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Intel的RAM、ROM情結 (2015.08.11)
很久以前，在Andy Grove主導Intel的時代，Intel的DRAM業務因日本DRAM（如NEC，之後成為Elpida）的大舉進攻而虧損，最後被迫關閉該業務，全心轉型、聚焦發展CPU。
但DRAM與PC息息相關 |
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美光與Intel率先推出25 nm 3bpc NAND快閃記憶體 (2010.08.22)
美光科技 (Micron) 於日前宣佈，已與英特爾 (Intel) 合力 推出採用 25 nm 製程技術3-bit-per-cell (3bpc) NAND 快閃記憶體，該 NAND 裝置擁有超大容量與最小尺寸。美光與英特爾已送樣給部分客戶，該產品預計在今年年底量產 |
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不打價格戰 Intel意在奪取SSD霸主地位 (2010.03.19)
消費市場對於產品價格十分敏感。SSD（固態硬碟）儘管效能比起傳統機械式硬碟強上許多倍，然而價格卻限制了擴大版圖的機會。Intel近期便發表入門級價位的40GB SSD，主打消費市場的Netbook、及可配置傳統與固態雙硬碟的PC等應用 |
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SEMICON Taiwan 2008即日起開放報名 (2008.07.25)
SEMICON Taiwan 2008(國際半導體設備材料展)即將於9月9-11日展開，展期間將舉行8場產業趨勢與技術論壇。其中，在9月10日的CTO論壇中，主辦單位SEMI(國際半導體設備材料產業協會)特別邀請日月光集團研發中心總經理唐和明博士、無線科技大廠Qualcomm副總經理Mr |
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英特爾與美光推出新型高速NAND快閃記憶體 (2008.02.03)
外電消息報導，英特爾（Intel）和美光（Micron）科技日前共同宣布，由雙方所合資的企業IM Flash新開發出一種的快閃記憶體架構。此新的架構為8GB單層式儲存NAND快閃記憶體晶片，讀取速度可達每秒200MB，寫入的速度達每秒100MB，較現今的固態硬碟及繪圖卡的傳輸速度更快 |
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FLASH記憶體戰局再起 (2007.10.08)
iPod和iPhone的相繼問世，給快閃記憶體（Flash Momory）市場鋪了一條筆直的康莊大道，再加上固態硬碟（SSD）的增溫與影音產品的嵌入式儲存應用，更替此一市場掛上了保固延長和銷售保證 |
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NAND Flash Inside！ (2007.07.09)
為了持續提高NAND Flash的儲存容量與密度，東芝（Toshiba）計畫一改過去持續挑戰半導體製程極限的作法，轉而透過3D結構以提高NAND Flash的儲存密度。此外，其他記憶體廠商也都不斷開發新技術以取代傳統浮動閘極（floating gate）結構之NAND Flash，藉此解決該技術容量極限難以突破的問題 |
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SSD的市場來臨? (2007.06.27)
SSD的市場來臨? |
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12吋晶圓設備佔2007年半導體總投資額85％ (2007.05.23)
晶圓生產設備將牽動12吋晶圓廠的投資動向。根據國際半導體設備暨材料協會（SEMI）所公佈的調查結果顯示，在2007年半導體廠商的總投資額中，約有85％是用於12吋晶圓生產設備之上 |
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獲利為重 三星調整晶圓廠產能 (2006.12.22)
NAND Flash及DRAM製造商三星電子，由於考量其最佳獲利狀態，已決定將其最新晶圓廠Line15產能做出調配，據了解，該座晶圓廠原本預計投入DRAM及NAND型Flash各半產能，惟有鑑於2006年全球NAND型Flash價格持續下跌，因此產能將100％投入標準型DRAM |
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風雲產品、風波關係 (2006.11.29)
風雲產品的成功，是否真為計畫性成功 |
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65到45：半導體製程微細化技術再突破 (2006.11.27)
當半導體微細化製程從65奈米邁向45奈米、甚至晶片結構體尺寸將朝向32或是22奈米之際，我們將會面臨什麼未知的物理性質變化？為了追尋更微小體積、切割更多晶片的商業成本效益 |
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DRAM廠擴大產能 封測明年忙翻天 (2006.10.24)
由於看好明年微軟新作業系統Vista上市後，將帶動新一波DRAM需求，包括三星、海力士（Hynix）、奇夢達（Qimonda）及台灣四家DRAM廠等，明年均將大舉擴大產能，至於NAND供應商如IM Flash、東芝等，則因市占率之爭，明年擴產幅度亦充滿想像空間 |
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美光標準型DRAM比重將降至四成 (2006.02.14)
美國DRAM大廠美光科技（Micron）舉行法人說明會，總裁暨執行長愛波頓（SteveAppleton）對外宣示，未來美光將以「提升企業價值（Increasing Company Value）」為營運首要目標，藉由與英特爾、蘋果電腦的合作，提高非標準型DRAM的產能比重 |
