 |
英飞凌推出新一代氮化??功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN电晶体实现了现有平台的快速重新设计。新元件改进了性能指标，确保为重点应用带来具有竞争力的切换性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产品系列相比，CoolGaN 650 V G5电晶体输出电容中储存的能量（Eoss）降低了多达50%，漏源电荷（Qoss）和闸极电荷（Qg）均减少了多达 60% |
|
Microchip IGBT 7功率元件组合优化永续、电动出行和资料中心应用设计 (2024.11.13)
因应电力电子系统设计，功率元件不断发展。Microchip推出采用不同封装、支援多种拓扑结构及电流和电压范围的IGBT 7元件组合，具有更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的元件尺寸，旨在满足永续、电动汽车和资料中心等高增长细分市场的需求 |
 |
电源模组在过渡到48V 区域架构提供决定性优势 (2024.02.06)
xEV应用的48V电源架构、zonal架构、模组化方法、以及48V电源架构的电气化挑战。 |
|
英飞凌推出950 V CoolMOS PFD7系列 大幅提高功率密度 (2022.11.09)
英飞凌推出全新CoolMOS PFD7高压MOSFET系列，为950 V超接面（SJ）技术树立新标竿。全新950 V系列具有出色的效能与易用性，采用整合的快速二极体，确保元件坚固耐用，同时降低了BOM（物料清单）成本 |
|
GaN将在资料伺服器中挑起效率大梁 (2022.08.26)
GaN具有独特的优势，提供卓越的性能和效率，并彻底改变数据中心的配电和转换、节能、减少对冷却系统的需求，并最终使数据中心更具成本效益和可扩展性。 |
|
Qorvo推出750V SiC FET 封装D2PAK-7L提供更大灵活性 (2022.07.27)
Qorvo今日宣布推出采用表面贴装D2PAK-7L封装的七款750V碳化矽（SiC）FET，借助此封装选项，Qorvo SiC FET可为车载充电器、软切换DC/DC转换器、电池充电（快速DC和工业）以及IT/伺服器电源等快速增长应用量身客制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益高功率应用提供更隹解决方案 |
|
英飞凌推出1700 V TRENCHSTOP IGBT7的EconoDUAL 3模组 (2022.05.31)
英飞凌科技股份有限公司近日发布了采用EconoDUAL 3标准工业封装的全新1700 V TRENCHSTOP IGBT7模组。凭藉这项全新的晶片技术，EconoDUAL 3模组可提供业界领先的900 A和750 A额定电流，进一步拓展逆变器的功率范围 |
|
TI整合式变压器模组技术 助电动车增加行驶时间 (2021.09.30)
德州仪器 (TI) 最小、最准确的 1.5-W 隔离式 DC/DC 偏压电源模组。 UCC14240-Q1 使用专利整合式变压器模组技术，让设计人员能将电源解决方案尺寸减半，以在电动车 (EV)、混合动力汽车、马达驱动系统和并联型逆变器等高电压环境中使用 |
|
英飞凌Flex Power Modules推出全新开关式电容中间汇流排转换器 (2021.09.29)
Flex Power Modules 推出 BMR310 — 一款非隔离式开关电容中间汇流排转换器 (IBC)，可为资料中心提供高功率密度供电，进而提高电路板空间利用率，为其他元件释放空间。 BMR310 采用英飞凌科技专有的零电压切换开关电容转换器 (ZSC) 技术，在半载时实现超过 98% 的效率，并且可以在一个精简的封装中提供高达连续 875 W 的功率 |
|
UnitedSiC推出最小导通电阻6mΩ SiC FET 耗损仅竞品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的应用正快速且广泛的成长中，尤其是电动车相关的市场，而SiC元件的性能优劣也成为供应商的决胜点。而专注于碳化矽元件技术开发的美商UnitedSiC（联合碳化矽），今日推出了一款业界最佳的750V SiC FET产品，该元件的导通电阻（RDS on）仅有6mΩ，仅有竞争对手SiC MOSFET产品的一半，并提供了5μs额定短路耐受时间 |
|
提高电动车充电率 TI推升车用GaN FETs开关频率性能 (2021.02.23)
为了加速电动车（EV）技术导入，满足消费者对续航里程、充电时间与性价比的要求，全球汽车大厂在研发上需要更高的电池容量、更快的充电性能，同时尽可能降低或维持设计尺寸、重量或元件成本 |
|
解决功率密度挑战 (2020.12.16)
电源管理是在云端采用 AI 技术，同时继续满足计算和储存需求的最大瓶颈之一；问题在于系统向处理器及 ASIC 供电时，电源转换器的功率密度。 |
|
为新一代资料中心供电：英飞?? 48 V 高效率双级架构配电 (2019.05.14)
英飞凌科技推出零电压切换 (ZSC) 开关电容转换器，采用双级架构，适用於 48 V 应用的 CPU、GPU、SoC、ASIC 及记忆体供电。英飞??的 48 V 架构完整系统概念为达成 99% 的效率做好准备 |
|
ST先进IGBT专为软切换优化而设计 可提升家电感应加热器的效率 (2019.04.22)
意法半导体（STMicroelectronics）新推出之STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER IGBT两款新产品能够在软切换电路中带来最隹导通和切换性能，提升谐振转换器在16kHz-60kHz切换频率范围内的效能 |
|
Infineon超软切换IGBT 飞轮二极体提供领先低损耗技术 (2018.04.17)
英飞凌关系企业Infineon Technologies Bipolar公司针对现今IGBT应用推出全新专用二极体系列产品：Infineon Prime Soft，具有改良的5 kA/μs软关断功能。Prime Soft 以单晶矽设计且广受好评的IGCT飞轮二极体做为技术基础，典型应用包括HVDC/FACT以及使用电压来源转换器的中电压马达 |
|
英飞凌推出600 V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET (2017.11.24)
英飞凌科技发表新款高电压超接面(SJ) MOSFET 技术产品 600 V CoolMOS CFD7，让CoolMOS 7 系列更为完备。
新款 MOSFET 产品满足高功率 SMPS 市场的谐振拓朴需求，为 LLC 和 ZVS PSFB 等软切换拓扑提供领先业界的效率与可靠度，最适合像是伺服器、电信设备电源和电动车充电站等高功率 SMPS 应用 |
|
凌力尔特推出2.7V至38V/500mA低杂讯升降压充电泵 (2017.06.13)
可节省空间并降低EMI
亚德诺半导体(Analog Devices, Inc.,ADI) 旗下的凌力尔特(Linear Technology Corporation) 日前推出精小、低杂讯升降压充电泵LTC3246，该元件内建看门狗计时器，能提供高达500mA 的输出电流 |
|
英飞凌700 V CoolMOSTM P7系列适用于准谐振反驰式拓朴 (2017.01.25)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）针对现今及未来的准谐振反驰式拓朴趋势，推出全新700V CoolMOS P7系列。相较于目前所用的超接面技术，全新MOSFET的效能适用于软切换拓墣应用，包括智慧型手机、平板电脑充电器，还有笔记型电脑电源供应器 |
 |
凌力尔特高压双组输出降压充电泵提供更低功耗且无需电感 (2016.08.12)
凌力尔特 (Linear) 日前推出高整合度、高压低杂讯双输出电源 LTC3256，该元件采用单一正输入电压，无需电感并可以高效率提供 5V 和 3.3V的降压电源。该元件可操作于宽广的5.5V至38V输入电压范围，包括可独立致能的双输出：5V 100mA 电源，以及250mA 3.3V 低压差(LDO) 稳压器，可提供总共为350mA的可用输出电流 |
|
英飞凌全新TRENCHSTOP 5 S5 IGBT提升PV与UPS应用效率 (2015.11.19)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）持续提升IGBT效能，推出全新S5（S 代表软切换）系列，采用超薄晶圆TRENCHSTOP 5 IGBT为基础，专为工业应用中的AC-DC 能源转换所开发，最高切换频率达40 kHz，适用于光电逆变器（PV）或不断电系统（UPS） |
