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意法半導體推出新系列射頻功率電晶體 (2011.10.06) 意法半導體(STMicroelectronics)今(5)日發表,推出新系列射頻(RF)功率電晶體。新系列產品採用先進技術,為政府通訊、用於緊急救援的專用行動無線電系統(private mobile radio,PMR)以及L波段衛星上連(L-band satellite uplink)設備等要求苛刻的重要應用領域提高無線通訊系統的性能、穩健性及可靠性 |
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Freescale推出新款射頻LDMOS功率電晶體 (2010.05.27) 飛思卡爾(Freescale)日前推出一款射頻(RF)LDMOS功率電晶體,操作範圍為1.8至600 MHz,同時針對會產生潛在破壞性阻抗失配(impedance mismatch)狀況的應用(如二氧化碳雷射、電漿產生器和核磁共振造影(MRI)掃描器),已進行最佳化,使其可用於這些應用 |
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NXP針對L波段雷達應用推出RF功率電晶體 (2008.11.24) 恩智浦半導體(NXP Semiconductors)擴張其RF Power 電晶體產品線,推出最新針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,以下簡稱LDMOS)電晶體,該電晶體在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間提供高達500W的突破性的RF輸出功率 |
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美國快捷半導體宣佈與Silicon Wireless進行技術結盟 (2001.03.01) Fairchild Semiconductor宣佈與北卡羅來納州的Silicon Wireless合作,注資成立新技術結盟關係。新合作計劃有助美國快捷與Silicon Wireless共同開發製造和營銷RF功率半導體,象徵美國快捷半導體公司拓展另一新商機 |