CTIMES - 動態隨機存取記憶體

茂德發行九千萬美元ECB (2003.10.06)
茂德科技（Promos）日前表示，該公司已順利完成發行九千萬美元的可轉換公司債（ECB），溢價17%。茂德發言人兼營業本部資深處長林育中表示，『茂德此次ECB順利完成發行，由於茂德科技營運前景樂觀，配合DRAM景氣復甦，加上荷蘭銀行保證性質，這次ECB發行得到國際投資人熱烈反應，在一小時內即達到數倍的超額認購

台灣DRAM業者聯合控告Hynix行動將暫緩 (2003.10.04)
原本有意聯合向政府提出控告南韓Hynix之反傾銷案的台灣DRAM業者茂矽、茂德、南亞科、力晶、華邦等，因茂矽、華邦等業者陸續退出標準型DRAM市場，加上國內廠商擔心聯合控告行為，可能引來Hynix或其他DRAM廠反撲，將暫緩提出控告的行動

記憶體大廠產能轉向Flash DRAM現貨價上揚 (2003.09.30)
據經濟日報報導，因資料存取型快閃記憶體嚴重缺貨，DRAM大廠三星、東芝新增12吋廠增加生產快閃記憶體，Hynix也有意跟進，使DRAM市場本周將出現小幅缺貨，而南科、茂德及力晶三大業者都認為DRAM現貨價本周將反彈

傳Hynix可能以委外代工方式規避美歐高額關稅 (2003.09.25)
據Digitimes報導，南韓DRAM大廠Hynix在遭美國與歐盟課徵高額度懲罰性關稅後，已擬妥相對應策略，一方面除擴大其位於美國的晶圓廠生產規模外，也計劃將製造技術轉移至大陸晶圓代工廠委外代工，如此一來可因DRAM顆粒生產據點並非位於南韓，而逃過遭受課徵懲罰性關稅

茂德推出自有品牌記憶體產品 (2003.09.19)
茂德科技(ProMOS)將於本週所舉行的台北國際電腦展(COMPUTEX TAIPEI 2003)中發表第一款自行設計成功，以ProMOS自有品牌銷售的記憶體產品CDRAM。茂德科技營業本部資深處長林育中表示，『該公司將於Computex中推出自行設計成功的新產品CDRAM，目前採用0

英飛凌將逐漸提高DRAM委外代工比例 (2003.09.17)
據經濟日報報導，英飛凌將增加大中華地區的投資及結盟夥伴，預計2006年DRAM代工比率達五成，以降低價格風險，奪取全球25％市場。英飛凌記憶體執行長艾格司表示，今年英飛凌DRAM自製率為80％

景氣回暖DRAM業先知各大廠紛提高資本支出 (2003.09.13)
市調機構IC Insights公佈最新報告指出，在DRAM市場助長此波半導體景氣復甦之餘，DRAM廠商資本支出亦會再度站上頂峰，在2003年領先其它類半導體產品資本支出。而另一市調機構iSuppli之分析師Len Jelinek亦表示，記憶體廠商為因應市場需求、保有市佔率，確實已開始重拾資本投資

DRAM業者全球排名各區域市場競爭狀況不一 (2003.09.08)
市調機構iSuppli發表全球2003年上半年DRAM業者全球市佔率排名報告，韓國三星電子穩居龍頭寶座，但不同區域市場之廠商排名卻出現美光、英飛凌、Hynix、Elpida等業者群雄相爭的狀況

專業LTCC通訊射頻模組技術先驅 (2003.09.05)
國內廠商近年來積極耕耘無線通訊領域，不管是在行動通訊或無線區域網路領域都有不錯的成績，但是在關鍵技術如標準的制定，晶片（Chipset）及射頻（RF）模組的設計上國際大廠仍有落差

Marvell致力在亞太區市場推廣WLAN解決方案 (2003.09.05)
目前Marvell在大中華地區的全產品線獨家代理權由國內電子零組件通路業者文曄科技取得；文曄副總經理許文紅表示，Marvell為文曄在網路通訊產品線中十分重視的原廠之一，該公司向來在Gaigabit、10 Gigabit Ethernet等有線寬頻技術上為市場領導廠商，亦在近年來亦投入WLAN相關技術之研發，並陸續發表802.11b/g晶片組產品

鎖定行動裝置需求　提供高效能Flash解決方案 (2003.09.05)
隨著2003年景氣緩步回升與行動電話、數位相機等設備的出貨增加，快閃記憶體又成為矚目焦點。根據市調機構Dataquest的預測數據，2003年快閃記憶體市場可望有14％的成長，2004年成長率更可攀升至32％，達到120億美元以上的規模；為搶攻此一潛力無窮的市場商機，國內記憶體大廠華邦電子亦致力於相關技術與產品的研發

茂德獲頒「產業科技發展獎」 (2003.09.04)
茂德科技(Promos)日前獲頒「第十一屆經濟部產業科技發展獎」，並且是半導體製造業唯一獲獎的廠商。茂德此次獲獎是繼八十九年後第二度獲得經濟部頒發獎項。茂德發言人林育中表示，『茂德科技在過去數年與國際策略聯盟夥伴合作中，除導入先進製程技術外，同時也建立自主研發技術與新產品的能力

各大廠轉向生產Flash　DRAM供給成長趨緩 (2003.08.29)
據工商時報報導，由於快閃記憶體（Flash）毛利率較DRAM高出許多，二者在製程轉換上又無須太多的投資，因此繼三星調撥現有DRAM產能生產NAND快閃記憶體後，美光、英飛凌、Hynix等國際大廠都已開始轉移DRAM產能去生產快閃記憶體，因此模組廠創見資訊董事長束崇萬表示，未來DRAM供給成長將更趨緩

Elpida將接收NEC廣島晶圓廠 (2003.08.28)
全球第六大DRAM製造商Elpida週二宣布，為提升競爭力，該公司訂於九月一日正式接手母公司NEC位於廣島縣的半導體製造廠，該廠將向NEC租用設備並接收NEC廠1360名員工。 Elpida表示，接收NEC廣島晶片廠將使該公司一舉擁有具備200mm和300mm晶圓生產線的廠房，有助壓低成本和提升生產效率

力晶獲Elpida技轉0.11微米以下DRAM製程 (2003.08.26)
據工商時報報導，國內DRAM廠力晶大廠半導體日前宣佈，該公司已與日本DRAM廠Elpida簽訂先進堆疊式（Stacked）DRAM製程技術轉移合約，預計2004年第二季開始陸續導入新製程，並搶進合約市場

我國自有DRAM產值2003年第二季成長10.9％ (2003.08.21)
據工研院經資中心（IEK）所公佈之統計，我國2003年第二季DRAM自有產品產值為新台幣234億8200萬元，較第一季成長10.9％，而預估第三季價格可因市場旺季帶動而明顯回升，256Mb DDR平均價格可上漲至5.5美元，讓國內DRAM廠轉虧為盈

爾必達亦將日政府提出反Hynix傾銷DRAM案 (2003.08.21)
據工商時報報導，繼歐美等國控訴南韓DRAM業者Hynix接受南韓政府不當補助、違反市場公平交易原則的控告之後，為防止Hynix在日本市場進行傾銷，日本DRAM業者爾必達（Elpida）也已經向日本政府提出對Hynix之控告

南茂、力成宣佈進軍DDR-II封測市場策略 (2003.08.20)
據工商時報報導，專注在DRAM後段封測市場的南茂集團與力成科技，因看好明年DDR-II將成為市場主流，且其後段封裝測試製程亦將出現技術世代交替現象，日前分別宣佈DDR-II封測市場策略

中芯已獲美方准許進口193奈米微影設備 (2003.08.19)
據經濟日報報導，英飛凌執行長舒馬克預定9月中旬前往中國上海，與當地晶圓業者中芯敲定以0.11微米製程之DRAM代工訂單。此外中芯近期已獲美國商務部特准進口193奈米微影關鍵設備，在技術層次向前推進之後，該公司技術將逐漸追上台灣及美、日等先進國家

市調機構指DRAM價格上揚僅為短期現象 (2003.08.19)
市調機構iSuppli針對DRAM市場發布最新報告指出，DRAM銷售額下半年好轉僅為短期現象，進入2004年後，DRAM合約價將再次下探；此外快閃記憶體（Flash）產品售價亦會全面呈現衰退，只是因產品種類不同，跌價程度不一