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瑞薩電子開發90奈米單電晶體MONOS快閃記憶體技術 (2016.02.26)
瑞薩電子（Renesas）宣佈開發90奈米（nm）單電晶體MONOS (1T-MONOS)快閃記憶體技術，可結合各種製程如CMOS與雙極CMOS DMOS（BiCDMOS），並提供高程式/抹除(P/E)耐受性及低重寫耗電量 |
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快閃IC「RRAM」發展動向 (2005.09.05)
隨著各種可攜式電子產品的記憶容量不斷擴張，傳統的Flash Memory已很難滿足市場需求。雖然FeRAM曾經是各半導體廠商囑目的焦點，不過隨著RRAM的出現，也代表著非揮發性記憶體即將進入嶄新的紀元 |
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台積電65奈米製程計畫今年底量產 (2005.04.28)
晶圓大廠台積電2005年第一場技術研討會於四月下旬在美國矽谷舉行，該公司於會中向IC設計業界介紹該公司Nexsys 65奈米製程技術及服務，首批客戶晶片也將於2005年12月產出 |
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台積電宣布2005年擴大90奈米Nexsys製程產能 (2004.12.29)
晶圓代工大廠台積電發布新聞稿表示，該公司90奈米Nexsys製程技術為多家客戶量產晶片，在2004年第四季中每個月的90奈米12吋晶圓出貨量已達數千片，2005年將擴大產能以因應客戶對此先進製程技術的需求；這些客戶包括Altera及Qualcomm等公司，也包括一些整合元件製造商（IDM） |
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快捷推出新型MOSFET系列 (2002.08.27)
快捷半導體(Fairchild Semiconductor)近日推出了全新系列18種N通道MOSFET元件，採用業界首個結合大型TO-263封裝(D2-PAK)的熱性能和極低RDS特性的標準SO-8封裝形式。十八種新元件均採用無底(Bottomless)封裝技術 |
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Cypress與Ramtron聯合發表高密度SRAM (2002.01.15)
全球知名的高效能積體電路解決方案供應廠商的美商柏士半導體（Cypress Semiconductor）與Ramtron International Corporation子公司Enhanced Memory Systems宣佈共同發表全世界最高密度的SRAM，全新的72Mb的「無延遲匯流排（NoBL，No Bus Latency）」burst SRAM系列產品是針對網路通訊市場所設計，特別適合應用於2 |
