CTIMES - Sram

獨步全球！台灣進入16奈米元件新時代 (2009.12.16)
國科會國家實驗研究院於周二（12/15）宣布，開發出全球第一款16奈米的SRAM（靜態隨機存取記憶體）的單位晶胞新元件，由於可容納電晶體是現行主流45奈米的10倍，可使未來3C設備更輕薄短小，主機板面積大幅縮小、儲存量更大、運算效率更快

Cypress推出65奈米144-Mbit SRAM記憶體 (2009.10.27)
Cypress公司宣布推出單片式(monolithic)SRAM，密度可達144-Mbit，是65奈米 SRAM系列元件的最新成員。此新款144-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+記憶體，採用與晶圓代工夥伴聯華電子聯手開發的65奈米製程技術

瑞薩新款SRAM產品可提供533 MHz運作速度 (2009.07.19)
瑞薩科技發表72-Mbit Quad Data Rate II+（QDR II+）及Double Data Rate II+（DDRII+）高速SRAM系列產品，適用於次世代通訊網路中的高階路由器及交換器，上述SRAM產品可達到業界最高運作速度，並符合QDR Consortium工業標準

Cypress推出首款65奈米製程SRAM (2009.05.05)
Cypress公司4日宣布推出業界首款採用65奈米線寬的Quad Data Rate（QDR）與Double Data Rate（DDR）SRAM元件。此新款72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII、以及DDRII+記憶體，採用與晶圓代工夥伴聯華電子合作開發的製程技術

Cypress三款全新元件，擴大非同步SRAM陣容 (2009.04.02)
Cypress公司1日宣布推出一款低功耗SRAM以及兩款高速非同步SRAM，擴大其產品陣容。此新款64-Mbit MoBL（More Battery Life）SRAM能協助擴充如高階銷售端點管理系統、遊戲應用、VoIP網路電話、掌上型消費性產品、以及醫療設備等裝置中之電池續航力

廣域電壓範圍操作之靜態隨機存取記憶體設計 (2009.02.03)
目前設計低功率SOC系統的主要方式，是以操作速度需求不高的電路以較低VDD來設計，低電壓高效能的記憶體設計將是其中一項主要的挑戰。本設計應用了低電壓操作原理，把靜態隨機存取記憶體操作在0.5V，讓此設計在使用時能夠達到80MHz的最高操作頻率

美國SRAM反壟斷調查結束海力士聲稱無違法 (2008.12.25)
外電消息報導，美國司法部日前宣佈，已結束自2006年10月份開始的SRAM反壟斷法違法行為調查，而所有的結果也已寄交給接受調查的半導體公司。其中海力士即刻發布聲明表示，該公司並未涉及任何的不法

東芝、IBM及AMD合作開發出世界最小的SRAM (2008.12.20)
外電消息報導，東芝、IBM與AMD日前共同宣佈，採用FinFET共同開發了一種靜態隨機記憶體（SRAM），其面積僅為0.128平方微米，是目前世界上最小的SRAM。這項技術是在上週（12/16）在舊金山2008年國際電子元件會議上所公佈的

Cypress整合PSoC與非揮發性SRAM技術 (2008.09.26)
Cypress Semiconductor公司發表業界首款整合非揮發性靜態隨機存取記憶體（non-volatile static random access memory, nvSRAM）與可編程系統單晶片之元件。全新的PSoC NV系列產品結合Cypress旗艦級PSoC架構之彈性化設計功能，以及永續記憶的nvSRAM於單一晶片的封裝中

電池供電SRAM與非揮發性SRAM技術比較 (2008.06.10)
過去三十年來，工程師由於結合電池與靜態RAM，能在刻意與意外斷電情形時，讓系統仍可保護資料。最初業界採用內建低密度記憶體電路的分立式解決方案，及單純的電池技術，搭配分立式電源感測與切換電路

MAXIM新推出DS3605I2C非揮發性SRAM控制器 (2008.01.22)
Maxim推出相容於I2C非揮發性SRAM控制器DS3605，內建竄改檢測，允許用戶指定自己的外部SRAM。當檢測到竄改事件時，DS3605可以快速消除該外部SRAM上的密鑰。DS3605並整合了即時時脈（RTC）、電池備份控制器、系統電源監視器、CPU監控器、溫度感測器以及4路通用竄改檢測比較器輸入

Digi-Key與ISSI簽署全球經銷協定 (2007.06.06)
電子零件經銷商Digi-Key Corporation與記憶體解決方案廠商Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)宣布簽署一項全球經銷協定。 ISSI為一針對數位消費性電子、網路、行動通訊和汽車電子市場設計、開發及行銷高效能積體電路廠商，該公司主要產品包括高速和低功率SRAM、及低與中密度DRAM

聯電將成為Cypress之SRAM製造夥伴 (2007.02.28)
Cypress宣佈晶圓代工廠聯電（UMC）已成為該公司重要製造夥伴之一。根據雙方共同協議，Cypress將採用聯電之先進製程生產下一世代的SRAM產品。此舉為Cypress首次選用非自家晶圓廠生產其旗艦級SRAM產品

Cypress宣佈與聯華電子建立製造夥伴關係 (2007.02.26)
Cypress Semiconductor Corp.宣佈聯華電子（聯電）成為該公司重要製造夥伴之一。根據雙方共同協議，Cypress將採用聯電之先進製程生產下一世代的SRAM產品。此舉為Cypress首次選用非自家晶圓廠生產其旗艦級SRAM產品

Cypress推出高速小型非揮發性SRAM系列產品 (2006.06.05)
Cypress Semiconductor宣佈推出非揮發性SRAM系列產品-nvSRAM的第一款元件產品。此款創新元件在切斷電源的情況下，繼續儲存內部資料，而無須外接電池，因此，讓Cypress這項創新高速裝置不但符合歐盟電子電機設備有害物質限用指令（RoHS）的規定，且可提供比其他解決方案更小的封裝

ST的8位元MCU系列搭載32KB晶片上SRAM (2006.02.13)
ST發表了高性能8051 uPSD3400 Turbo Plus系列的最新版本uPSD3454E，該元件具備大容量SRAM，整合了32Kbyte SRAM與256Kbyte的快閃記憶體，以及USB 2.0全速及大量介面與週邊。ST已全面為其廣受歡迎之uPSD產品線中三大微控制器系列提供相同的記憶體密度

低電流、高速SRAM特性與使用技巧 (2005.10.01)
網際網路的普及與寬頻的增加，讓資訊傳輸的需求日益增加，在各界極力要求網路設備資料處理能力提升的同時，也意味著網路設備使用SRAM必需朝高速化、大容量化方向發展

IBM研發全球最小SRAM記憶體細胞 (2004.12.15)
IBM在美國舊金山所舉辦的一場研討會中，宣布該公司發展出全球最小型的SRAM記憶體細胞（cell），該元件與現行SRAM cell相較僅有十分之一大小，未來將應用在IBM伺服器產品系列上

新世代記憶體技術展望 (2004.04.25)
非揮發性與速度是未來記憶體技術的兩大訴求，輕薄短小、降低成本以及省電更成為系統設計所追求的目標，引進新的記憶體架構與新材料不僅是大勢所趨，也是下一波競賽的重要關鍵

FPGA架構成本之分析探討 (2004.02.05)
現階段有三種基本FPGA技術分別為反熔絲、FLASH與SRAM，三種架構技術中以SRAM為應用最為廣泛之技術，本文將以FPGA架構為主，另提及該技術如何提供安全性的設計成本為主。