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意法半导体RF晶体管高电压新技术 实现高可靠度E级工业电源 (2014.11.05)
意法半导体600W－250V 的13.6MHz RF功率晶体管STAC250V2-500E拥有先进的稳定性和高功率密度。采用热效率（thermally efficient）极高的微型封装，可用于高输出功率的Ｅ级工业电源 |
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意法加强在射频功率的市场占有率，推新款防潮射频功率产品 (2013.12.20)
意法半导体推出两款新的防潮射频（radio-frequency，RF）功率晶体管，藉此提升目标应用在高潮湿环境内的可靠性和耐用性。
这两款50V RF DMOS组件的封装内被填充凝胶，以防止裸片发生电迁移现象，例如银枝晶（silver dendrite）迁移 |
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美高森美750W GaN on SiC RF功率晶体管 为航空提供无与伦比的高功率性能 (2013.10.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新型750W RF晶体管，扩展其基于碳化硅(silicon carbide, SiC)衬底氮化镓(gallium nitride, GaN)高电子移动率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)技术的射频(radio frequency, RF)功率晶体管系列之阵容 |
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ST新系列射频功率芯片 应用于行动无线电系统 (2011.10.09)
意法半导体（ST）日前推出新系列射频（RF）功率晶体管。新系列产品为政府通讯、用于紧急救援的专用行动无线电系统（private mobile radio，PMR），以及L波段卫星上连（L-band satellite uplink）设备等应用领域提高无线通信系统的性能 |
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意法半导体推出新系列射频功率晶体管 (2011.10.06)
意法半导体（STMicroelectronics）今（5）日发表，推出新系列射频（RF）功率晶体管。新系列产品采用先进技术，为政府通讯、用于紧急救援的专用行动无线电系统（private mobile radio，PMR）以及L波段卫星上连（L-band satellite uplink）设备等要求苛刻的重要应用领域提高无线通信系统的性能、稳健性及可靠性 |
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Freescale推出新款射频LDMOS功率晶体管 (2010.05.27)
飞思卡尔（Freescale）日前推出一款射频（RF）LDMOS功率晶体管，操作范围为1.8至600 MHz，同时针对会产生潜在破坏性阻抗失配（impedance mismatch）状况的应用(如二氧化碳雷射、电浆产生器和核磁共振造影（MRI）扫描仪)，已进行优化，使其可用于这些应用 |
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NXP针对L波段雷达应用推出RF功率晶体管 (2008.11.24)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）扩张其RF Power 晶体管产品线，推出最新针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下简称LDMOS)晶体管，该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间提供高达500W的突破性的RF输出功率 |
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Freescale RF功率晶体管符合广播业界需求 (2005.04.20)
在能源价格不断提升的情形下，广播业界极需一套创新的方法来缩减电力和营运费用。飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)预见了这样的市场需求，并且推出了一款高效率的RF功率晶体管 |
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飞利浦采用安捷伦ADS设计自动化软体来开发RF ICS (2000.10.11)
飞利浦半导体日前宣布采用先进QUBiC3 BiCMOS制程的RF IC开发时间已经大幅缩短，主要是采用了安捷伦公司的先进设计系统（ADS, Advanced Design System）设计自动化软体，这些RF IC的目标应用包括GSM EDGE与W -CDMA，两者都是第三代行动电话的前导技术，以及使用2.4GHz ISM频带的应用，如蓝芽(Bluetooth)技术等，藉由大幅提升RF线路的摸拟速度与摸拟品质 |
