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美光NAND快閃記憶體產品前進3G市場 (2007.03.26) 美光科技(Micron Technology)將把NAND快閃記憶體業務推向手機市場。該公司將把控制器電路設計於NAND快閃記憶體晶片珠,以及制定與設備端LSI間的介面標準。美光此舉是希望能使產品廠商省去在設備端LSI中配備控制器電路的麻煩,以提供終端產品廠商更高便利性 |
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Intel的Turbo Memory技術將在新迅馳平台上現蹤 (2007.03.26) 透過日前在德國所舉行的漢諾威電腦展(CeBIT),Intel已經將Robson技術,正式更名為Turbo Memory技術,下一世代迅馳平台Santa Rosa主機板中,也都將預留Turbo Memory專用插槽。而Intel初期將推出的512MB及1GB Turbo Memory技術NAND加速模組,也已經由鴻海為其開模試產成功,下半年將配合Santa Rosa平台共同出貨 |
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三星發表8GB之moviNAND快閃記憶體 (2007.03.21) 南韓三星電子發表了可將NAND Flash與MMC控制器一起封裝在同一晶片中的技術,並推出高達8GB的moviNAND產品,其存取速度為原來4GB規格的兩倍,並採用50nm製程的16Gbit NAND Flash。主要應用領域將是具備音樂播放功能的手機和車用GPS等導航系統 |
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蘋果可能推出快閃記憶體架構的輕型筆記型電腦 (2007.03.13) 據外電消息報導,一家美國的市場分析機構表示,蘋果(Apple)將有可能在今年下半年時,推出以快閃記憶體(Flash Memory)為主要儲存架構的新款筆記型電腦。
該公司表示,這項預測的消息來源是來自業界,而且此新型快閃記憶體筆電將搭載Mac OS X作業系統的精簡版 |
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ST推出65nm PR系列NOR快閃記憶體產品 (2007.02.27) 手機快閃記憶體解決方案供應商意法半導體(ST),宣佈推出65nm PR系列NOR快閃記憶體產品。基於第四代multi-level cell(MLC)技術,65nm PR系列快閃記憶體的軟硬體可完全相容於現有的90nm PR系列NOR快閃記憶體,並提供更高的記憶體容量和更佳的性能,為客戶提供一條簡單的系統升級途徑 |
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Spansion成為全球最大NOR Flash供應商 (2007.02.15) 根據調查,2006年Spansion已經取代Intel(英特爾),成為全球最大的NOR快閃記憶體供應商。
市場研究機構iSuppli指出,2006年Spansion銷售額成長25.1%,而總體NOR市場僅成長8.1% |
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高通與Spansion合作開發新興市場低階CDMA手機 (2007.02.14) 3G CDMA手機通訊晶片大廠高通(Qualcomm)與儲存晶片與記憶體製造商Spansion聯合宣佈將合作生產低階價廉的手機晶片產品,以便降低成本,能在新興市場銷售更為廉價的CDMA手機,雙方認為此舉將能下降近25%的成本 |
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Intel將於2008年生產35奈米NAND Flash (2007.02.13) Intel(英特爾)宣佈與美光(Micron)合資的新加坡新廠中,將在2008年將以先進的35奈米製程技術,生產NAND型快閃記憶體(Flash)產品,而透過35奈米製程技術,英特爾將可大幅增加其成本競爭力;此外,隨著Santa Rosa平台的問世,Robson技術將結合NAND型Flash作為儲存的媒介,提高硬碟讀寫速度,且在手機記憶體當中,NAND型Flash也將扮演要角 |
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旺宏正式啟動NAND快閃記憶體開發計畫 (2007.02.01) 旺宏將正式啟動NAND快閃記憶體的開發計畫,以SONOS技術為基礎,預期四年後完成,屆時以45奈米製程技術投入量產,初期生產16GB與32GB的產品,今年並有意尋求策略合作夥伴 |
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消費電子應開始思考捨棄記憶卡設計 (2007.01.31) 現在的時間點為重新思考捨棄內嵌快閃記憶卡設計的好時機 |
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常憶0.25µm嵌入式OTP與標準邏輯製程相容 (2007.01.23) 非揮發性記憶體產品廠商常憶科技(Chingis Technology Corp.),於2007年一月正式宣佈0.25µm 一次性寫入式記憶體(OTP)通過全球半導體晶圓專工廠商聯電之認證。此項認證為常憶科技pFusion非揮發性記憶體邏輯及嵌入式快閃記憶體專利權之一,為目前可提供Macro size最小、可靠度最佳之產品 |
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三星電子推出內建快閃記憶體硬碟UMPC (2007.01.11) 三星電子(Samsung Electronics)這次在拉斯維加斯國際消費電子大展(CES 2007)展會上,新推出改良版的UMPC Q1P SSD,首次內建快閃記憶體硬碟,並且容量可達到32GB。
三星電子曾在去年2006年10月推出型號為Q1-Pentium以及Q1P的UMPC,不過其配備都是一般的1.8吋硬碟,Q1搭配的是Intel 1GHz的Pentium M 723處理器、60GB硬碟和1GB的內部記憶體 |
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新技術+新市場=日立面對Flash之攻防策略 (2007.01.10) 日立環球於2007年1月10號發表兩款產品,1TB的Deskstar 7 K 1000與1TB CinemaStar 7 K 1000,Deskstar主要為PC方面的應用,售價為$399。而CinemaStar主要用於DVR/STB的應用,價格未定。日立環球指出HD視訊已經成為消費者要求增加儲存空間的重要動力,此外,混合式硬碟將會是2008後的硬碟新趨勢 |
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300TB容量的新技術硬碟產品可在2010年實現 (2007.01.05) 全球硬碟大廠希捷(Seagate)宣佈今年2007年上半年將推出容量1TB的硬碟產品。
Seagate目前容量最高的硬碟產品為750GB。Seagate表示最快今年上半年,將向一部分專業電腦系統廠商推出容量1TB的硬碟產品 |
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SanDisk加快進度推出Flash硬碟期佔市場先機 (2007.01.05) 記憶卡製造大廠SanDisk正在加緊腳步,欲以快閃記憶體取代筆記型電腦中的硬碟,1月4日SanDisk推出新款應用在筆記型電腦用的快閃記憶體硬碟,預計在2007年上半年上市銷售 |
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不以現狀自滿  SanDisk積極搶佔記憶卡市場 (2006.12.19) 快閃記憶體儲存記憶卡大廠SanDisk今日(19日)在台舉辦聯合產品發表會,展示包括影片記憶卡錄影機、MP3播放機系列、USB快閃隨身碟、MMC記憶卡(Multi-Media Card)、SDHC(SD High Capacity)記憶卡等等 |
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奇夢達將暫停生產NAND Flash (2006.12.18) 在NAND型快閃記憶體(Flash)市場上,先前已有瑞薩(Renesas)選擇暫時退出此一市場,而德國記憶體大廠奇夢達(Qimonda)近期也正式表示,待現有庫存出清至本季為止,將暫時不再生產NAND型Flash產品,等到往後推出自行開發且跟得上市場的NAND型Flash產品技術後,奇夢達將再視市場狀態重回到NAND型Flash領域 |
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ST NAND快閃記憶體產品轉換為70nm製程 (2006.12.05) 意法半導體(ST)宣佈該公司全線採用70nm製程的NAND快閃記憶體產品現已上市。隨著512-Mbit(Small Page)和1/2/4/8-Gbit(Large Page)快閃記憶體轉換為ST先進的70nm製程,使該系列產品擁有領先的NAND快閃記憶體技術,並具有價格較低及功率消耗較小等特色 |
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ST新款串行快閃記憶體 針對PC BIOS應用 (2006.11.27) 串行快閃記憶體供應商意法半導體(ST),宣佈推出可抹除頁面M25PE系列串行快閃記憶體產品新增加的一個擁有4-Kbyte區塊的16-Mbit記憶體晶片,該產品可用於PC BIOS應用、光碟機、數位錄音機、網路產品以及機上盒(STB)等消費電子儲存應用 |
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晶圓級封裝產業現況 (2006.11.23) 封裝技術的發展日新月異,晶片設計已經進入了奈米時代,封裝也由傳統配角的角色,漸漸躍居晶片設計的重要環節。WLCSP不僅僅讓晶片體積縮小,得以滿足消費電子的需求,SiP封裝更能使各種不同製程的晶片,順利整合為成單顆,達到SoC的設計精神 |