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意法半导体推出新系列射频功率晶体管 (2011.10.06)
意法半导体（STMicroelectronics）今（5）日发表，推出新系列射频（RF）功率晶体管。新系列产品采用先进技术，为政府通讯、用于紧急救援的专用行动无线电系统（private mobile radio，PMR）以及L波段卫星上连（L-band satellite uplink）设备等要求苛刻的重要应用领域提高无线通信系统的性能、稳健性及可靠性 |
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Freescale推出新款射频LDMOS功率晶体管 (2010.05.27)
飞思卡尔（Freescale）日前推出一款射频（RF）LDMOS功率晶体管，操作范围为1.8至600 MHz，同时针对会产生潜在破坏性阻抗失配（impedance mismatch）状况的应用(如二氧化碳雷射、电浆产生器和核磁共振造影（MRI）扫描仪)，已进行优化，使其可用于这些应用 |
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NXP针对L波段雷达应用推出RF功率晶体管 (2008.11.24)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）扩张其RF Power 晶体管产品线，推出最新针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下简称LDMOS)晶体管，该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间提供高达500W的突破性的RF输出功率 |
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美国快捷半导体宣布与Silicon Wireless进行技术结盟 (2001.03.01)
Fairchild Semiconductor宣布与北卡罗来纳州的Silicon Wireless合作，注资成立新技术结盟关系。新合作计划有助美国快捷与Silicon Wireless共同开发制造和营销RF功率半导体，象征美国快捷半导体公司拓展另一新商机 |
