 |
意法半導體RF電晶體高電壓新技術 實現高可靠度E級工業電源 (2014.11.05)
意法半導體600W－250V 的13.6MHz RF功率電晶體STAC250V2-500E擁有先進的穩定性和高功率密度。採用熱效率（thermally efficient）極高的微型封裝，可用於高輸出功率的Ｅ級工業電源 |
|
意法加強在射頻功率的市場佔有率，推新款防潮射頻功率產品 (2013.12.20)
意法半導體推出兩款新的防潮射頻（radio-frequency，RF）功率電晶體，藉此提升目標應用在高潮濕環境內的可靠性和耐用性。
這兩款50V RF DMOS元件的封裝內被填充凝膠，以防止裸片發生電遷移現象，例如銀枝晶（silver dendrite）遷移 |
|
美高森美750W GaN on SiC RF功率電晶體 為航空提供無與倫比的高功率性能 (2013.10.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新型750W RF電晶體，擴展其基於碳化矽(silicon carbide, SiC)襯底氮化鎵(gallium nitride, GaN)高電子移動率電晶體(high electron mobility transistor, HEMT)技術的射頻(radio frequency, RF)功率電晶體系列之陣容 |
 |
ST新系列射頻功率晶片 應用於行動無線電系統 (2011.10.09)
意法半導體（ST）日前推出新系列射頻（RF）功率電晶體。新系列產品為政府通訊、用於緊急救援的專用行動無線電系統（private mobile radio，PMR），以及L波段衛星上連（L-band satellite uplink）設備等應用領域提高無線通訊系統的性能 |
|
意法半導體推出新系列射頻功率電晶體 (2011.10.06)
意法半導體（STMicroelectronics）今（5）日發表，推出新系列射頻（RF）功率電晶體。新系列產品採用先進技術，為政府通訊、用於緊急救援的專用行動無線電系統（private mobile radio，PMR）以及L波段衛星上連（L-band satellite uplink）設備等要求苛刻的重要應用領域提高無線通訊系統的性能、穩健性及可靠性 |
|
Freescale推出新款射頻LDMOS功率電晶體 (2010.05.27)
飛思卡爾（Freescale）日前推出一款射頻（RF）LDMOS功率電晶體，操作範圍為1.8至600 MHz，同時針對會產生潛在破壞性阻抗失配（impedance mismatch）狀況的應用(如二氧化碳雷射、電漿產生器和核磁共振造影（MRI）掃描器)，已進行最佳化，使其可用於這些應用 |
|
NXP針對L波段雷達應用推出RF功率電晶體 (2008.11.24)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）擴張其RF Power 電晶體產品線，推出最新針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱LDMOS)電晶體，該電晶體在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間提供高達500W的突破性的RF輸出功率 |
|
Freescale RF功率電晶體符合廣播業界需求 (2005.04.20)
在能源價格不斷提昇的情形下，廣播業界極需一套創新的方法來縮減電力和營運費用。飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)預見了這樣的市場需求，並且推出了一款高效率的RF功率電晶體 |
|
飛利浦採用安捷倫ADS設計自動化軟體來開發RF ICS (2000.10.11)
飛利浦半導體日前宣佈採用先進QUBiC3 BiCMOS製程的RF IC開發時間已經大幅縮短，主要是採用了安捷倫公司的先進設計系統（ADS, Advanced Design System）設計自動化軟體，這些RF IC的目標應用包括GSM EDGE與W-CDMA，兩者都是第三代行動電話的前導技術，以及使用2.4GHz ISM頻帶的應用，如藍芽(Bluetooth)技術等，藉由大幅提昇RF線路的摸擬速度與摸擬品質 |
