CTIMES - Vishay

Vishay推出面向加熱應用的PTC熱敏電阻 (2007.10.29)
Vishay宣佈推出面向加熱應用的新系列自調節 PTC（正溫度係數）熱敏電阻。這些直接加熱的PTCHP系列器件已進行了優化，可用作熱致動器、殺蟲劑與香水噴霧器及小型保溫板等家電中的加熱元件

Vishay推新型DSMZ超高精度Z箔表面貼裝分壓器 (2007.10.23)
Vishay宣佈推出新型DSMZ超高精度Z箔表面貼裝分壓器，該器件在0°C～+60°C範圍內的TCR低至±0.05ppm/°C，在 −55°C～+125°C範圍內低至±0.2ppm/°C，在額定功率時具有5ppm的PCR跟蹤（“R，由於自加熱”），並且具有±0.01%的匹配容差，以及±0.005%的負載壽命穩定性

Vishay將光耦合器的溫度範圍擴展到+110ºC (2007.10.15)
Vishay Intertechnology宣佈推出採用長形超薄4引腳及5引腳表面貼裝SOP-6微型扁平封裝的光耦合器，這些封裝具有-40ºC～+110ºC的更廣泛的新溫度範圍。TCLT系列光耦合器提供了更大封裝時更高的隔離電壓，同時也為設計人員提供了板面空間節約

Vishay推出新系列P通道MOSFET (2007.10.11)
Vishay推出新系列P通道MOSFET，這些元件建立了每單位面積最低導通電阻的新記錄。基於新一代TrenchFET晶片技術的新型Vishay Siliconix元件採用PowerPAK SC-70封裝（2.05 mm×2.05 mm）時最大導通電阻額定值為29毫歐，採用標準SC-70封裝（2.0 mm ×2.1 mm）時為80毫歐，採用SC-89封裝（1.6 mm×1.6 mm）時為130毫歐

Vishay推出新型低阻抗、雙電源供電類比開關 (2007.09.28)
Vishay推出五種新型低阻抗、高壓類比開關，接通電阻低至10Ω，可應用於音頻、視頻和資料交換等場合。新器件包括雙電源供電單極/單擲(SPST)DG467、DG468、DG447和DG448以及單極/雙擲(SPDT)DG449

Vishay將SOIC-8光耦合器絕緣能力擴展到4000V (2007.09.26)
日前，為不斷拓寬大多數小型光耦合器的目標應用，Vishay宣佈其所有採用SOIC-8封裝的光耦合器均已進行了升級，可提供4000V絕緣電壓及6000V額定脈衝電壓（VIOTM）。為滿足對高密度應用中更高額定值絕緣元件的不斷增長的需求，Vishay提供了眾多採用SOIC-8封裝的光耦合器

Vishay推出新型SMNZ超高精度Z箔四電阻網路 (2007.09.20)
Vishay宣佈推出新型SMNZ超高精度Z箔四電阻網路，該器件在0°C～+60°C時具有±0.05ppm/°C的低絕對TCR，在額定功率時具有5ppm的出色PCR跟蹤∆（“R，由於自加熱”），並且具有0.01%的匹配容差以及0.005%的負載壽命比穩定性，並且通過Vishay的快速通道原型服務（Fastlane Prototype Service）可快速供貨

Vishay推出高吞吐量及低導通電阻之固體繼電器 (2007.09.06)
Vishay Intertechnology宣佈推出一款新型1 Form A固體繼電器，該器件可為設計人員提供面向各種測試與測量及工業應用的快速開關速度及低導通電阻。 VO14642AT具有可在測試設備中提供更高吞吐量的800µs快速典型開關速度，以及0.25Ω的低導通電阻，該電阻允許在需要低功耗及低散熱的應用中使用多個繼電器

Vishay推出首款採用CLCC6陶瓷封裝的SMD LED (2007.08.27)
Vishay推出業界首個採用CLCC6陶瓷封裝的高強度黃光、淡黃色光及白光功率SMD LED系列。VLMx61系統為熱敏感型應用提供了極低的熱阻及高光強度。 VLMK61、VLMY61及VLMW61器件的CLCC6陶瓷封裝可實現能夠產生最大光輸出的額外電流驅動，同時保持了長達50,000小時的運行壽命

Vishay的MOSFET幫助設計人員簡化電源管理電路 (2007.08.16)
Vishay宣佈推出業界首批在1.2V柵源電壓時具有額定導通電阻值的功率MOSFET，這一進步將幫助設計人員簡化電源管理電路，同時延長可擕式電子系統中的電池運行時間。額定電壓為1.2V的這些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET導通電壓與移動電子設備中使用的數位IC的1.2V～1.3V工作電壓保持一致，從而可實現更安全、更可靠的設計

Vishay新型PowerPAK ChipFET元件問世 (2007.07.17)
為滿足對高熱效功率半導體不斷增長的需求，Vishay宣佈推出七款採用新型PowerPAK ChipFET封裝的p通道功率MOSFET，該封裝可提供高級熱性能，其占位元面積僅為3mm×1.8mm。這些新型PowerPAK ChipFET元件的熱阻值低75%，占位面積小33%，厚度（0.8 毫米）薄23%，它們成為採用TSOP-6封裝的MOSFET的小型替代產品

Vishay推出新型T97系列固體鉭電容器晶片 (2007.06.25)
Vishay宣佈推出新型TANTAMOUNT Hi-Rel COTS T97系列固體鉭電容器晶片，這些電容器可提供高可靠性篩選及浪湧電流測試選擇，並且具有極低的ESR值。這些新型T97電容器採用雙陽極結構，以確保在同類器件中ESR值最低，這些元件主要面向安全性至關重要的應用，例如軍事、航太及醫療行業中的應用

Vishay推出新型RFWaves多信道2.4GHz收發器IC (2007.06.18)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出新型2.4GHz ISM收發器IC RFW-NC。尤其面向對成本高度敏感的RF應用的該器件具有低功耗特點，且可快速輕鬆地整合到終端產品中。RFW-NC的其它功能包括高達1Mbps的數據速率、2.5V～3.6V的寬泛電壓範圍，以及5mm x 5mm的精小外形

Vishay推出sapphire系列高強度籃光SMD LED (2007.06.14)
Vishay Intertechnology宣佈推出基於藍寶石（sapphire）的新系列高強度藍光SMD LED，這些器件以低於標準InGaN藍光LED的價格提供了高效的InGaN技術。VLMB41XX 系列中的六款新型SMD LED為眾多應用提供了低成本照明，其中包括汽車儀錶板及開關中的背光；電信系統、音視頻設備及辦公設備中的指示燈與背光；LCD、開關及通用標誌的平面背光

Vishay推出白光LED應用新型電流模式升壓轉換器 (2007.06.01)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出專為白光LED應用而優化的兩款新型1.25MHz電流模式升壓轉換器。新型SiP12510與SiP12511器件具有2.5V～6.0V的輸入電壓範圍，SiP12510的輸出電壓最高為17V，SiP12511的最高為28V

Vishay推出獲AEC Q101標準認證穿透式光感測器 (2007.05.31)
Vishay Intertechnology, Inc.推出業界首款獲得AEC Q101標準認證的穿透式（斷續）光感測器，從而擴展了其光電子產品系列。AEC Q101標準是針對汽車電子協會發佈的分立半導體的可靠性測試認證程式

Vishay推出新型雙向非同步單線路ESD保護二極體 (2007.05.21)
Vishay宣佈推出新型雙向非同步（BiAs）單線路ESD保護二極體，該器件採用超小型SOD923封裝且具有極低的電容。憑藉0.6毫米×1.0毫米的占位面積以及0.4毫米的超薄厚度，VCUT0714A-02Z可在面向移動計算、移動通信、消費類、工業、汽車及醫療應用的電子設備中減小實現ESD保護所需的板面空間

Vishay ESD保護陣列採超小型無鉛LLP1713封裝 (2007.03.30)
Vishay宣佈推出首款在超小型無鉛LLP1713封裝中整合了八個二極體的ESD保護陣列。憑藉0.55mm的超薄厚度，VESD05A8A-HNH在提供ESD保護的同時可節省面向移動計算、移動通信、消費類、工業、汽車及醫療應用的可擕式電子設備中的板面空間

Vishay表面貼裝Power Metal Strip電阻上市 (2007.01.29)
Vishay Intertechnology,Inc.推出一款表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻在2000小時的工作負載中最大電阻變化僅為0.5%，因此可實現更高的電阻穩定性。通過比較，典型電流感應電阻在1000小時工作負載中，電阻穩定性≥1%

Vishay推出三款多信道EMI濾波器陣列 (2007.01.26)
Vishay宣佈推出三款採用超小型LLP無鉛封裝的新型四信道、六信道及八信道EMI濾波器。憑借0.6毫米的超薄濃度及0.4毫米的引腳間距，這些新型VEMI濾波器陣列可節省板級空間，並可在用於移動計算、移動通信、消費類、工業、汽車及醫療應用的便攜式電子設備中提供ESD保護