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討論活動主題﹕3D IC構裝材料趨勢研討會

活動 提要
【前言】 3D IC乃將是晶片立體堆疊化的整合模式，其最大特點在於可將不同功能、性質或基板的晶片，各自採用最合適的製程分別製作後，再利用矽穿孔(Through-Si Via, TSV)技術進行立體堆疊整合，以有效縮短金屬導線長度及連線電阻，進而減少晶片面積，具有小體積、高整合度、高效率、低耗電量及成本之優勢，並同時符合數位電子輕薄短小發展趨勢要求。 本研討會特別邀請3D IC領域重量級講師，從新市場機會與挑戰、3D IC的關鍵核心技術至未來的重點技術發展，做一整個全面性的完整介紹及講解，協助業者對所處的產業環境與未來發展趨勢有更進一步的了解

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