CTIMES - 快閃記憶體

NAND Flash市場發展與應用趨勢 (2005.04.01)
4GB的NAND Flash將會是2005年和2006年的行動裝置系統設計主流，除了取代行動裝置的DVD和小型微型硬碟的使用外，並有效地完成行動數位影音錄製所有需求；由於NAND Flash的售價持續下滑，將提供消費者真實的行動儲存需求，而微型硬碟也將很快地功成身退

三星承諾將儘快紓解快閃記憶體供貨不足問題 (2005.03.23)
三星半導體執行長（CEO）黃昌圭來台參與該公司科技論壇時，行動電子產品市場對快閃記憶體（Flash）需求，估計2007年手機等可攜式產品對記憶體的需求將超越PC。黃昌圭並對與會的台灣記憶體模組表示，三星將自4月起紓解快閃記憶體供貨不足的問題

英特爾發表新款NOR快閃記憶體技術 (2005.03.09)
英特爾公佈多款即將推出的NOR快閃記憶體產品，擴大其2005年手機與嵌入型方案產品的陣容。針對手機市場推出的第一款產品代號為 Sibley，這是第一款採用英特爾90奈米製程技術的NOR多層Cell(multi-level cell；MLC)快閃記憶體

ST瞄準3G行動電話市場發佈256Mbit NOR型快閃記憶體 (2005.03.08)
ST日前發佈了256Mbit的NOR型快閃記憶體晶片，該元件採用已建構的每單元（cell）2位元架構，能在更小的裸晶尺寸中強化記憶體密度。ST的M30L0R8000x0是2位元/cell系列的首款元件，目前ST也正在研發128Mbit與512Mbit的晶片

M-Systems DiskOnChip將獲得TTPCom支援 (2005.02.24)
M-Systems與數位無線技術廠商TTPCom於24日宣布：TTPCom的2.5G協定軟體將支援DiskOnChip，藉此為日益成長的多功能手機市場，帶來進一步的擴充性。這項新發展顯示，多媒體多功能手機對於高容量嵌入式記憶體解決方案的迫切需求，亦讓M-Systems的DiskOnChip能仰賴TTPCom的技術，內建至全球數百萬部手機之中

東芝NAND快閃記憶體12吋廠正式開工 (2005.02.21)
NAND快閃記憶體市場供不應求，東芝去年四月宣佈興建的12吋NAND快閃記憶體廠，即將在2月21日於日本四日市正式開工；據了解，東芝也決定將12吋廠的NAND晶片後段封測訂單交予台灣封測廠力成代工，預計六月起就會開始釋出訂單

三星以先進製程站穩NAND型Flash市場優勢 (2005.02.17)
據南韓媒體報導，NAND型Flash龍頭大廠三星電子（Samsung Electronics）正積極由90奈米製程轉入70奈米製程，量產高容量4Gb NAND型Flash，而緊追在後的日本東芝（Toshiba）亦宣佈計畫於今年夏天導入70奈米製程科技投產8Gb NAND型Flash，兩大廠積極以先進製程拉大與其他NAND型Flash後進者的差距

快閃記憶體2004年成長表現亮眼 (2005.02.04)
市調機構iSuppli針對全球快閃記憶體（Flash）發表最新報告指出，由於多媒體手機、數位相機、MP3等產品熱銷，NOR及NAND兩種規格快閃記憶體2004年表現皆佳。在NOR晶片部份，營業額高達95億5800萬美元，成長28.7％；至於NAND晶片成長最大，全球營業額達63億3700萬美元，年成長率高達50.1％

IDM廠釋單　記憶體測試代工產能吃緊 (2005.01.27)
據業界消息，國際IDM業者陸續釋出記憶體委外測試代工訂單，也讓台灣測試代工業者首季業績可望再創新高；其中京元電可望取得瑞薩（Renesas）、英飛凌的NOR規格快閃記憶體訂單，力成也將接受超捷（SST）及超微的快閃記憶體晶圓測試（Wafer Sort）代工訂單

不敵Intel削價競爭 AMD快閃記憶體恐陷虧損 (2005.01.18)
據外電消息，英特爾（Intel）和超微（AMD）在快閃記憶體（Flash）市場的消長之勢又出現變化，Intel在2004年第四季成功以削價策略挽回市佔，使得AMD的Flash事業大受打擊，該部門恐陷入營運淨損的窘境

廠商競逐奈米製程 NAND Flash價格再跌 (2005.01.12)
據業界消息，NAND型快閃記憶體（Flash）價格競爭激烈，記憶體業者為降低成本，將以奈米製程全面迎戰；市場龍頭大廠三星即宣佈已成功開發出63奈米的8Gb NAND Flash生產技術

M-Systems推出新一代行動記憶體解決方案 (2005.01.11)
M-Systems正式推出DiskOnChip G4，專為主流多媒體行動裝置設計的新一代記憶體解決方案。採用MLC(多層式儲存格)NAND技術的DiskOnChip G4，正是為了提供同類產品中最佳的成本結構而設計，同時具備優於DiskOnChip G3三倍、MLC NOR二十倍的寫入性能，讀取性能更勝於其他NAND裝置

力晶1Gb AG-AND Flash良率獲突破邁入量產 (2005.01.03)
據業界消息，記憶體大廠力晶12吋廠第四季在代工生產日本瑞薩科技（Renesas）的1Gb AG-AND Flash（快閃記憶體）產品上獲得重大突破，目前良率已經有所突破，投片量也達每月1000片左右，是台灣第一家量產1Gb NAND Flash的晶圓廠

英飛凌打造全世界最小的非揮發性快閃記憶體單元 (2004.12.28)
英飛凌科技的科學家打造出了全世界最小的非揮發性快閃記憶體單元。這種新記憶體單元小達20奈米，大約比人的毛髮細5,000倍。由於所有製造方面的挑戰，包括微影，都能夠被解決，所以這種新的發展將在近年內就可能使非揮發性記憶體晶片有高達32 Gbit 的容量

美光90奈米高容量NAND型Flash順利量產 (2004.12.22)
DRAM大廠美光（Micron）宣布，該公司以90奈米製程製造的首款2G NAND型快閃記憶體（Flash）產品，已按照規劃時程進入量產階段。該公司切入高容量NAND型Flash領域動作迅速，從初期設計階段到量產在不到兩年的時間內就完成

英特爾奪回NOR型快閃記憶體龍頭寶座 (2004.11.23)
據市調機構iSuppli最新報告指出，全球半導體大廠英特爾降價策略奏效，旗下NOR型快閃記憶體終於得以重振雄風，打敗勁敵Spansion，奪得市場佔有率第一的位置；此外，第三季NOR型flash市場規模比Q2衰退8.9%，除英特爾和三星外，前10名廠商表現紛紛退步，而Spansion該季銷售額更是掉了2成

搶佔PROMISE REV超值優惠，就在12月資訊展 (2004.11.22)
為讓消費者可以近距離體驗PROMISE REV分離式硬碟技術所帶來的極速便利，喬鼎資訊將在12月4日至12日資訊月展覽期間，於世貿一館志旭國際攤位(C626-628;C725-727)實機展示，並提供超值優惠供民眾現場搶購

Intel快閃記憶體業務表現佳躍居全球第二 (2004.11.21)
市調機構iSuppli針對全球快閃記憶體（Flash）市場公布最新調查指出，2004年第三季全球Flash銷售額為39.9億美元，較2004年第二季的42億美元下滑4％。而在廠商排名方面，大廠英特爾（Intel）的Flash業務在第三季度表現亮眼強勁，市場佔有率從先前的第四躍居至第二位

挑戰Flash市場龍頭 Spansion推ORNAND架構 (2004.11.10)
外電消息，富士通（Fujitsu）與超微（AMD）合資成立的快閃記憶體（Flash）大廠Spansion，宣布將以其MirrorBit專利技術生產結合NOR與NAND型Flash特長的新產品；該公司執行長Bertrand Cambou表示，此一名為ORNAND架構的產品未來將橫掃全球Flash市場

AMD更新最新之第三季業務展望 (2004.10.07)
AMD宣布，甫於2004年9月26日截止之2004會計年度第三季的業績，淨收入可望超越第二季的3200萬美元。AMD先前原來預期，第三季的業績將會較第二季營收之12.62億美元持續微幅成長