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imec助推歐洲晶片法 2奈米晶片試驗將獲25億歐元投資 (2024.05.26)
比利時微電子研究中心(imec)於本周舉行的2024年全球技術論壇（ITF World 2024)，宣布即將推出奈米晶片（NanoIC）試驗製程。鑒於歐盟《晶片法案》的發展願景，該試驗製程致力於加速創新、驅動經濟成長，並強化歐洲半導體生態系 |
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意法半導體突破20奈米技術屏障 提升新一代微控制器成本競爭力 (2024.03.28)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出了一項18奈米完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體（Fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI）技術並整合嵌入式相變記憶體（ePCM）的先進製程，支援下一代嵌入式處理器進化升級 |
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使用黏合對乙太網路纜線在惡劣環境中維持連接 (2024.03.25)
本文敘述設計人員針對惡劣環境考量佈線選項時會面臨的許多挑戰，以及如何使用黏合對乙太網路纜線來因應這些挑戰，並且舉例說明此技術的特性和效能。
隨著移轉至工業物聯網（IIoT），多感測器和致動器工業環境對可靠性和效能有更高的要求，開發人員因此面臨更多挑戰，需尋求更強大的連接解決方案 |
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以固態繼電器簡化高電壓應用中的絕緣監控設計 (2024.03.11)
快速準確偵測隔離中的故障，是強化使用者安全和降低災難性電力中斷所造成損害或火災的重要關鍵。 |
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英飛凌新款160 V雙通道閘極驅動IC適用於電池供電應用 (2024.01.04)
英飛凌科技（Infineon）宣佈其汽車和工業電機控制應用的MOTIX雙通道閘極驅動IC系列添新品，包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。這些160 V的絕緣層上覆矽（SOI）閘極驅動器均為小型閘極驅動器解決方案，具有出色的抗閂鎖能力，適合於電池供電應用，如無線電動工具、多軸飛行器、無人機，以及電池電壓高達120 V的輕型電動車等 |
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掌握失效分析技術關鍵 應對SiP微小化產品多樣需求 (2023.04.21)
失效分析的一般程式分為三個關鍵步驟：失效模式確認、分析失效機理、驗證失效機理和原因，再進一步就是要提出改進措施。失效分析在積體電路（IC）產業鏈中發揮的重要性越來越大 |
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英飛凌推出160V MOTIX三相閘極驅動IC 具良好導熱性能 (2023.02.07)
英飛凌專為汽車和工業馬達控制應用開發的MOTIX系列提供了具有不同整合度的豐富產品組合，為了進一步壯大產品陣容，英飛凌推出MOTIX三相閘極驅動IC 6ED2742S01Q。
這款160V的絕緣層上矽（SOI）閘極驅動器整合了一個電源管理單元（PMU），並且採用了底部帶有裸露焊墊的QFN-32封裝，具有良好的導熱性能 |
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建置優化智慧家庭和大樓自動化管理 (2022.11.21)
借助無線物聯網解決方案，可對建築物的服務進行自動精準的中央控制，包括暖通空調、電氣系統以及照明、門禁控制、安全系統和智慧建築物感測器。 |
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以碳化矽技術牽引逆變器 延展電動車行駛里程 (2022.11.14)
半導體技術革命催生了新的寬能隙元件，例如碳化矽（SiC）MOSFET功率開關，使得消費者對電動車行駛里程的期望，與OEM在成本架構下實現縮小里程之間的差距。 |
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最新超導量子位元研究 成功導入CMOS製程 (2022.10.20)
imec研究團隊成功實現100μs的相干時間（coherence time），以及99.94%的量子閘保真度（gate fidelity）。首開先例採用CMOS相容製程，未來可望進入12吋晶圓廠，實現高品質的量子電路整合 |
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工業儲存技術再進化！ (2022.08.26)
近年來，半導體先進製程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智慧、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智慧城市到國防航太等領域都可以應用大量晶片記錄海量數據 |
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使用深度學習進行地下電纜系統預測性維護 (2022.05.25)
本文敘述如何使用深度學習來進行地下電纜系統的預測性維護。利用深度學習模型能夠接近即時地執行分類，讓現場的技術人員可以在擷取到資料後立即看到結果，並且在必要時重新執行測試 |
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新一代單片式整合氮化鎵晶片 (2022.05.05)
氮化鎵或氮化鋁鎵（AlGaN）的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場，結合HEMT的電晶體結構，就能打造新一代的元件與晶片。 |
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「2021電源管理與電力設計研討會」特別報導 (2021.10.27)
愛德克斯：高整合電驅系統當道 電機與電池模擬測試是關鍵
電動車產業正如火如荼的發展，包含台灣在內，各國政府也透過法令與補貼政策，全力推動電動車市場的成形 |
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英飛凌新款650V EiceDRIVER整合靴帶二極體 支援更快切換 (2021.03.26)
英飛凌科技宣布擴展旗下EiceDRIVER產品組合，推出全新650V半橋式與高低側閘極驅動器，採用公司獨特的絕緣層上矽(SOI)技術，提供市場最先進的負VS瞬態電壓抗擾性與真正靴帶二極體的單片整合，因此有助於降低BOM，並在精簡的外型尺寸以MOSFET與IGBT打造更強固的設計 |
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英飛凌推出1200V電平轉換三相SOI 實現強固的工業嵌入式應用 (2020.12.04)
英飛凌科技宣布擴展其電平轉換EiceDRIVER產品系列，推出1200V三相閘極驅動器產品，採用公司獨特的絕緣層上矽(SOI)技術，提供優異的瞬態負壓VS抗擾性、閂鎖效應防護、快速過電流保護，以及真正的整合式靴帶式二極體，因此能有助於降低BOM，為工業馬達及嵌入式變頻器應用，實現更精簡的尺寸及更強固的設計 |
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USB Type-C線纜熱保護的五大設計要項 (2020.12.04)
設計人員面臨如何在USB Type-C連接器的有限空間內實現熱保護的挑戰。因此，本文說明USB Type-C線纜熱保護的五個設計注意事項。 |
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打造更美好的人工智慧晶片 (2020.11.13)
由於7奈米及更先進製程愈趨複雜昂貴，正採用不同方法來提高效能，亦即降低工作電壓並使用新IP區塊來強化12奈米節點，而這些改變對於AI加速器特別有效。 |
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儀科中心攜手天虹科技 打造12吋叢集式原子層沉積ALD設備 (2020.09.08)
國家實驗研究院台灣儀器科技研究中心（國研院儀科中心）表示，台灣半導體產業是政府六大核心戰略產業發展重點之一。日前國研院與台灣半導體設備供應商天虹科技股份有限公司合作 |
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遵循DO-254標準與流程 及重大/輕微變更的分類概述 (2020.08.12)
半導體特殊應用積體電路(ASIC)及標準產品都面臨生產停產問題，正因如此，需要製造出外形、尺寸與功能都等效的器件。 |
