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ROHM新款SiC蕭特基二極體支援xEV系統高電壓需求 (2024.11.14)
半導體製造商ROHM開發出引腳間沿面距離更長、絕緣電阻更高的表面安裝型SiC蕭特基二極體（SBD）。目前產品陣容中已經有適用於車載充電器（OBC）等車載應用的「SCS2xxxNHR」8款機型 |
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ROHM第4代1200V IGBT實現頂級低損耗和高短路耐受能力 (2024.11.12)
近年來，汽車和工業設備朝高電壓化方向發展，市場開始要求安裝在車載電動壓縮機、HV加熱器和工業設備逆變器等應用中的功率元件支援高電壓。半導體製造商ROHM針對車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等，開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101、1200V耐壓、實現業界頂級低損耗和高短路耐受能力的第4代IGBT |
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數位電源驅動雙軸轉型 綠色革命蓄勢待發 (2024.10.01)
CTIMES日前舉辦了「數位電源驅動雙軸轉型：電子系統開發的綠色革命」為主題的東西講座研討會，此次會議深入探討了數位電源技術在推動電子系統開發的雙軸轉型中的關鍵作用，即實現更高的能源效率和更快的產品創新 |
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ROHM推出車電Nch MOSFET 適用於車門座椅等多種馬達及LED頭燈應用 (2024.08.28)
在汽車領域，隨著安全性和便利性的提高，電子產品逐漸增加，電子元件數量也與日俱增，而為了提高燃油效率和降低電耗，更是要求需降低上述產品的功耗。其中針對車電開關應用不可或缺的MOSFET市場，對導通電阻低、損耗低且發熱量低的產品需求逐漸高漲 |
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ROHM高可靠性車載Nch MOSFET適用於多種馬達及LED頭燈應用 (2024.08.22)
隨著車用電子元件提高安全性和便利性的需求，為了提高燃油效率和降低電耗，更是要求需降低車用產品的功耗。其中針對車電開關應用不可或缺的MOSFET市場，對導通電阻低、損耗低且發熱量低的產品需求逐漸高漲 |
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意法半導體36V工業和汽車運算放大器 兼具高性能、高效能與省空間特性 (2024.07.22)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出TSB952雙運算放大器。新產品具有52MHz增益頻寬，在36V電壓時，電流每通道僅3.3mA，為注重功耗的設計提供高性能。
TSB952的電源電壓範圍4.5V-36V，具備很高的設計彈性，可使用包括產業標準電壓軌在內的多種電源 |
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Microchip全新車載充電器解決方案 支援車輛關鍵應用 (2024.06.11)
因應節能減碳排放的迫切需求，電池電動汽車（BEV）和插電式混合動力電動汽車（PHEV）市場持續增長。車載充電器是電動汽車的關鍵應用之一，將交流電轉換為直流電，為汽車高壓電池充電 |
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英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飛凌科技（Infineon）推出最新先進功率 MOSFET 技術— OptiMOS 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高，和採用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2SMD封裝 |
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提升汽車安全功能 掌握ESD實現無干擾的資料傳輸 (2024.02.01)
在現階段，電子元件大約占據一輛汽車總價值的三分之一，而且此比例持續上升。汽車中17%的半導體故障是由靜電放電（ESD）造成的，因而必需採取適當的ESD保護措施。 |
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通過車用被動元件AEC-Q200規範的測試要點 (2023.12.25)
想知道最新AEC-Q200改版，到底改了什麼嗎? 又該如何測試才能通過AEC-Q200驗證，打入大廠車用供應鏈呢？ |
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Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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「科技始之於你」首屆ST Taiwan Tech Day聚焦四大趨勢 展示創新成果 (2023.10.31)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）將於11月2日在台北文創舉辦首屆ST Taiwan Tech Day。該活動旨在為客戶和合作夥伴提供創新和成功所需之產品和解決方案的相關資訊。
本次活動以「科技始之於你」為主題，針對四大趨勢：智慧出行、電源與能源、物聯網與連接，以及感知世界等方向規劃多場演講，同步展示多達40個精心策劃的解決方案 |
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Transphorm：normally-off d-mode氮化鎵性能更高、高功率應用更容易 (2023.10.19)
氮化鎵功率半導體產品的先鋒企業Transphorm今（19）日發佈《Normally-off D-Mode 氮化鎵電晶體的根本優勢》最新白皮書。該技術白皮書科普了共源共柵 （常閉） d-mode氮化鎵平台固有的優勢 |
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Transphorm氮化鎵元件助力DAH Solar微型逆變器光伏系統 (2023.10.12)
世界首個整合型光伏（PV）系統採用Transphorm氮化鎵平台，DAH Solar是安徽大恆新能源技術公司子公司。該整合型光伏系統已應用在大恆能源的最新SolarUnit 產品。DAH Solar認為系統中所使用的Transphorm的GaN FET元件 |
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Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI應用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款採用TOLL封裝的SuperGaN氮化鎵場效應管（FET），導通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合業界標準，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解決方案 |
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Magnachip電動汽車PTC加熱器用1200V和650V IGBT開始量產 (2023.09.12)
Magnachip半導體推出專為正溫度系數設計的1200V和650V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）（PTC）電動汽車 （EV）加熱器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的場截止溝槽技術，可提供10μs的最短短路耐受時間 |
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Diodes新款碳化矽MOSFET符合車規 可提升車用子系統效率 (2023.07.19)
Diodes公司推出兩款符合汽車規格的碳化矽 (SiC) MOSFET—DMWSH120H90SM4Q和DMWSH120H28SM4Q，進一步強化寬能隙 (Wide-Bandgap) 產品陣容。此系列N通道MOSFET產品可滿足市場對SiC解決方案不斷成長的需求，提升電動與混合動力汽車 (EV/HEV)車用子系統的效率及功率密度，例如電池充電器、車載充電器(OBC)、高效DC-DC轉換器、馬達驅動器及牽引變流器 |
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Transphorm發佈首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的模擬模型 (2023.06.19)
全球高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉換產品供應商Transphorm推出新款1200伏功率管模擬模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今業界可見推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體 |
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ST推出ACEPACK SMIT功率元件封裝 提升散熱效率 (2023.01.17)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出多種常用橋式拓撲的ACEPACK SMIT封裝功率半導體元件。相較於傳統穿孔型封裝，意法半導體先進之ACEPACK SMIT封裝能夠簡化組裝製程，提升模組的功率密度 |
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貿澤供應英飛凌通用型MOSFET 滿足電源轉換和管理應用 (2022.11.30)
貿澤電子（Mouser Electronics）供應多款英飛凌通用型MOSFET。對於正在尋找MOSFET以求滿足專案、定價或物流要求的設計人員，英飛凌提供廣泛的高電壓和低電壓MOSFET產品組合，能為各種應用提供彈性、價值和調整能力 |
