 |
Digi-Key增加Cree針對微波應用的氮化鎵 (2009.02.02)
Digi-Key與Cree宣佈，Digi-Key已開始進貨Cree針對通用微波應用的氮化鎵 (GaN)HEMT電晶體。使Digi-Key的Cree產品線包含SiC電源零組件、SiC MESFET、高亮度及高功率 LED，以及現在的GaNHEMT電晶體 |
 |
Digi-Key開始庫存Cree的SiC RF Power MESFET (2008.03.06)
Digi-Key與寬頻隙電晶體及射頻積體電路(RFIC)廠商Cree宣佈 ，Cree的碳化矽(SiC)金屬半導體場效電晶體(MESFET)已由Digi-Key庫存，並已可開始出貨。
Digi-Key Corporation是板級元件之電子元件及配件多元經銷商，該公司專注於產品選擇與其對目錄上產品建立100%庫存的承諾，使其能便利地提供各種工業和商業領域等廣泛客戶所需 |
 |
砷化鎵的磊晶技術與應用市場 (2007.04.04)
砷化鎵早年主要是應用於國防太空工業，以及高速電腦元件、高頻測量儀器等特定應用領域。隨著冷戰時代的結束、軍事管制的解除及個人通訊的快速發展，以微波頻率為主的無線通訊已可廣泛用於個人通訊、衛星通訊及光纖通訊等民生用途上 |
|
射頻功率放大器LDMOS FET元件偏壓設計 (2007.01.02)
場效電晶體FET採用的LDMOS技術已經逐漸成為高功率射頻應用的主流技術，特別是在行動通訊系統基地台中所使用的功率放大器上，這篇文章將介紹這類FET元件的特性，並提供幾種取得最佳效能的偏壓方式 |
|
半導體料材技術動向及挑戰 (2006.11.23)
半導體製造技術能否持續突破，材料一直扮演著重要的角色，從過去最早初的鍺（Germanium；Ge），到之後普遍運用的矽（Silicon；Si），而近年來又有更多的新樣與衍生，以下本文將針對此方面的新用材、新趨勢發展，以及現有的技術難度等，進行一番討論 |
|
全雙工蜂巢式手機適用的GPS LNA (2005.01.01)
本文將介紹適用於GPS頻帶，且專為CDMA和WCDMA環境而設計的低雜訊放大器（LNA）。此元件在1.575 GHz的頻率下，如果加以2.0 Vds和10mA Ids的偏壓，雜訊指數是0.9 dB、IIP3（三階輸入端截止點）是5.0 dBm，增益為16.8 dB |
|
光電通訊系統晶片之應用與技術架構 (2004.04.05)
光纖通訊網路特色在於傳輸速度快，其所擁有的頻寬滿足了無線通訊、數位電視的傳輸與網際網路的需求。光纖傳輸系統已成為近年來最熱門的發展趨勢。本文重點以光電通訊之系統晶片技術與應用為主 |
|
高頻放大器測試探微 (2003.10.05)
放大器是一個電子元件，主要功能是將輸入信號的功率放大而保存其原有之基本特性，在通訊系統中，放大器扮演著通訊鏈結成功與否的關鍵角色。本文將介紹雙端口高頻放大器及平衡式高頻放大器的特性參數及測試方法 |
|
矽製程技術在通訊元件上之應用現況與挑戰 (2002.10.05)
本文主要探討矽製程技術在無線通訊產品的發展現況與挑戰，分別從元件高頻特性、無線通訊系統需求、功能單元實現，來分析各式ICs技術之優缺點與限制，其中亦兼論到寬頻光纖通訊ICs，並認為High-Performance SiGe BiCMOS為目前最實際可行、有效的辦法，可以同時兼顧高頻特性和高整合度的要求 |
|
無線通訊IC製程技術探微 (2002.09.05)
無線通訊IC已成為半導體產業未來發展的重要支柱，年產量高達四億支左右的手機市場更是目前各大半導體廠商關注的重點，本文將以無線通訊射頻IC的製程技術為探討重點，藉以說明半導體製程技術在該領域的發展與趨勢 |
|
E-pHEMT技術開發競賽 (2002.06.05)
III-V E-pHEMT功率放大器的開發過程，可以比喻為一場競賽。本文將介紹安捷倫開發其E-pHEMT元件及製程的經驗，以做為國內砷化鎵產業發展的參考。 |
|
「網路無所不在」的科技推手 (2002.06.05)
「矽谷」，站在全球科技創新的頂點，許多公司立足於此，而行銷遍及全球，與台灣這半導體重鎮，更有深厚的合作關係。本刊日前受邀參加「亞洲電子產業媒體矽谷採訪團」，由筆者與多位他國記者共同深入探訪了九家矽谷科技戰將，不論是技術實力、定位或趨勢觀察，都有值得我們借鏡之處 |
|
安捷倫科技推出了PC介面卡與基地台接收器設計所需的GaAs電晶體 (2002.02.28)
安捷倫科技日前發表了兩款新的GaAs電晶體，它們均採用公司的MiniPak迷你無引線封裝。這些GaAs電晶體主要用於PC介面卡及基地台接收器的設計。安捷倫MiniPak的尺寸只有1.4 mm x 1.2 mm x 0.7 mm，使用的電路板空間比2.1 mm x 2.0 mm x 0.9 mm大小的傳統SC-70封裝少了60% |
|
SiGe HBT技術發展概述 (2001.06.01)
SiGe技術經過這十幾年的研究發展，已漸漸開花結果。 |
|
手機零組件產業全方位剖析(上) (2001.03.05)
台灣為全球資訊設備第三大產出國，由於國內資訊產業逐漸成熟，上、下游廠商無不積極轉型。2000年的手機市場預估有4.1億支以上的市場，國內廠商眼見手機市場的龐大商機，競相設廠進入手機製造產業 |
|
行動電話射頻元件及整合趨勢 (2000.10.01)
參考資料： |
