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CTIMES / 晶體管
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
大功率射頻晶體管面向工業和專業射頻能量應用 (2019.01.18)
Ampleon今天宣布,面向工作在2400MHz至2500MHz頻率範圍內的脈衝和連續波(CW)應用,推出500W的BLC2425M10LS500P LDMOS射頻功率晶體管。BLC2425M10LS500P適用於各種工業、消費和專業烹飪射頻能量應用;由於它可以通過單個SOT1250空腔塑料封裝提供500W的CW,因此具有非常高的功率與封裝比
提升40%的性能 格羅方德將推7奈米FinFET製程技術 (2017.06.15)
為滿足高階移動處理器、雲端伺服器網路基礎設備等應用需求,晶圓代工大廠格羅方德半導體(GLOBALFOUNDRIES)宣布,將推出其具有7奈米領先性能(7nm Leading-Performance,7LP)的FinFET製程技術,且提升了40%的跨越式性能
ASM提出新技術解決high k與金屬柵的挑戰 (2008.05.22)
ASM推出一個全新的原子層沈積(ALD)製程。該製程採用氧化鑭(LaOx)及氧化鋁(AlOx)高介電值覆蓋層,使得32納米high k金屬閘極堆疊採用單一金屬,而不是之前CMOS所需要的兩種不同的金屬

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