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讨论活动主题﹕3D IC构装材料趋势研讨会

活动 提要
【前言】 3D IC乃将是晶片立体堆叠化的整合模式，其最大特点在于可将不同功能、性质或基板的晶片，各自采用最合适的制程分别制作后，再利用矽穿孔(Through-Si Via, TSV)技术进行立体堆叠整合，以有效缩短金属导线长度及连线电阻，进而减少晶片面积，具有小体积、高整合度、高效率、低耗电量及成本之优势，并同时符合数位电子轻薄短小发展趋势要求。 本研讨会特别邀请3D IC领域重量级讲师，从新市场机会与挑战、3D IC的关键核心技术至未来的重点技术发展，做一整个全面性的完整介绍及讲解，协助业者对所处的产业环境与未来发展趋势有更进一步的了解。

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