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瑞萨电子开发90奈米单电晶体MONOS快闪记忆体技术 (2016.02.26)
瑞萨电子（Renesas）宣布开发90奈米（nm）单电晶体MONOS (1T-MONOS)快闪记忆体技术，可结合各种制程如CMOS与双极CMOS DMOS（BiCDMOS），并提供高程式/抹除(P/E)耐受性及低重写耗电量 |
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快闪IC「RRAM」发展动向 (2005.09.05)
随着各种可携式电子产品的记忆容量不断扩张，传统的Flash Memory已很难满足市场需求。虽然FeRAM曾经是各半导体厂商嘱目的焦点，不过随着RRAM的出现，也代表着非挥发性内存即将进入崭新的纪元 |
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台积电65奈米制程计划今年底量产 (2005.04.28)
晶圆大厂台积电2005年第一场技术研讨会于四月下旬在美国硅谷举行，该公司于会中向IC设计业界介绍该公司Nexsys 65奈米制程技术及服务，首批客户芯片也将于2005年12月产出 |
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台积电宣布2005年扩大90奈米Nexsys制程产能 (2004.12.29)
晶圆代工大厂台积电发布新闻稿表示，该公司90奈米Nexsys制程技术为多家客户量产芯片，在2004年第四季中每个月的90奈米12吋晶圆出货量已达数千片，2005年将扩大产能以因应客户对此先进制程技术的需求；这些客户包括Altera及Qualcomm等公司，也包括一些整合组件制造商（IDM） |
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快捷推出新型MOSFET系列 (2002.08.27)
快捷半导体(Fairchild Semiconductor)近日推出了全新系列18种N信道MOSFET组件，采用业界首个结合大型TO-263封装(D2-PAK)的热性能和极低RDS特性的标准SO-8封装形式。十八种新组件均采用无底(Bottomless)封装技术 |
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Cypress与Ramtron联合发表高密度SRAM (2002.01.15)
全球知名的高效能集成电路解决方案供应厂商的美商柏士半导体（Cypress Semiconductor）与Ramtron International Corporation子公司Enhanced Memory Systems宣布共同发表全世界最高密度的SRAM，全新的72Mb的「无延迟总线（NoBL，No Bus Latency）」burst SRAM系列产品是针对网络通讯市场所设计，特别适合应用于2 |
