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博格華納採用ST碳化矽 為Volvo新電動車設計Viper功率模組 (2023.09.08)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）將與博格華納（BWA）合作，為其專有的Viper功率模組提供最新的第三代750V碳化矽（SiC）功率MOSFET晶片。該功率模組用於博格華納為Volvo現有和未來多款電動車型設計的電驅逆變器平台 |
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東芝首款2200V雙碳化矽MOSFET模組協助工業設備高效和小型化 (2023.08.30)
東芝電子開發業界首款用於工業設備的2200V雙碳化矽（SiC）MOSFET模組MG250YD2YMS3 。新模組的漏極電流（DC）額定值為250A，並採用該公司的第三代SiC MOSFET晶片。適用於使用DC1500V的應用，如光伏發電系統、儲能系統等 |
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ROHM推出5款全新超低導通電阻100V耐壓Dual MOSFET (2023.08.22)
近年來，在通訊基地台和工控設備的應用領域，為了降低電流值並提高效率，以往的12V和24V系統逐漸轉換為48V系統，電源電壓呈提高趨勢。半導體製造商ROHM針對通訊基地台和工控設備等風扇馬達驅動應用，推出將二顆100V耐壓MOSFET一體化封裝的Dual MOSFET新產品 |
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英飛凌CoolSiC功率模組 推動節能電氣化列車邁向低碳化 (2023.06.05)
為了實現全球氣候目標，交通運輸必須轉用更加環保的車輛，比如節能的電氣化列車。然而，列車運行有嚴苛的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內可靠運行 |
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英飛凌擴展CoolSiC系列高電壓產品 符合1500 VDC應用需求 (2022.06.08)
高功率密度的需求日益成長，因此推動了開發人員在其應用中採用1500 VDC系統規格，以提高每台逆變器的額定功率和降低系統成本。不過，1500 VDC型系統在系統設計上帶來更多挑戰，例如在高DC電壓下快速切換，這通常需要多層次拓撲，因此需要複雜的設計和相對較多的元件數量 |
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英飛凌推出XHP 2功率模組 有軌電車優化促進綠色移動 (2022.03.08)
英飛凌科技股份有限公司將推出採用XHP 2封裝，採用CoolSiC MOSFET和.XT技術的功率半導體，特別適用於軌道交通的定制需求。
英飛凌XHP 2功率模組的價值，已在西門子鐵路系統（Siemens Mobility）和Stadtwerke Munchen（SWM）公司聯合展開的實際道路測試中得到證明 |
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從原理到實例：詳解SiC MOSFET如何提高電源轉換效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET為例，分析其效率和散熱能力方面的優勢，並說明如何使用此類元件進行設計。 |
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英飛凌全新CoolSiC MOSFET實現無需冷卻風扇的伺服驅動方案 (2020.11.16)
英飛凌科技支援機器人與自動化產業實作免維護的馬達變頻器，今日宣布推出採用最佳化D2PAK-7 SMD封裝、搭載.XT互連技術的全新1200V CoolSiC MOSFET，可實現被動冷卻。相較於矽基解決方案，其損耗可降低達80%，因此不再需要冷卻風扇與相關服務 |
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英飛凌CoolSiC MOSFET與TRENCHSTOP IGBT推出新封裝 (2019.08.07)
相較於傳統 3 階中點箝位拓撲，進階中點箝位 (ANPC) 變頻器設計可支援半導體裝置間的均勻損耗分佈。英飛凌科技旗下1200V系列混合式 SiC 與 IGBT 功率模組新增採用 ANPC 拓撲的 EasyPACK 2B封裝 |
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EPC eGaN技術在性能及成本上實現質的飛躍 (2017.03.17)
全球增?型氮化鎵電晶體廠商、致力於開發創新的矽基功率場效應電晶體（eGaN FET）及積體電路的宜普電源轉換公司（EPC）推出全新的EPC2045（7微歐姆、100 V）及EPC2047（10 微歐姆、200 V）電晶體，在提升產品性能的同時也可以降低成本 |
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宏微科技推出大功率低壓MOSFET模組 (2016.10.14)
在全世界積極推展清潔能源的同時，另一方面如何協助更有效率使用能源也是一大課題，宏微科技已成功開發出多款大功率低壓MOSFET模組，該系列產品讓電力電子工程師在設計低壓大電流應用來得更容易，模組化外殼也顯著地減低系統整機的運轉溫度，解決了大功率MOSFET線路設計的各種麻煩 |
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Diodes新型MOSFET晶片高度減少50% (2012.05.11)
Diodes 公司日前推出了一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，面積只有4mm2，是一款額定電壓為 -25V的P通道元件，較同類型元件薄50% |
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IR新款DirectFET MOSFET 為DC-DC應用提高效率 (2010.12.21)
國際整流器（IR）近日宣布，推出了IRF6708S2及IRF6728M 30V DirectFET MOSFET晶片組，特別為講求成本的19V輸入同步降壓應用，例如筆記型電腦而設計。
IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐元件可減少零件數量達30%，所以能夠大幅降低整體系統成本 |
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ST MDmesh V MOSFET 為終端產品帶來節能優勢 (2009.02.23)
意法半導體（ST）宣佈在功率MOSFET晶片的性能方面取得巨大突破，MDmesh V使得ST新一代的650V MOSFET，採用緊湊型功率封裝，可將RDS（ON）降到0.079Ω以下。這些產品的應用是鎖定以小尺寸和低能耗為訴求的功率轉換系統 |
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IR將於IIC-China展示最新功率管理方案 (2009.02.16)
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）宣布，IR將參與由2009年2月26日至27日在深圳會展中心舉行的國際集成電路研討會暨展覽會（IIC-China）。
IR的工程師及應用工程師將於編號2E01的展位展示最先進的功率管理方案 |
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IR推出25V DirectFET MOSFET晶片組 (2008.07.16)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出25V同步降壓轉換器DirectFET MOSFET晶片組，適用於負載點(POL)轉換器設計，以及伺服器、高端桌上型電腦和筆記簿電腦應用。
新25V晶片組結合IR最新的HEXFET MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，把高密度、單一控制和單一同步MOSFET解決方案整合在SO-8元件的佔位面積，並採用了0.7mm纖薄設計 |
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IR新MOSFET晶片組提高2％輕負載效率 (2006.02.10)
國際整流器（International Rectifier；IR）推出一對新型30V HEXFET功率MOSFET。相比於採用30V MOSFET的解決方案，它們可提供高出2％的輕負載效率，用於驅動最新Intel和AMD處理器中的45A、二相同步降壓轉換器，適用範圍包括筆記簿型電腦及其他高效能電腦應用 |
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瑞薩科技推出第一款整合6-Channel輸出MOSFET晶片 (2005.11.02)
瑞薩科技宣布推出用於數位相機(DSC)總共包括七個升降壓轉換頻道之M62298FP DC-DC轉換器。產品將於2005年12月開始在日本樣品出貨。
在M62298FP的七個頻道中，將有六個頻道具有一個或兩個內建的MOSFET，此為業界第一款用於DSC之DC-DC轉換器 |
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IR推出同步降壓轉換器晶片組 (2005.07.25)
國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出IRF6621/IRF6612同步降壓轉換器晶片組。這款新型30V DirectFET MOSFET晶片組是特別為每相14A至18A的DC-DC功率轉換而設計，其小體積、高效率和改善導熱效能是配備最新Intel和AMD處理器的先進筆記簿型電腦設計所必需的 |
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選擇正確的功率MOSFET封裝 (2004.07.01)
當終端設備對於電源效率的需求越高，電源管理系統中更高效能的元件也越被重視。由於矽科技在進化的過程中，漸漸使封裝成為元件達到更高效能的絆腳石，因此，為兼顧散熱需求與效率，引進更先進的功率MOSFET封裝勢在必行 |
