式STT-MRAM製作技術團隊 |
|
堆疊層數再升級 儲存容量免焦慮 (2023.08.28)
本次要介紹的產品，是來自SK海力士（SK Hynix）最新的一項記憶體產品，它就是目前全球最高層樹的「321層NAND快閃記憶體」。 |
|
電動車可靠性不妥協 半導體元件商機倍增 (2023.06.29)
全球綠能交通正朝著可持續發展的方向邁進。各國政府和機構採取措施推動電動車的發展，同時也鼓勵人們使用低碳交通方式。臺灣也制定了發展目標和補助政策，以促進電動車的普及，並為能源轉型做出貢獻 |
|
imec最新成果：合金薄膜電阻首度超越銅和釕 (2023.05.23)
於本周舉行的2023年IEEE國際內連技術會議（IITC）上，比利時微電子研究中心（imec）展示其實驗成果，首次證實導體薄膜的電阻在12吋矽晶圓上可超越目前業界使用的金屬導線材料銅（Cu）和釕（Ru） |
|
台灣人工智慧晶片聯盟3年有成 發表六項世界級關鍵技術 (2023.03.29)
經濟部今日舉辦「AI on Chip科專成果發表記者會暨AITA會員交流會」，會中展示多項AI人工智慧晶片關鍵技術，包含新思科技的先進製程與AI晶片EDA軟體開發平台、創鑫智慧（NEUCHIPS）7奈米AI推論加速晶片、神盾指紋辨識類比AI晶片、力積電邏輯與記憶體異質整合製程服務、凌陽跨製程小晶片技術、以及工研院超高速嵌入式記憶體關鍵IP技術 |
|
KLA推出X射線量測系統 解決記憶體晶片製造量測挑戰 (2022.12.07)
KLA 公司宣佈推出 Axion T2000 X射線量測系統，供先進的記憶體晶片製造商使用。3D NAND 及 DRAM 晶片的製造包含極高結構之精密構造，具有深層、狹窄的孔洞和間隙，以及其它複雜精細的建構形狀：這些都需要控制在奈米尺度的等級 |
|
科賦發表全新三款 M.2 NVMe 固態硬碟 (2022.11.23)
為因應多樣化的消費者族群需求，艾思科（Essencore）旗下新興記憶體品牌科賦（KLEVV）正式發表 CRAS C930、C910 和 C730 三款M.2 NVMe 固態硬碟。 新一代 CRAS系列 M.2 NVMe 固態硬碟陣容，以先進的儲存技術滿足從入門消費者至專業玩家的使用需求 |
