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溼蝕刻製程降低TSV成本 更易實現3D IC (2015.10.22)
TSV（矽穿孔）技術在3D IC中，可謂扮演相當吃重的角色，由於摩爾定律的關係，半導體製程的不斷突破，晶片業者不斷提升電晶體密度，同時又面臨晶片尺寸極為有限的情況下，水平面積畢竟還是有其極限，所以半導體業者們才從垂直方向下手，以整合更多的電晶體，進一步提升晶片整體效能 |
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Soitec與SEZ合作加速應變絕緣矽基板的商業化時程 (2005.10.18)
Soitec Group與SEZ Group日前宣佈，雙方已著手計畫推動聯合開發計畫(JDP)，藉以加快新一代應變絕緣矽（sSOI）基板的商業化時程。在聯合開發計畫中，兩家公司將運用Soitec在工程基板的技術，以及SEZ在單晶圓、溼式處理技術之領先優勢，開發新型溼式蝕刻製程，提高在sSOI製程中去除鍺元素的作業效率 |
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