CTIMES - 動態隨機存取記憶體

市場指三星轉撥12吋產能主因　為看壞DRAM市況 (2003.11.25)
根據市調機構iSuppli指出，南韓三星電子年底前將把12吋廠的1萬片左右月產能，改投高密度NAND快閃記憶體（Flash），並將製程由0.12微米微縮至0.11微米。而市場消息認為，三星此舉表示該公司對2004年上半年DRAM市況不抱樂觀

二線廠拋售未測試晶圓 DRAM價格跌不停 (2003.11.24)
據工商時報報導，DRAM市場今年未出現年底旺季行情，近期更因終端市場需求疲弱使DRAM現貨價格連日下挫，不過DRAM後段封裝測試因產能不足，代工價格持續上漲，已嚴重壓縮DRAM廠獲利能力

Hynix針對懲罰性關稅向歐盟提出上訴 (2003.11.19)
南韓DRAM業者Hynix日前提出聲明表示，該公司已向歐盟法庭提出上訴，要求歐盟撤銷對該公司晶片的進口課徵懲罰性關稅的決定。歐盟在8月時受理德國英飛凌對Hynix接受韓國政府不公平補助審理，最後決定對Hynix產品課徵34

DDR已成DRAM市場主流價格卻不升反降 (2003.11.13)
據工商時報報導，雖然DDR已逐漸取代SDRAM成為DRAM市場主流規格，但是二者價格卻出現令市場意外之走勢，256Mb SDRAM價格自7月以來緩慢上揚，但256Mb DDR價格卻仍因市場需求不振而持續下跌，兩者價差達1.4美元

三星DRAM市佔率下滑但記憶體獲利反增 (2003.11.12)
市調機構Gartner Dataquest公佈第三季DRAM廠排名，前5大廠名次維持不變，但龍頭業者三星市佔率明顯下滑，各較前一季、2002年同期減少3.6％和8.6％。三星在DRAM領域之勢力固然呈現衰退，但實際上該公司將DRAM產能轉為生產快閃記憶體（Flash），公司獲利表現並未因此退步

OEM廠採降低成本策略　DRAM價格漲不動 (2003.11.08)
市場調查機構iSuppli在最新研究報告中指出，面板、被動元件等缺貨價格大漲，OEM廠為了控制成本降低內建DRAM容量，造成全球DRAM消耗量過低，是讓DRAM價格漲不動的主要原因

茂德宣布投入16億美元興建第二座12吋廠 (2003.11.06)
繼力晶第二座12吋晶圓廠正式動工後，台灣另一DRAM業者茂德亦宣佈投入16億美元興建月產能達4萬片、製程自90奈米開始的12吋晶圓廠；但茂德仍不願公開合資對象的名單，該公司營運資深處長林育中在法人說明會中並指出，依茂德至2005年的現金流量估算，該公司也有能力自行興建第二座12吋廠

摩托羅拉推出MRAM晶片 (2003.10.29)
摩托羅拉公司於27日表示，該公司已經製造出 4 兆位元的磁電阻式隨機存取記憶體晶片。特定的客戶目前正在評估這項先進晶片技術的樣品。這項技術里程碑，進一步證實了 MRAM 有可能取代多種現有的記憶體技術的可行性

業者製程轉換不順 DRAM價格下探風險高 (2003.10.27)
經濟日報報導，全球DRAM廠第四季在製程轉換上之情況皆不盡理想，除英飛凌、Hynix等都傳出運轉不順情形，台灣DRAM廠華邦電、力晶及南科等業者，也因部分新製程良率偏低，次級產品流入現貨市場導致價格有下探風險，惟第四季OEM高階DRAM出貨增加有限，合約價可望持平

英飛凌採策略聯盟方式前進中國市場 (2003.10.27)
據路透社引述業界消息指出，德國半導體大廠英飛凌（Infineon）將與中國大陸記憶體晶片模組生產商記憶科技進行合作，希望能在蓬勃發展的中國大陸記憶體市場爭取40％的市場佔有率；據了解，雙方最快可能在11月中旬簽署結盟之合約，但英飛凌並不願對此消息證實

DRAM供需趨於平穩價格大幅上揚難再現 (2003.10.25)
據經濟日報報導，動態隨機存取記憶體（DRAM）供需趨於平穩，第四季256M顆粒報價將在4至5美元間，不易有大幅上漲的機會，但多數DRAM廠都因為已升級到0.15微米、0.13微米以下製程，將成本降低到4美元以下，而有獲利機會

確保產能　力晶考慮在中國大陸興建8吋廠 (2003.10.22)
工商時報報導，力晶集團董事長黃崇仁在蘇州電博會（eMEX2003）IT論壇中表示，由於力晶記憶體代工產能嚴重不足，公司已認真考慮在中國大陸尋求策略聯盟夥伴或獨資興建8吋晶圓廠的可行性

大陸晶圓廠強力競爭　台灣DRAM業面臨考驗 (2003.10.22)
據Digitimes報導，由於日、韓DRAM廠在12吋廠佈局策略落差大，以及台灣業者投資12吋廠領先全球，加上大陸晶圓廠中芯及宏力極可能串聯DRAM產能，全球DRAM產業不僅既有的競爭局面將發生變化，未來大陸更可能加入競爭

英特爾將推出1GB手持式記憶體 (2003.10.16)
英特爾在今年台北舉辦的英特爾科技論壇（IDF）中宣布，將生產最高可達到1GB容量的手持式裝置專用記憶系統。英特爾資深副總裁Ron Smith表示，此產品的技術架構採最新的高階堆疊式封裝，可將英特爾的StataFlash記憶體和動態記憶體（RAM）堆疊在一起，做成大小只有8x11公釐的記憶體模組

茂德：爾必達為技術合作夥伴 (2003.10.15)
茂德科技(ProMOS)15日指出，該公司與日本爾必達記憶體(Elpida)的技術合作協商將持續進行，雙方於今年五月簽定有關記憶體晶片技術授權合作備忘錄、協議共同發展下一世代的記憶體製程之後，協商動作會一直持續

ST推出NOR快閃記憶體 (2003.10.14)
半導體製造商ST發佈NOR快閃記憶體，該產品適用於低電壓及高效能應用。採用90奈米製程技術，NOR快閃記憶體僅佔據0.08µm2的矽晶片面積，尺寸比採用130奈米的同級產品減小了50%

9月份全球DRAM產出量爾必達成長率奪魁 (2003.10.13)
根據集邦科技（DRAMeXchange）所公佈最新全球DRAM廠9月份產出量，總產出已達2.703億顆（256Mb計算），與8月份全球產出量相較，成長幅度僅達1.27％，顯示出全球各大DRAM顆粒廠在投片量及產出良率，並未出現重大突破，估計要到11月全球DRAM產出量才有機會出現明顯增長

搶攻市佔率台灣DRAM業者爭蓋12吋廠 (2003.10.09)
據經濟日報報導，國內DRAM業者南亞科技、力晶與茂德今年以來透過海外可轉債（ECB）、全球存託憑證（GDR）等方式合計募資近200億元，用以興建12吋晶圓廠，募資計畫將延續到2004年

力晶第二座12吋晶圓廠動工 (2003.10.07)
據工商時報消息，力晶半導體為擴大產出搶佔市場佔有率，已舉行第2座12吋廠動工典禮，同時力晶亦公佈該公司第一座12廠採用0.13微米製程比重已達90％，九月營收創下27億1000萬元歷史新高紀錄