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CTIMES / 不間斷電源
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
意法半導體650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉換應用效能 (2015.07.23)
意法半導體(STMicroelectronics, ST)推出新款M系列 650V IGBT,為電源設計人員提供一個更快捷且經濟實惠的能效解決方案,適用於暖通空調系統(HVAC)馬達驅動器、不間斷電源、太陽能轉換器以及所有硬開關(hard-switching)電路拓撲20kHz功率轉換應用
意法半導體新推出1200V IGBT低頻電晶體 (2015.06.26)
意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出S系列 1200V IGBT絕緣閘極雙極性電晶體。當開關頻率達到8kHz時,新系列的雙極元件擁有低導通及關斷耗損,大幅提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業馬達驅動器等相關設備的電源轉換效率
安森美半導體擴展至高性能、高密度功率整合模組市場 (2015.05.20)
安森美半導體(ON Semiconductor)推出先進的80安(A)功率整合模組(PIM)適用於要求嚴格的不間斷電源(UPS)、工業變頻驅動器和太陽能反向器等應用。 NXH80T120L2Q0PG PIM採用安森美半導體的專屬溝槽第二代場截止技術(FSII)及穩固的超快迅速恢復二極管
伊頓公司收購飛瑞積極打入亞太台灣市場 (2008.06.07)
飛瑞股份有限公司和伊頓公司於2007年就收購事宜進行談判協商。伊頓公司於2008年2月26日宣佈完成收購飛瑞股份91%的普通股。伊頓有意進一步收購剩餘的全部股份,如果最後成功收購其剩餘股份,扣除截至2007年12月31日應付的現金及負債,伊頓將支付5.68億美元的總收購價格

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