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湿蚀刻制程降低TSV成本 更易实现3D IC (2015.10.22)
TSV(矽穿孔)技术在3DIC中,可谓扮演相当吃重的角色,由于摩尔定律的关系,半导体制程的不断突破,晶片业者不断提升电晶体密度,同时又面临晶片尺寸极为有限的情况下,水平面积毕竟还是有其极限,所以半导体业者们才从垂直方向下手,以整合更多的电晶体,进一步提升晶片整体效能 |
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Soitec与SEZ合作加速应变绝缘硅基板的商业化时程 (2005.10.18)
Soitec Group与SEZ Group日前宣布，双方已着手计划推动联合开发计划(JDP)，藉以加快新一代应变绝缘硅（sSOI）基板的商业化时程。在联合开发计划中，两家公司将运用Soitec在工程基板的技术，以及SEZ在单晶圆、湿式处理技术之领先优势，开发新型湿式蚀刻制程，提高在sSOI制程中去除锗元素的作业效率 |
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