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英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比，CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量（Eoss）降低了多達50%，漏源電荷（Qoss）和閘極電荷（Qg）均減少了多達 60% |
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Microchip IGBT 7功率元件組合優化永續、電動出行和資料中心應用設計 (2024.11.13)
因應電力電子系統設計，功率元件不斷發展。Microchip推出採用不同封裝、支援多種拓撲結構及電流和電壓範圍的IGBT 7元件組合，具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的元件尺寸，旨在滿足永續、電動汽車和資料中心等高增長細分市場的需求 |
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電源模組在過渡到48V 區域架構提供決定性優勢 (2024.02.06)
xEV應用的48V電源架構、zonal架構、模組化方法、以及48V電源架構的電氣化挑戰。 |
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英飛凌推出950 V CoolMOS PFD7系列 大幅提高功率密度 (2022.11.09)
英飛凌推出全新CoolMOS PFD7高壓MOSFET系列，為950 V超接面（SJ）技術樹立新標竿。全新950 V系列具有出色的效能與易用性，採用整合的快速二極體，確保元件堅固耐用，同時降低了BOM（物料清單）成本 |
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GaN將在資料伺服器中挑起效率大樑 (2022.08.26)
GaN具有獨特的優勢，提供卓越的性能和效率，並徹底改變數據中心的配電和轉換、節能、減少對冷卻系統的需求，並最終使數據中心更具成本效益和可擴展性。 |
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Qorvo推出750V SiC FET 封裝D2PAK-7L提供更大靈活性 (2022.07.27)
Qorvo今日宣佈推出採用表面貼裝D2PAK-7L封裝的七款750V碳化矽（SiC）FET，借助此封裝選項，Qorvo SiC FET可為車載充電器、軟切換DC/DC轉換器、電池充電（快速DC和工業）以及IT/伺服器電源等快速增長應用量身客制，能夠為在熱增強型封裝中實現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益高功率應用提供更佳解決方案 |
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英飛凌推出1700 V TRENCHSTOP IGBT7的EconoDUAL 3模組 (2022.05.31)
英飛凌科技股份有限公司近日發佈了採用EconoDUAL 3標準工業封裝的全新1700 V TRENCHSTOP IGBT7模組。憑藉這項全新的晶片技術，EconoDUAL 3模組可提供業界領先的900 A和750 A額定電流，進一步拓展逆變器的功率範圍 |
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TI整合式變壓器模組技術 助電動車增加行駛時間 (2021.09.30)
德州儀器 (TI) 最小、最準確的 1.5-W 隔離式 DC/DC 偏壓電源模組。UCC14240-Q1 使用專利整合式變壓器模組技術，讓設計人員能將電源解決方案尺寸減半，以在電動車 (EV)、混合動力汽車、馬達驅動系統和並聯型逆變器等高電壓環境中使用 |
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英飛凌Flex Power Modules推出全新開關式電容中間匯流排轉換器 (2021.09.29)
Flex Power Modules 推出 BMR310 — 一款非隔離式開關電容中間匯流排轉換器 (IBC)，可為資料中心提供高功率密度供電，進而提高電路板空間利用率，為其他元件釋放空間。BMR310 採用英飛凌科技專有的零電壓切換開關電容轉換器 (ZSC) 技術，在半載時實現超過 98% 的效率，並且可以在一個精簡的封裝中提供高達連續 875 W 的功率 |
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UnitedSiC推出最小導通電阻6mΩ SiC FET 耗損僅競品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的應用正快速且廣泛的成長中，尤其是電動車相關的市場，而SiC元件的性能優劣也成為供應商的決勝點。而專注於碳化矽元件技術開發的美商UnitedSiC（聯合碳化矽），今日推出了一款業界最佳的750V SiC FET產品，該元件的導通電阻（RDS on）僅有6mΩ，僅有競爭對手SiC MOSFET產品的一半，並提供了5μs額定短路耐受時間 |
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提高電動車充電率 TI推升車用GaN FETs開關頻率性能 (2021.02.23)
為了加速電動車（EV）技術導入，滿足消費者對續航里程、充電時間與性價比的要求，全球汽車大廠在研發上需要更高的電池容量、更快的充電性能，同時盡可能降低或維持設計尺寸、重量或元件成本 |
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解決功率密度挑戰 (2020.12.16)
電源管理是在雲端採用 AI 技術，同時繼續滿足計算和儲存需求的最大瓶頸之一；問題在於系統向處理器及 ASIC 供電時，電源轉換器的功率密度。 |
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為新一代資料中心供電：英飛淩 48 V 高效率雙級架構配電 (2019.05.14)
英飛凌科技推出零電壓切換 (ZSC) 開關電容轉換器，採用雙級架構，適用於 48 V 應用的 CPU、GPU、SoC、ASIC 及記憶體供電。英飛淩的 48 V 架構完整系統概念為達成 99% 的效率做好準備 |
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ST先進IGBT專為軟切換優化而設計 可提升家電感應加熱器的效率 (2019.04.22)
意法半導體（STMicroelectronics）新推出之STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER IGBT兩款新產品能夠在軟切換電路中帶來最佳導通和切換性能，提升諧振轉換器在16kHz-60kHz切換頻率範圍內的效能 |
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Infineon超軟切換IGBT 飛輪二極體提供領先低損耗技術 (2018.04.17)
英飛凌關係企業Infineon Technologies Bipolar公司針對現今IGBT應用推出全新專用二極體系列產品：Infineon Prime Soft，具有改良的5 kA/μs軟關斷功能。Prime Soft 以單晶矽設計且廣受好評的IGCT飛輪二極體做為技術基礎，典型應用包括HVDC/FACT以及使用電壓來源轉換器的中電壓馬達 |
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英飛凌推出600 V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET (2017.11.24)
英飛凌科技發表新款高電壓超接面(SJ) MOSFET 技術產品 600 V CoolMOS CFD7，讓CoolMOS 7 系列更為完備。
新款 MOSFET 產品滿足高功率 SMPS 市場的諧振拓樸需求，為 LLC 和 ZVS PSFB 等軟切換拓撲提供領先業界的效率與可靠度，最適合像是伺服器、電信設備電源和電動車充電站等高功率 SMPS 應用 |
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凌力爾特推出2.7V至38V/500mA低雜訊升降壓充電泵 (2017.06.13)
亞德諾半導體 (Analog Devices, Inc.,ADI) 旗下的凌力爾特 (Linear Technology Corporation) 日前推出精小、低雜訊升降壓充電泵 LTC3246，該元件內建看門狗計時器，能提供高達 500mA 的輸出電流 |
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英飛凌700 V CoolMOSTM P7系列適用於準諧振反馳式拓樸 (2017.01.25)
【德國慕尼黑訊】英飛淩科技（Infineon）針對現今及未來的準諧振反馳式拓樸趨勢，推出全新700V CoolMOS P7系列。相較於目前所用的超接面技術，全新MOSFET的效能適用於軟切換拓墣應用，包括智慧型手機、平板電腦充電器，還有筆記型電腦電源供應器 |
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凌力爾特高壓雙組輸出降壓充電泵提供更低功耗且無需電感 (2016.08.12)
凌力爾特 (Linear) 日前推出高整合度、高壓低雜訊雙輸出電源 LTC3256，該元件採用單一正輸入電壓，無需電感並可以高效率提供 5V 和 3.3V的降壓電源。該元件可操作於寬廣的 5.5V至38V輸入電壓範圍，包括可獨立致能的雙輸出：5V 100mA 電源，以及 250mA 3.3V 低壓差 (LDO) 穩壓器，可提供總共為 350mA的可用輸出電流 |
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英飛凌全新TRENCHSTOP 5 S5 IGBT提升PV與UPS應用效率 (2015.11.19)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）持續提升IGBT效能，推出全新S5（S 代表軟切換）系列，採用超薄晶圓TRENCHSTOP 5 IGBT為基礎，專為工業應用中的 AC-DC 能源轉換所開發，最高切換頻率達 40 kHz，適用於光電逆變器（PV）或不斷電系統（UPS） |
