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CTIMES / Vishay
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
Vishay推出新型汽車精密薄膜晶片電阻陣 (2008.05.16)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜晶片電阻陣列,該器件已透過AEC-Q200測試,並具有1000V額定電壓的ESD穩定性。該器件經優化可滿足汽車行業對溫度和濕度的新要求,同時可為工業、電信及消費電子提供較高的重複性和穩定的性能
Vishay推新型TR8系列模塑MicroTan鉭晶片電容 (2008.05.15)
Vishay宣佈推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭晶片電容,採用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR(在100 kHz和47 µF條件下),而採用0603封裝的具有業內最低的1.5Ω ESR值。 由於具有超低ESR值,加上小型0603和0805封裝,該產品可提高在音頻過濾和信號處理應用中的效率,並且只需佔用較小的PCB板面空間
Vishay推出超高精度Z箔表面貼裝倒裝晶片分壓器 (2008.05.15)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出新型VFCD1505表面貼裝倒裝晶片分壓器。當溫度范圍在0°C至+60°C以及-55°C至+125°C(參考溫度為+25°C)時,該分壓器分別具有±0.05ppm/°C和±0.2 ppm/°C的超低絕對TCR、在額定功率時 ±5ppm的出色PCR跟蹤(自身散熱產生的RΔ)及±0.005%的負載壽命穩定度
Vishay推新高頻、低電荷注入類比多工器與開關 (2008.05.13)
Vishay推出八款面向高精度儀錶應用的新型高頻、低電荷注入類比多工器與開關。這些產品還是同類器件中首批除標準TSSOP與SOIC封裝外還提供採用1.8mm×2.6mm無引線微型QFN封裝的器件
Vishay推出新款高亮度黃色和紅色SMD LED (2008.05.12)
為滿足日益增長的對AlInGaP技術的需求,Vishay宣佈推出兩種新系列的、採用倒立鷗翼式封裝的黃色和紅色SMD LED,這兩種系列的SMD LED具有高發光強度和低功耗的特點。 由於具有超薄的1.9毫米外形,Vishay的新型VLRE31..和VLRK31..系列的SMD LED採用自頂向下安裝方式,並透過PCB發光
Vishay新款紅外發射器 擴大其光電子產品組合 (2008.05.02)
Vishay推出其首款寬視角、採用引腳封裝的紅外發射器,從而擴大了其光電子產品組合。通過其獨特設計的鏡頭,TSFF5510具有±38º視角,與標準的5 mm發射器相比,可提供更優異的性能
Vishay的電點火器晶片電阻器榮獲EDN創新獎 (2008.04.29)
Vishay宣佈,在4月14日加利福尼亞州聖荷西舉辦的宴會和頒獎典禮上,其電點火器晶片電阻器(EPIC)榮獲無源元器件和互聯欄目的EDN創新獎。 EDN雜誌創新獎設立於1990年,旨在表彰上一年度對半導體產業產生重大影響的人物、產品及技術
Vishay推出新型VEMT系列矽NPN光電電晶體 (2008.04.13)
Vishay推出採用可與無鉛(Pb)焊接相容的PLCC-2表面貼裝封裝的新系列寬角光電電晶體。VEMT系列中的器件可作為當前TEMT系列光電電晶體的針腳對針腳及功能等同的器件,從而可實現快速輕鬆的替代,以滿足無鉛(Pb)焊接要求
Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET (2008.04.10)
日前,為滿足對可攜式設備中更小元件的需求,Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET,該元件採用MICRO FOOT晶片級封裝,具有此類元件中最薄厚度及最低導通電阻。 Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度,以及1.5mm×1mm的占位面積
Vishay推出新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體 (2008.03.17)
Vishay宣佈推出採用業界標準Int-A-Pak封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)。該系列由八個600V及1200V器件組成,這些器件採用多種技術,可在標準及超快速度下實現高開關工作頻率
Vishay推出新型暖白色功率SMD LED (2008.03.13)
Vishay Intertechnology, Inc.推出採用InGan技術且具有低電阻及高光功率的兩個新系列暖白色SMD LED。VLMW611..系列採用CLCC-6封裝,而VLMW621..系列採用具有0.9mm業界超薄濃度的CLCC-6扁平封裝
Vishay推出新型鉑SMD倒裝片溫度感測器 (2008.03.11)
Vishay宣佈推出具有三種標準晶片尺寸—0603、0805及1206—且採用先進薄膜技術的新型鉑SMD倒裝片溫度感測器。這些器件具有≤5s(空中)的較短反應時間以及-55°C~+155ºC的溫度範圍
Vishay推出新型高可靠性濃膜電阻 (2008.03.10)
日前Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出一款新型濃膜電阻,該電阻將超低的電阻值與面向電流感應應用的小容差及低TCR進行完美結合。 為在直流到直流轉換器、電源、電動機電路、計算機及手機中的電流感應及分流應用提供高穩定性,Vishay的CRCW....-EL濃膜功率電阻具有10mΩ~100mΩ的超低電阻範圍,容差僅為±1%及±5%
Vishay新型控制器IC 針對中間匯流排轉換器應用 (2008.03.02)
Vishay推出針對中間匯流排轉換器(IBC)應用的兩款新型控制器IC,這兩款器件是率先將高壓(75V)半橋 MOSFET驅動器與1.6A峰值電流驅動功能以及各種電流監控功能整合在一起的單晶片器件
Vishay推出具高額定功率Power Metal Strip電阻 (2008.02.29)
Vishay宣佈推出以小型0603封裝具有0.20 W高額定功率的首款Power Metal Strip電阻。WSL0603…18的功率是標準WSL0603型器件的兩倍,該產品是一種小型表面貼裝電阻,主要面向直流到直流轉換器、電源/鋰離子電池管理系統以及電腦與電信系統的VRM中的高功率、電流感應應用
Vishay推出免版稅Courier-115協定軟體 (2008.02.28)
Vishay推出的Courier-115再次擴展了其光電子產品系列,該產品是一種針對TI MSP430微控制器平台設備的免版稅無線協定軟體。 Courier-115針對資料記錄儀、個人生物計及工業計量市場,其為支持高達115 kbit/s數據速率的簡單、快速的無線通信提供了基礎
Vishay推出二款高性能Power Metal Strip電阻 (2008.02.14)
Vishay宣佈推出兩款高性能表面貼裝Power Metal Strip電阻,這兩款電阻是率先採用3921及5931封裝尺寸且工作溫度範圍介於–65°C~+275°C的此類器件。 新型WSLT3921及WSLT5931器件的
Vishay推出新型四、六、八通道EMI滤波器 (2008.02.12)
Vishay宣佈推出採用超緊湊型LLPXX13無鉛封裝的六款新型四通道、六通道及八通道EMI濾波器。憑藉0.6毫米的超薄厚度,新型VEMI濾波器系列可在面向移動計算、移動通信、消費類、工業及醫療應用的可擕式電子設備中節省板面空間,以及提供ESD保護
Vishay推出小型超高精度Z202系列Z箔電阻 (2008.02.12)
Vishay宣佈推出小型超高精度Z202系列Z箔電阻,當溫度範圍在0°C至+60°C時,該電阻具有±0.05 ppm/°C的典型TCR、±5 ppm的PCR(自身散熱產生的∆R)(額定功率下)、±0.01%的容差和±0.01%的負載壽命穩定性,在5Ω至30kΩ的標準阻抗範圍內的任何容差下,可調整為任一特定值
Vishay推出具有金屬陶瓷元件的功率面板電位計 (2008.02.04)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出業界首款具有金屬陶瓷元件的功率面板電位計,溫度在50°C時其額定功率為6W。PE60採用美國及歐盟套管螺紋和完全密封式封裝,主要面向飛機駕駛艙、卡車與農耕機、HVAC系統、電焊機、加工設備、農場與采礦設備及防水設備等終端產品中的工業和航空控制面板及重型控制應用

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1 貿澤與Vishay合作新版電子書 探索新一代工業4.0啟用技術
2 Vishay新型30 V和 500 V至 600 V額定電容器擴展上市

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