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台灣DRAM業者將針對Hynix向政府提出反傾銷控訴 (2003.08.13)
據工商時報報導，繼美國國際貿易委員會（ITC）於七月底決定對南韓DRAM業者課徵47％的懲罰性關稅後，歐盟也確定對Hynix徵收34.8％的反傾銷稅；而國內DRAM業者也將跟進，將向我國政府提出對Hynix之反傾銷案與控告其非法接受南韓政府補助案 |
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全球DRAM業四強體制已然確立 (2003.08.08)
據中央社報導，據南韓朝鮮日報報導，1998年時，全球有22家DRAM 製造商並存，但在東芝（Toshiba）、富士通（Fujitsu）與摩托羅拉（Motorola）等相繼撤退後，現在只剩下12 家公司倖存 |
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DRAM業者將邁入12吋晶圓時代 (2003.08.07)
市場研究機構Strategic Marketing Associates（SMA）公佈最新分析報告指出，全球DRAM市場已全面進入12吋晶圓時代，各大DRAM業者皆興建12吋新廠，而目前全球10大DRAM廠商中，僅美光（Micron）與華邦電尚未宣佈12吋廠興建計畫 |
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景氣回暖 台灣DRAM廠下半年可轉虧為盈 (2003.08.05)
Digitimes報導，全球DRAM景氣近來雖已逐漸回升，但DRAM廠2003上半年虧損情況卻仍然嚴重，國內華邦、南科、茂德、力晶等四家DRAM業者上半年虧損金額總計達新台幣79.56億元，其中又以力晶虧損最劇 |
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茂矽將轉型為快閃記憶體供應商 (2003.07.21)
據工商時報報導， 茂矽於日前公佈今年第一季季報，並同時宣布轉型計畫。茂矽副總經理張東隆表示，茂矽今年下半年將會積極布局快閃記憶體市場，並自明年起以成為快閃記憶體主要供應商為營運重心 |
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DRAM市場競爭激烈 業界看好三星表現 (2003.07.19)
根據Semico Research 2003上半年全球DRAM市場最新報告，三星（Samsung）、美光（Micron）、英飛凌（Infineon）仍為全球前3大DRAM業者，值得注意的是，正當三星市佔率向下滑落，美光、英飛凌卻呈現攀升，且英飛凌正逐漸拉近和美光之間的差距 |
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終端需求顯現 DRAM價格將維持緩步上揚 (2003.07.17)
據工商時報報導，中國大陸將調降晶片內銷加值稅的政策，不但有利台灣晶片進軍大陸市場，包括南亞科、力晶等對大陸銷售DRAM較多的晶圓廠亦可望受惠，而日本瑞薩（Renesas）也表示將持續擴大對力晶、旺宏之委外代工業務；在以上利多消息帶動下，近來DRAM業者股價表現亮眼 |
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茂德六月營收表現亮眼 (2003.07.11)
茂德科技六月營收為十七億二千九百萬元，較去年同期成長35.7%，亦較上月成長13％。主要因為六月份出貨大部分為DDR 400，而此部分產品的銷貨中有一小部份可以用DDR 400規格來銷售，並享有較DDR 333高的溢價，因此對該公司六月份營收成長有相當程度的貢獻 |
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韓國已將Hynix遭課徵高額關稅一案提交WTO仲裁 (2003.07.04)
據路透社報導，韓國外交通商部日前已針對美國將向Hynix課徵高額懲罰性關稅一事，向世界貿易組織（WTO）訴請仲裁；外交通商部在聲明中表示，該國已根據向WTO訴請貿易仲裁的規定，向美國遞交進行雙邊磋商會議的信函 |
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聯電與迅慧共同完成90奈米SRAM原型開發 (2003.07.03)
晶圓大廠聯電轉投資的IC設計業者迅慧科技（HBA），日前宣布已與聯電共同完成90奈米高速靜態隨機存取記憶體（SRAM）之原型晶片，預計今年下半年可進行量產，聯電企圖以此產品提升在電信通訊市場的接單能力與市占率 |
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茂德擬尋求合作夥伴共建第二座12吋廠 (2003.07.01)
據路透社報導，國內DRAM業者茂德科技日前表示，該公司正計劃擬尋求合作夥伴共同出資興建第二座12吋晶圓廠，希望新廠最快將可在2005下半年量產。
該報導指出，茂德營業處處長林育中表示 |
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三星加碼投資12吋晶圓生產線 (2003.06.27)
外電報導，三星電子計劃在2003年底～2004年投資3兆～4兆韓元（約24～32億美元），以增設Fab12與Fab13的12吋晶圓生產線。三星預計到2004年中旬，該公司12吋晶圓月產能可達4萬片以上，分別為英飛凌（Infineon）、台積電、聯電與爾必達（Elpida）等半導體大廠的2～5倍 |
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力晶第二座12吋晶圓廠將在今年動工 (2003.06.26)
據路透社報導，國內DRAM大廠力晶日前表示，該公司第二座12吋晶圓廠將在今年動工，預計最快可在2005年上半完工並開始量產。但力晶副總經理譚仲民亦表示，力晶第二座12吋晶圓廠計畫仍有適度彈性，若半導體景氣恢復不如預期，該廠設備裝機的時成亦有可能延後 |
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三星將追加旗下半導體廠設備投資 (2003.06.26)
據韓國經濟新聞報導，三星電子計畫追加投資旗下半導體與光電廠之設備投資金額，其中包括生產記憶體之華城廠Fab12與天安廠第五代TFT LCD生產線Line6。
三星電子2003年設備投資總預算為6.78兆韓元，其中包括半導體事業5.77兆韓元、通訊事業3200億韓元、數位媒體800億韓元；而此次追加投資金額亦包含在總投資預算之中 |
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科統科技量產FIFO暫存記憶體 (2003.06.24)
科統科技成功量產一系列影像FIFO (First In First Out) 暫存記憶體，記憶容量支援4 Mbits 及2 Mbits, 速度為25ns。本系列產品採用先進的製程，締造目前業界最具成本優勢的FIFO memory，領先競爭者同類型的產品兩個世代 |
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美方高額關稅判決確定 Hynix將面臨沉重壓力 (2003.06.19)
美國已經決定對Hynix半導體徵收44.71％的進口關稅，以對韓國政府不當金援造成的市場不公平現象做出懲罰；DRAM業者指出，目前雖僅有美國做出宣判，但其餘像歐盟、亞太地區DRAM業者也將陸續做出判決，Hynix未來要在市場中生存倍加困難 |
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因應市場變化 三星積極拓展非記憶體產品線 (2003.06.19)
據韓國經濟新聞引述業界人士消息表示，一向以DRAM為事業主力的三星電子，最近正重新整置記憶體的產品線，並積極拓展MPU、LDI等顯示器驅動IC（DDI）、智慧卡IC等非記憶體產品事業 |
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虹光精密使用Tensilica Xtensa處理器 (2003.06.18)
Tensilica公司，18日宣布虹光精密已經成功地將XtensaR可配置式處理器設計到一台辦公室影像產品中，該產品預計在今年下半年進入量產。
「我們之所以選擇Tensilica的Xtensa處理器，是因為我們喜歡它的速度，低功率，以及現成的發展工具 |
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國內DRAM測試產能恐將持續供不應求 (2003.06.17)
據工商時報報導，國內DRAM測試市場恐將出現供不應求的現象，其主因是DRAM業者力晶、茂德與南亞科技等，將陸續在第三季開出12吋與8吋廠新產能，但DRAM價格一直陷於低檔，業者仍未擺脫虧損狀況，下游測試廠也將因代工價無法順利調漲，而無力擴充DRAM測試產能 |
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三星電子表現突出 半導體新成長論為主要推動力 (2003.06.17)
全球半導體業者中少數能在2002年的景氣衰退期中仍能屹立不搖、甚至逆勢成長者，三星電子可說是其中表現突出的成功案例；據日經產業新聞分析，三星電子半導體事業能夠獲致成功，除了巨額的投資金額之外，該公司的商品戰略及獨創的半導體新成長論更是其成長的主要動力 |
