CTIMES - Vishay

Vishay新型薄膜扁平晶片電阻問世 (2005.12.06)
Vishay Intertechnology, Inc.推出採用 0402、0603、0805及1206封裝且電阻值分別為221kΩ、511kΩ、1.5MΩ及 2.0MΩ的器件，從而擴展了其Vishay Beyschlag薄膜扁平晶片電阻系列

Vishay推出17款新型功率MOSFET (2005.12.01)
Vishay推出17款新型功率MOSFET，這些器件採用小型PowerPAK 1212-8封裝，並且具有低至3.7mΩ的超低導通電阻值。這些TrenchFET第二代器件實現了巨大的空間節約，它們的尺寸僅為3.3毫米×3.3毫米×1毫米，僅是SO-8封裝的1/3，並且它們還具有不足2°C/W的低熱阻，這一熱阻值比SO-8器件低8倍

Vishay推出新型TR3系列模塑鉭電容器晶片 (2005.11.18)
Vishay Intertechnology,Inc.宣佈推出新型TR3系列模塑鉭電容器晶片。憑藉低至0.035Ω的ESR以及最大為2.07A(100kHz、470µF)的紋波電流，這些電容器可提供高效率。低ESR值在直流到直流轉換應用中可實現更高效的濾波，而這些器件處理高電流的能力在微處理器大型能量存儲應用中非常關鍵

Vishay推出新型表面貼裝晶片式電阻衰減器 (2005.10.24)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出新型表面貼裝晶片式電阻衰減器，這些器件可替代三個或更多分立元件，從而降低板面空間要求以及簡化更小、更輕的電子系統的製造。新型Vishay Dale CZA04S與CZA06S主要面向電信及移動無線產品中的射頻信號衰減應用

Vishay推出六款新型雙SPDT及雙SPST模擬開關系列 (2005.10.21)
Vishay Intertechnology,Inc.日前宣佈推出面向音頻、視頻及資料流程應用的新型雙SPDT及雙SPST模擬開關系列。這六款新型開關的電壓範圍介於1.8V～5.5V，它們採用小型MICRO FOOT封裝且具有低導通電阻及高帶寬，這些器件主要面向終端產品，包括手機、PDA、媒體播放器及筆記本電腦

Vishay新型電阻為體積最小之器件 (2005.10.20)
Vishay Intertechnology,Inc.宣佈推出一款新型0.1W表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻具有15mΩ～100mΩ的電阻值範圍、僅為1%的容差以及±75 ppm/°C的低RTC值，是該行業同類產品中體積最小的器件

Vishay新型電感器問世 (2005.10.04)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出一款新型電感器，從而擴展了其IHLP超薄高電流電感器系列。該器件採用面積為0.402英寸×0.402英寸(10.2毫米×10.2毫米)、高度為0.157英寸(4.0毫米)的超薄封裝，並且具有最低的DCR/µH

VISHAY新型過零光敏可控矽器件能脫機控制交流電壓 (2005.09.29)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出兩款1.5kV/µs dV/dt過零光敏可控矽器件VO3062及VO3063，這兩款器件可將低壓邏輯器件與高達380V的交流電壓隔離開來。這兩款光敏可控矽器件帶有可與單塊光敏過零Triac（三端雙向可控矽開關元件）檢測器晶片進行光耦合的GaAs紅外LED

Vishay新型“SM”版本FunctionPAK器件支持原型設計 (2005.09.07)
Vishay Intertechnology,Inc.宣佈，該公司正在使其所有FunctionPAK直流到直流轉換器和電流控制模組可配置新型表面貼裝適配器板以支持原型設計裝配。儘管大多數生產運營機構可處理標準unctionPAK表面貼裝BGA配置，但新型“SM”版本的FunctionPAK器件將使設計實驗室過去難以在原型裝配實驗室處理BGA裝配流程而今不再有困難

Vishay推出兩款白色LED驅動器 (2005.07.08)
Vishay宣佈推出兩款白色LED驅動器，在小型掌上型及電池供電電子設備的運行過程中，這兩款器件可提供高達80%效率。新型SiP12401升壓控制器和SiP12501升壓轉換器經過優化，可在手機和數碼相機等可擕式電子設備中的LCD顯示幕白色LED背光等應用中提供高效的可控亮度

Vishay擴展厚膜功率電阻系列 (2005.06.27)
Vishay推出採用業界標準的TO220和TO247封裝的30W、50W及100W器件，從而擴展了其厚膜功率電阻系列。這些電阻採用可直接安裝在散熱片上的陶瓷封裝設計（無金屬片），並且具有不足0.1µH的超低電感，因此非常適用於各種行業中的功率轉換及控制應用

Vishay推出四款高性能PIN光電二極體 (2005.06.20)
Vishay宣佈推出四款高性能PIN光電二極體，這些器件採用面積為 4.24毫米×5.0毫米、高度為1.12毫米的最新微型表面貼裝封裝，並且具有一流的靈敏度。成功的VishaySemiconductors TEMD5xxx PIN光電二極體系列中最新添加的這些器件將高速回應和出色的靈敏度完美結合在一起，這些特性是通過可選的日光過濾和7

Vishay新型類比開關實現直接電池運行 (2005.05.26)
Vishay推出一系列可在可擕式應用中實現直接電池運行的新型類比開關。這些新型開關在1.6V～4.3V的整個電壓範圍內具有低導通電阻和低電平邏輯控制，它們主要面向終端產品，包括手機、機頂盒、PDA及媒體播放器

Vishay VSMP1206 Z 箔電阻 (2004.12.16)
Vishay Intertechnology宣佈推出VSMP1206 高精度、表面貼裝的Bulk Metal. Z 箔電阻，具有300mW高額定功率、0.01% 負載壽命穩定性，以及±0.5ppm/°C 低正常TCR 值且採用業界標準表面貼裝封裝的器件

Vishay IHLP表面貼裝電感器系列增添四個新成員 (2004.09.13)
Vishay Intertechnology宣佈厚度較薄的IHLP 表面貼裝電感器系列已增添了四個新成員。目前，該系列電感器的標準電感值範圍介於0.10μH～10.0μH，典型DCR 電感值低至0.47m.，飽和電流的範圍介於15.5A～120A，在頻率至5MHz 範圍內其損耗相當低

VISHAY 新型EMI 濾波器帶有ESD 保護二極體 (2004.08.03)
Vishay Intertechnology 宣佈推出一款新型 ESD 保護陣列，該陣列在專門爲小型應用而優化的無引線 LLP75 封裝中完美集成了 EMI 濾波器。新型 GTF701-HS3-GS08 雙通道 EMI 濾波器面積僅爲 1

Siliconix推出新型降壓／升壓型穩壓器 (2004.07.23)
Vishay Intertechnology子公司Siliconix incorporated宣佈推出一款新型降壓／升壓型穩壓器，該産品爲設計人員提供了一個可從攜帶型電子系統電池中獲得穩定電壓的低成本簡單解決方案

Siliconix推出晶片尺寸級的新型P通道功率MOSFET器件 (2004.05.27)
Vishay Intertechnology公司擁有80.4% 股份的子公司Siliconix incorporated宣佈推出晶片尺寸級的新型P 通道功率MOSFET 器件，該種底面積不足3 平方毫米的器件均可提供業界最低的導通電阻

Vishay推出功率MOSFET器件－Si4368DY及Si7668DP (2004.05.11)
Vishay Intertechnology控股80.4%的子公司，Siliconix Incorporated宣佈推出首批兩款功率MOSFET 器件。採用了WFET. 技術使産品的Qgd 值極低，而同時採用了TrenchFET.Gen II 技術使産品具有很低的rDS(on)值

Vishay推出新型矽晶RF電容器系列 (2004.04.29)
Vishay日前宣佈推出0201 封裝底面尺寸的新型矽晶RF電容器系列，該器件將有助於設計人員減少無線通信?品的尺寸並提高其性能。基於Vishay 專有半導體工藝的新型HPC0201A 矽晶電容器提供了低寄生電感和較嚴的公差，同時以高頻率實現了更高性能、更高精度的運行