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單元二：高效率(橘或黃光)OLED元件結構設計、量測與實作 (2012.07.05)
課程介紹
實驗室實際操作課程，限額20人，名額有限，請速報名！！
本課程將深入淺出剖析OLED可侵入性現有產業技術之特質，介紹發光元件效率的理論上限以及高效率OLED的設計原理，而從OLED特具的侵入性優勢，可以了解此一技術未來的特色產品、市場方向；對高效率OLED設計的了解，可以掌握發展OLED產業的關鍵所在 |
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單元一：AMOLED關鍵設備與製程技術開發 (2012.06.21)
課程介紹
目前全球AMOLED面板供不應求，小尺寸AMOLED已成功在智慧手機站穩市場，韓國Samsung Mobile Display借由AMOLED在智慧手機產品差異化，讓Samsung智慧手機一度領先Apple iPhone市佔率 |
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原子層沉積氧化鋁為表面鈍化的高效率多晶矽太陽能電池-原子層沉積氧化鋁為表面鈍化的高效率多晶矽太陽能電池 (2011.07.15)
原子層沉積氧化鋁為表面鈍化的高效率多晶矽太陽能電池 |
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原子沉積再突破 (2009.03.12)
半導體元件微小化，現行的製程技術與材料皆面臨極大的挑戰。傳統的PVD與CVD鍍膜也難以滿足在32nm以下的製程需求，而新興的原子層沈積(ALD)技術因其鍍膜厚度達原子級便漸成顯學 |
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ASM和SAFC簽訂認證製造廠商與合作協定 (2009.01.16)
ASM International N.V.和 Sigma-Aldrich子公司SAFC旗下的SAFC Hitech宣布針對進階超介電常數絕緣層(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子層沉積(ALD)原料簽訂認證製造廠商與合作協定。 該協定提供化學原料之認證標準、特定ASM ALD 專利之授權許可，以及針對這些化學原料的行銷與進階開發合作關係 |
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IBM研發出26GHz的石墨烯電晶體 (2008.12.23)
外電消息報導，IBM日前宣佈，研發出一款全世界速度最快的石墨烯(graphene)場效電晶體(FET)，運作的頻率高達26GHz。而未來透過碳元素更高的電子遷移率，該材料有望超越矽的物理極限，達到100GHz以上，並邁入兆赫領域 |
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Intermolecular與爾必達合作研發次世代記憶體技術 (2008.08.19)
Intermolecular與爾必達宣布了一項新的合作發展計劃（ CDP）和授權協議，以加速爾必達次世代IC新材料與製程技術的發展。這項合作發展計畫將採用Intermolecular物理氣相沉積（ PVD）與原子層沉積（ ALD ）的工作流程和應用方案 |
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AVIZA與茂矽電子宣佈簽訂共同開發計劃 (2007.09.13)
Aviza Technology宣佈與茂矽電子簽訂共同開發計劃(JDP)。部分合作案內容為，Aviza和茂矽電子將共同開發應用在下一代快閃記憶體的原子層沉積層(ALD)材料。
根據合作協議的內容 |
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原子層沉積技術於45奈米世代將成主流 (2006.10.13)
專注於高溫熱製程處理系統及原子層沉積系統的半導體設備廠商Aviza，已經完成整併另一廠商Trikon，在半導體前後段製程技術領域，可以提供更完整的產品線，同時隨著DRAM與Flash等記憶體產品市場規模的提升，將進一步擴大產品的出貨量，尤其是在日漸成為全球製造中心的亞太地區市場 |
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以全球性售後服務網滿足客戶需求 (2004.10.13)
千里迢迢來台參加Semicon Taiwan 2004展覽的半導體熱處理與原子層沉積（atomic layer deposition；ALD）技術供應商Aviza Technology（暐貰科技），雖然才剛滿一歲，在全球各大半導體工廠裏運作的機組卻已有2100多部 |
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以全球性售後服務網滿足客戶需求 (2004.10.05)
千里迢迢來台參加Semicon Taiwan 2004展覽的半導體熱處理與原子層沉積（atomic layer deposition；ALD）技術供應商Aviza Technology（暐貰科技），雖然才剛滿一歲，在全球各大半導體工廠裏運作的機組卻已有2100多部 |
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KLA-Tencor推出MetriX 100 (2003.10.06)
KLA-Tencor 6日推出推出MetriX 100，是一套針對產品晶圓上薄膜的成份與厚度提供獨立的量測功能。在各種IC上，薄膜的成份和薄膜的厚度都會影響IC的功能與可靠度，MetriX 100具備量測這兩種參數的能力，提供90奈米環境中生產在線式監測及開發65奈米以下的製程 |
