<
帳號:
密碼:

討論新聞主題﹕力旺電子NeoMTP成功導入格芯130nm BCDLite及BCD製程平台

新聞 提要
力旺電子今日宣佈,其嵌入式可多次編寫(MTP)記憶體矽智財NeoMTP已成功導入格芯130nm BCD與BCDLite製程平台,專攻消費性及車用市場,以及日益增加的無線充電和USB Type C應用之需求。 力旺目前在格芯130nm BCD與BCDLite製程平台開發的NeoMTP矽智財皆符合車規驗證標準AEC-Q100 Grade 1,並將進一步在已驗証之平台佈局升級版的二代NeoMTP,於不同的平台分別提供符合車規驗證標準AEC-Q100 Grade 1與AEC-Q100 Grade 0之二代NeoMTP。 符合AEC-Q100 Grade 1之NeoMTP操作溫度可達150°C,在溫度區間(-40°C~150°C)編寫達1,000次,並能在125°C的高溫下維持10年以上的資料留存之優異性能,同時,其2.5V-5.5V優於一般工作範圍的操作電壓區間及低功耗、高速讀取等特性,有利於客戶在產品設計上具備彈性及競爭力,未來符合AEC-Q100 Grade 0之NeoMTP操作溫度更可高達175°C

發表新主題
主題:
文章內容:
  確認碼:  
  一般討論區
一般討論區
新聞報導論壇
活動消息論壇
專欄評析
零組件科技論壇
產業新品中心
  應用論壇區
文章論述論壇
軟體應用論壇
產品應用論壇
Microchip數位電源討論區─贏取大獎
  技術應用區
電子技術類:
電腦科技類:
網際科技類:
軟體資源類:
 
刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2019 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw