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CTIMES / Sram
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
記憶體廠商積極佈局Pseudo SRAM產品線 (2004.01.08)
據Digitimes報導,由於目前手機記憶體仍以6T SRAM為主,但未來確定由Pseudo SRAM步上主流,為搶攻2004年全球出貨量將至少達5億支的龐大手機市場商機,記憶體廠商華邦、茂德、力晶積極展開Pseudo SRAM產品線佈局
英特爾宣布已成功採65奈米製程試產SRAM (2003.11.25)
半導體龍頭英特爾(Intel)在65奈米半導體製程技術的開發已有實際成果,據網站Channel Times報導,該公司已宣佈成功採用65奈米製程技術試產SRAM,並可在2005年導入量產;而英特爾在本季推出的Pentium 4晶片上也已採用90奈米製程技術
旺季需求來臨 SRAM醞釀漲價趨勢 (2003.08.11)
據Digitimes報導,中國大陸晶圓代工業者中芯半導體之SDRAM產能,近來在DDR DRAM與高階邏輯IC產能排擠下出現明顯不足,再加上先前通路商因SDRAM報價向上趨勢而偏愛DDR DRAM產品,SDRAM在通路及系統業者存貨不多的情況下,正醞釀新一波漲價走勢
多功能手機流行 NOR型Flash主流地位不保 (2003.03.05)
據外電報導,由於具備數位相機(DSC)及MMS功能的手機已成流行趨勢,手機用記憶體正面臨世代交替;長期居主流地位的NOR型快閃記憶體(Flash)及SRAM,已逐漸被NAND型快閃記憶體、類SRAM或低耗能DRAM取代
聯電獲MoSys授權1T-SRAM技術 (2002.11.20)
聯電與MoSys近日宣佈,聯電取得MoSys之1T-SRAM技術的授權,以加強聯電現有的IP服務,提供更適合聯電製程的記憶體給SoC設計工程師使用。聯電並將此高密度(ultra-high density)1T-SRAM記憶體技術客製化,進而提供更多重的選擇
三星轉調 Flash躍居主力 (2002.09.23)
根據外電消息,由於同業陸續加入DRAM市場,DRAM廠三星表示,決定以快閃記憶體為主力,考慮增加生產線以及擴大研發相關投資。據了解,三星之所以做出此決定,是原於消費性產品的普及,如數位相機、攝錄影機、遊戲機等,加上全球快閃記憶體長期性的供不應求,因此三星預計該市場規模年均成長率,將可達到50%以上的規模
王春山:全球化觀點運作本土市場 (2002.07.05)
Cypress台灣區總經理王春山認為,本土化有三大執行要點:產品品質必須夠好、交貨有彈性、容易評估產品價格,使其具有市場競爭力。
Intel開發出一平方微米的SRAM電路元 (2002.03.13)
英特爾公司研發人員已成功製造出全球最小、面積僅1平方微米的SRAM(靜態隨機存取記憶體)記憶體電路元。這些電路元是記憶體晶片的建構基礎,被用於運用英特爾新一代90奈米(nm)製程技術所生產出功能完整的SRAM裝置
數位消費性產品之FPGA應用 (2002.01.05)
今日,由於其所具備低成本和高彈性的特點,FPGA已經找到一個廣泛應用的根基,而此應用是需要重新可程式編譯,以檢測因應不斷持續變化的標準,和符合新一代數位消費性市場的需求
東芝技轉0.13微米製程於中芯 (2001.12.21)
日本半導體大廠東芝廿日宣佈,已與上海中芯國際簽訂低功率靜態隨機存取記憶體(Low PowerSRAM)策略合作合約,東芝將技轉0.13微米的SRAM製程予中芯,並將中芯列為重要代工夥伴,而東芝也以技術作價方式取得中芯約5%的股權
SRAM價格未隨DRAM上揚 (2001.12.08)
國內SRAM設計公司表示,目前低功率二五六Kb約維持在○.七或○.八美元,供應商只有連邦與國外Cypress、韓國三星等少數廠家,低功率二Mb價格在一.五美元上下,四Mb區間落在二.一美元至三.五美元、均價約為三美元
矽成積極開發高階靜態隨機存取記憶體 (2001.09.13)
全球前15大靜態隨機存取記憶體供應商矽成積體電路14日表示,儘管全球景氣持續低迷,矽成開發產品線的策略未曾受到任何影響,在靜態隨機存取記憶體的部分,無論是在製程面或是產品面,都將積極朝向高階發展,其中同步靜態隨機存取記憶體產品效能預期可達250MHz至300MHz之間
鈺創八Mb超高功率SRAM將出貨 (2001.08.28)
鈺創科技27日宣佈透過台積電十二吋廠0.15微米製程,試產出第一批八Mb超低功率靜態隨機存取記憶體(Ultra Low Power SRAM),預計下半年開始出貨,提供美日高階手機市場使用。而為加強產品線,鈺創也推出低階手機市場使用的二Mb低功率 SRAM,主攻大陸市場
記憶體產品價格可望在第二季落底 (2001.05.04)
台灣包括DRAM與SRAM設計公司前四月成績不盡理想,不過廠商表示,非通訊應用以及歐美以外的市場已逐步回溫當中,五、六月有機會較四月成長,今年記憶體產品可望在第二季落底,並寄望第三季歐美市場庫存消化完畢後的另一波需求,甚至部分特殊規格記憶體將有短缺疑慮
Dataquest公佈全球記憶體銷售排名 (2001.04.13)
根據Dataquest日前公佈的資料顯示,2000年全球記憶體銷售約較1999年成長53%,達到544億美元,其中三星電子分別以市佔率的20.9%及20.6%,拿下DRAM及SRAM市場的雙料冠軍,表現優異
設計公司今年DRAM產品難獲利 (2001.03.06)
DRAM價格直直落,台灣記憶體設計公司除少數外,一、二月DRAM產品線多面臨虧損一至二成窘境,連利基型規格都無法倖免,設計公司認為今年DRAM產品獲利機會不大,目前多將焦點轉往毛利仍有二成的SRAM,並持續壓縮DRAM 產品比重因應
矽成跨足無線通訊域、研發藍芽基頓與射頻晶片 (2001.01.16)
國內最大SRAM供應商矽成積體電路即將跨足無線通訊領域,矽成表示,藍芽基頻(Baseba nd)與射頻(RF)晶片今年均將就緒,基頻並可於第二季送出樣本﹔矽成並已著手開發無線乙太區域網路晶片,預定明年推出
矽成提高0.25微米以上製程生產比重 (2001.01.10)
面對SRAM產業激烈競爭,國內最大SRAM供應商矽成積體電路表示,今年以0.25微米以上製程生產比重將由去年三成提升到今年七成以上,並開創歐美、日本等新市場,以達成營運績效成長三成目標﹔另外矽成也計劃切入RDRAM與64Mb利基型SDRAM
台晶加緊低功率SRAM產品線齊備計劃 (2000.10.26)
台晶記憶體一M低功率將於年底供貨,明年二M至八M低功率SRAM產品線均將齊備,台晶總經理吳亮中表示,明年低功率SRAM與DRAM、高速(high speed)SRAM將三分台晶營運比重
各產品SRAM價格呈現差異性 (2000.10.23)
SRAM跟隨應用產品趨勢,近日出現漲跌不同調走勢,手機用低功率(low power)二Mb SR AM估計價格將持續下滑至明年首季,而明年第二季將會因手機景氣逐步復甦,價格可望上揚﹔而ADSL與纜線數據機(cable modem)用的一 Mb高速(high speed)SRAM則因缺貨,近期價格上揚約三成

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