CTIMES - 基礎電子-半導體

＜COMPUTEX＞滿足各種需求ARM囊括高低階市場 (2012.06.08)
在今年Computex中，Windows 8仍然是一大熱門話題，各家廠商紛紛展出Windows 8的各項產品，這也讓Intel和ARM兩家公司競爭更加白熱化。儘管長期以來，兩家公司的主要市場並不相同，但是在後PC時代中，產品定位界限越來越模糊之下，Intel和ARM開始計於各自主要市場

＜COMPUTEX＞SSD進19奈米 SF處理器是王道 (2012.06.05)
隨著快閃記憶體的尺寸不斷縮小，引進最先進的錯誤校正功能已成當務之急。由於獨立單元已很難維持一定的荷質比(specific charge)，往往導致降低快閃記憶體元件的可靠性、資料完整性和資料保全特性

智慧BOM表工具與搜索加速器讓零件管理變得很簡單 (2012.06.05)
物料清單（Bill Of Material；BOM），是產品構成的很簡單原物料與零組件清單，它反映了產品由原料到半成品、再到成品的整體加工與裝配過程，其中不僅包含產品的生產流程

＜COMPUTEX＞ARM：多核心是趨勢 (2012.06.04)
行動裝置的發展越來越迅速，過去行動電話費時逾十年的時間在美國達到10%的市占率，這樣的市占率在智慧型手機市場短短七年就已達成，平板電腦更是在不到兩年的時間就達到同樣的市佔率

雙雄稱霸 LG、三星獨佔面板市場 (2012.06.01)
平板裝置的熱銷，帶動中小尺寸面板市場的成長。拜蘋果和亞馬遜平板熱銷全球所賜，顯示器製造商LG Display和電子在2011年成為前兩大面板製造商。其中，根據IHS iSuppli報告指出，在去年全球平板裝置面板出貨量8130萬片中，LG市佔率達46%，穩站龍頭寶座，三星則以35%的是佔率緊追在後

凌力爾特同步降壓DC/ DC轉換器 (2012.05.30)
凌力爾特(Linear)日前發表2.5A、42V輸入同步降壓切換穩壓器 LT8610。其同步整流提供高達96％的效率，Burst Mode操作則可在無負載待機狀態下保持低於2.5µA的靜態電流。 LT8610的3.4V至42V輸入電壓範圍使其成為汽車和工業應用的理想選擇

英特爾投資籌設全球大學研究中心網路 (2012.05.28)
英特爾宣布在未來5年將投資超過4000萬美元，建立名為英特爾合作研究機構（Intel Collaborative Research Institutes；ICRI）的全球大學研究中心網路。ICRI計畫延續之前在美國成功推動的英特爾科學與技術中心(Intel Science and Technology Centers；ISTC)，並將結合學術界與產業界的專家，協助探索與發明下一代的技術，能夠在未來影響人們的生活

奧地利微電子宣佈全新企業品牌形象「ams」 (2012.05.28)
奧地利微電子日前宣佈「ams」將成為新的企業品牌形象，象徵著高效能類比半導體和一流感測器解決方案將擁有新面貌。新的企業品牌形象「ams」將奧地利微電子品牌及其在2011年收購的全球領先智慧光感測器供應商TAOS (Texas Optoelectronic Solutions, Inc) 品牌整合在一起

ST全新STM32 F0系列微控制器正式量產並推出開發套件 (2012.05.28)
意法半導體（ST）日前宣佈，STM32 F0系列32位元微控制器正式量產。產品設計旨在於縮小高低階8位元及16位元微控制器應用裝置之間的效能差距。意法半導體並推出與新產品搭配的開發套件（Discovery Kit）

ST發揮STM32微控制器系列優勢，進攻低成本應用市場 (2012.05.28)
意法半導體（ST）日前宣佈，將進一步擴大其成功且經市場驗證，總數超過300顆的STM32微控制器產品陣容。全新STM32 F0系列32位元微控制器以超低功耗的 ARM Cortex-M0處理器核心為基礎，整合更高的技術和更多的功能，瞄準超低成本的應用

快捷半導體P通道PowerTrench WL-CSP MOSFET (2012.05.17)
快捷半導體(Fairchild)日前開發出FDZ661PZ和FDZ663P P通道、1.5V專用PowerTrench薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET元件。這些元件採用最新的「微間距」(fine pitch)薄型WL-CSP封裝製程，大大縮小電路板空間和RDS(ON)，同時在微小尺寸的封裝中提供出色的散熱特性

Linear 30MHz 至 1.4GHz寬頻 I/Q 解調器 (2012.05.17)
凌力爾特 (Linear)日前發表超寬頻直接轉換 I/ Q解調器LTC5584，該元件具有31dBm IIP3 及 70dBm IIP2的傑出線性效能，可達到超過530MHz的絕佳解調頻寬，以支援新一代 LTE多模、LTE Advanced接收器和數位預失真接收器

ROHM推出內建絕緣元件的車用閘極驅動器 (2012.05.17)
ROHM研發出內建絕緣元件的閘極驅動器「BM6103FV-C」，適合用來驅動電動車(EV)、油電混合車(HEV)專用變流器所配備的IGBT、功率MOSFET。本產品結合了ROHM獨創的BiCDMOS技術與全新研發的晶片型變壓器技術

Infineon與富士電機針對 HybridPACK 2 功率模組簽訂協議 (2012.05.17)
富士電機和晶片製造商英飛凌(Infineon)共同擴大混合動力車和電動車 (HEV) 內所部署的功率模組之供應。兩家公司共同宣佈將合作推出採用英飛凌 HybridPACK 2 功率模組的車用 IGBT 功率模組

德州儀器推出恆定功率調節 LED 控制器 (2012.05.17)
德州儀器 (TI) 日前推出一款恆定功率調節的最新 LED 控制器。該 LM3447 AC/DC LED 驅動器包含調光檢測 (dimmer detect)、相位解碼器及可調整保持電流電路 (hold current circuit) ，為離線 (offline) 隔離式 LED 照明應用實現無閃爍平穩調光，適用於 A19、E26/27 及 PAR30/38 燈泡和改裝燈具應用

Fox全新緊湊型擴展溫度晶體振盪器 (2012.05.17)
Fox Electronics公司日前推出溫度範圍更寬的3.3 V HCMOS振盪器版本，從而擴大了其XpressO 可配置晶體振盪器產品線。此一新款振盪器是FXO-HC33系列的一部分，採用緊湊的3.2 mm x 2.5 mm封裝，能夠承受-40°C至+85°C溫度，同時提供低至±50 ppm的高穩定度

Fairchild 3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET (2012.05.16)
快捷半導體公司(Fairchild) 日前推出一款25V、3.3x3.3mm2低側高雙功率晶片非對稱N通道模組 FDPC8011S，協助設計人員應付這一系統挑戰。 FDPC8011S專為開關頻率更高的應用而開發，在一個採用全Clip封裝內整合1.4mΩ SyncFETTM 技術和一個5.4mΩ控制MOSFET、低品質因子的N通道MOSFET，有助於減少同步降壓應用中的電容數量，同時縮小電感尺寸

Linear 36VIN, 600mA µModule 降壓穩壓器 (2012.05.15)
Linear日前發表5µA靜態電流DC / DC降壓µModule穩壓器LTM8029，該元件具有非常低的dropout電壓和寬廣輸入和輸出電壓操作範圍。LTM8029可提供高達600mA的能力，透過下列特點之一可延長電池續航力：（1）在待機模式下靜態電流僅5µA，關機時只耗0

Intersil發表新一代40奈米Thunderbolt方案 (2012.05.15)
Intersil日前發表特別為了支援Thunderbolt傳輸線而設計的主動纜線方案。當纜線內的資料速率達到10Gbps以上時，較細纜線的物理性質就會導致嚴重的訊號減損，為了修正訊號減損，纜線兩端的接頭中必須設計複雜的高速收發器IC

Infineon推出採直驅技術的 CoolSiC 1200V SiC JFET 系列產品 (2012.05.15)
英飛凌(Infineon) 日前推出最新 CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，進一步強化英飛凌在 SiC市場的領先地位。此一革命性的全新產品系列展現英飛凌在 SiC 技術研發領域超過十年的經驗，同時擁有高品質、可大量生產的特點