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國研院攜手台積電 成功開發磁性記憶體技術 (2024.02.20)
國研院半導體中心今（20）日也宣佈與台積電合作開發的「選擇器元件與自旋轉移力矩式磁性記憶體整合」（Selector and STT-MRAM Integration），於2023年12月電子元件會議IEDM（International Electron Devices Meeting）中發表，並獲選為Highlight Paper，成為全世界極少數成功開發出高密度、高容量的獨立式STT-MRAM製作技術團隊 |
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工研院與台積合作開發SOT-MRAM 降百倍功耗搶HPC商機 (2024.01.17)
面對現今人工智慧（AI）、5G構成的AIoT時代來臨，包括自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用須快速處理大量資料，要求更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為各家大廠研發重點 |
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創新SOT-MRAM架構 提升新一代底層快取密度 (2023.04.17)
要將自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）用來作為底層快取（LLC），目前面臨了三項挑戰；imec在2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上提出一套創新的SOT-MRAM架構，能夠一次解決這些挑戰 |
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聯電攜手Avalanche 推出航太用高密度P-SRAM裝置 (2022.09.13)
半導體晶圓廠商聯華電子與專精於MRAM技術的創新公司 Avalanche Technology於今（13）日推出具有高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體（Persistent Static Random Access Memory；P-SRAM） |
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工業儲存技術再進化！ (2022.08.26)
近年來，半導體先進製程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智慧、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智慧城市到國防航太等領域都可以應用大量晶片記錄海量數據 |
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工研院攜手台積、陽明交大 在VLSI發表頂尖磁性記憶體技術 (2022.06.15)
工研院在今（15）日宣布，與台積電合作開發世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）陣列晶片；另外，工研院也攜手國立陽明交通大學，研發出工作溫度橫跨近400度之新興磁性記憶體技術 |
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2022 ISSCC台灣15篇論文獲選 聯發科、台積電與旺宏皆上榜 (2021.11.16)
國際固態電路研討會(International Solid-State Circuits Conference；ISSCC)一向被視為是全球先進半導體與固態電路領域研發趨勢的指標，有晶片(IC)設計領域奧林匹克大會之稱，此研討會將於2022年2月20日至24日於美國舊金山舉行，台灣共有15篇論文入選 |
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可在量產中實現良率管理的STT-MRAM磁性測試 (2021.06.02)
由於STT-MRAM（自旋轉移距－磁性隨機存取記憶體）具有快速、非揮發性、耐用，低功耗和可擴展的優點，是目前正迅速獲得關注的新記憶體技術之一。它是替代eFlash的強大候選者，尤其是對汽車、物聯網和其他低功耗應用特別有吸引力 |
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新一代記憶體發威 MRAM開啟下一波儲存浪潮 (2019.09.24)
STT-MRAM可實現更高的密度、更少的功耗，和更低的成本。此外，STT-MRAM也非常有可能成為未來重要的記憶體技術。不止可以擴展至10nm以下製程，更可以挑戰快閃記憶體的低成本 |
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STT-MRAM技術優勢多 嵌入式領域導入設計階段 (2019.09.12)
目前有數家晶片製造商，正致力於開發名為STT-MRAM的新一代記憶體技術，然而這項技術仍存在其製造和測試等面向存在著諸多挑戰。STT-MRAM（又稱自旋轉移轉矩MRAM技術）具有在單一元件中，結合數種常規記憶體的特性而獲得市場重視 |
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群聯攜手Everspin 發展整合MRAM的SSD控制晶片 (2019.07.26)
群聯電子宣布與Everspin策略聯盟，整合Everspin的1Gb STT-MRAM，至群聯的企業級SSD儲存解決方案。
群聯指出，MRAM是一種非揮發性記憶體技術，不僅斷電時資料不會遺失，且有低功耗及讀寫速度高於NAND等特性 |
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愛德萬測試研發出用於記憶測試系統STT-MRAM的切換電流測量系統 (2018.11.21)
半導體測試設備供應商愛德萬測試宣布其與日本東北大學創新整合電子系統中心〈CIES〉的合作，本計畫由東北大學電機研究所教授遠藤哲夫主持，成功地研發出高速、高精確度模組，可以測量磁性隨機存取記憶體〈STT-MRAM〉中記憶束的切換電流，這是眾所期待用於愛德萬測試記憶測試系統的次世代記憶技術，運作速度為微安培/奈米秒 |
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FURUYA：因應硬碟片材料需求增加 將擴張釕精製產能 (2018.06.22)
株式會社FURUYA金屬宣布將對土浦工廠（茨城縣土浦市澤邊）進行投資，擴增釕（Ru）精製產能。
FURUYA金屬的土浦工廠擁有精製與回收高純度釕靶材（薄膜材料）及觸媒等製品的產線，可以在短期間內進行高純度的精製 |
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2018 ISSCC引領半導體技術趨勢 台論文獲選量居全球第三 (2017.11.16)
國際固態電路學會（International Solid-State Circuits Conference，ISSCC）2018年年會預計於2018年2月11日至2月15日於美國舊金山舉行。ISSCC被譽為晶片(IC)設計領域奧林匹克大會，促進國際半導體與晶片系統之產學研專家的技術交流，在本次國際學術研討會，台灣共有16篇論文入選，數量僅次於美國與韓國，居全球第三 |
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由STT MRAM展望自旋電子學的未來與台灣機會 (2016.11.19)
本座談會議針對現今國際與台灣在STT MRAM與Spintronics上的產學研狀況進行一系列分析與探討，邀請國際重量級專家與公司代表，就MRAM技術進展與市場進行估測，分析台灣的投入重點與進程/優勢及劣勢，並就自旋電子學的未來機會及應用潛力深入討論，冀望大家借此交流機會共同為台灣自旋電子產業尋求合作與開發的契機 |
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來揚科技攜手主力分團 進軍次世代記憶體市場 (2016.05.16)
傳統記憶體的製程技術已達物理極限，國際大廠無不全力布局，一場次世代記憶體大戰已隱然成型。為搶占未來全球記憶體市場，來揚科技整合本身電路設計能力後，以開放宏觀的精神，進軍次世代記憶體市場 |
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爾必達重生 20nm DRAM年內量產 (2013.08.02)
還記得爾必達(Elpida)嗎？它回來了！
曾經，因為過量生產導致價格崩壞，使得DRAM產業的製造商倒得一蹋糊塗。台灣廠商當中最慘的屬茂德，連虧五年後，2012年股票下市，狼狽地退出DRAM產業 |
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MRAM技術再突破 工研院啟動全新記憶體戰局!!（下） (2013.07.08)
MRAM是一種磁性多層膜的堆疊結構，在這當中最為關鍵的三層，上下兩層為磁性層（一為參考層，一為自由層），中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向是水平排列，並可由電流來控制旋轉方向 |
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SSD產業將迎向另一次革命 (2012.08.23)
SSD近來在行動市場相當受到歡迎，平均售價也持續下降，讓這種快速存取且低功耗的儲存裝置成長力道強勁。不過，現在市售的SSD仍存在一些技術問題，例如裝置內的DRAM可能因斷電而流失資料，因而新世代的技術仍在發展中 |
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搶佔MRAM先機 韓政府攜手三星與海力士 (2009.12.01)
外電消息報導，韓國政府日前宣佈，將與三星電子及海力士合作，進行磁性隨機記憶體（Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory；MRAM)）的研發，以維持韓國在全球記憶體產業的領先地位 |
