 |
Ramtron在V系列增添串列512Kb FRAM (2008.11.20)
Ramtron International推出F-RAM系列產品中的第二款串列元件FM25V05，提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串列周邊介面（SPI）的非揮發性RAM，採用8腳SOIC封裝，特點包括快速訪問、無延遲（NoDelay）寫入、1E14讀/寫次數和低功耗 |
|
Ramtron推出1Mb並行FRAM (2008.11.18)
Ramtron推出全新並行和串列FRAM系列中的首款並行產品，提供更高速的讀/寫性能、更低的工作電壓和可選元件的特性。Ramtron的V系列FRAM產品中的最新元件FM28V100，是100萬位元、2.0至3.6V的並行非揮發性RAM，採用32腳TSOP-I封裝，具備快速訪問、無延遲（NoDelay）寫入、無乎無限的讀寫次數和低功耗特性 |
 |
新一代NVM記憶體之爭 MRAM贏面大 (2008.11.12)
全球先進半導體設備及製程技術供應商Aviza今日（11/13）在台表示，MRAM有希望從多家新一代非揮發性記憶體（Non-Volatile Memory;NVM）技術中脫穎而出，並取代目前主流的SRAM，成為終極的通用型記憶體解決方案 |
|
Ramtron百萬位元串列FRAM記憶體 (2008.09.18)
Ramtron宣佈推出新型F-RAM系列中的首款產品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選元件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產品的首款元件FM25V10，是100萬位元（Mb）、2.0至3.6V、具有串列外設介面（SPI）的非揮發性RAM，採用8腳SOIC封裝，其特點是快速存取、無延遲（NoDelay技術）寫入、1E14讀/寫次數和低功耗 |
|
Ramtron委任貝能國際擴大FRAM中國銷售管道 (2008.08.18)
Ramtron International將進一步增強中國市場滲透的措施，委任貝能國際（Burnon International）在中國內地及香港地區分銷其全系列產品。
過去七年半以來，Ramtron在中國市場的銷售大幅度成長，現在中國市場銷售額占該公司亞太地區銷售額超過三分之二 |
|
其陽選擇Ramtron的FRAM用於遊戲機解決方案 (2008.08.08)
台灣應用工業計算平台製造商其陽科技（Aewin Technologies），已在其以Intel為基礎的 GA-2000及以AMD為基礎的GA-3000遊戲和高解析度多媒體PC電路板中，設計使用Ramtron的FM22L16 400萬位元FRAM非揮發性記憶體 |
|
Energy Optimizers選擇FRAM用於管理插頭 (2008.07.25)
Ramtron宣佈，英國的 ZigBee和藍牙智慧節能設備設計和製造商Energy Optimizers已將Ramtron的FM25L512 512千位（Kb）串列F-RAM記憶體，設計用於其Plogg系列無線能量管理插頭中。F-RAM所提供的無延遲（NoDelay）寫入、幾乎無限的耐用性及低功耗特點 |
|
Ramtron串列F-RAM達汽車電子AEC-Q100標準 (2008.05.28)
Ramtron International擴展其符合AEC-Q100標準要求的F-RAM記憶體產品，FM24CL64 64Kb串列F-RAM已通過認證，可在-40至+85℃的Grade 3汽車溫度範圍內使用。FM24CL64是Ramtron不斷擴充的通過Grade 1（+125℃）和Grade 3 AEC-Q100認證的汽車記憶體產品的一部分 |
|
Ramtron推出FRAM增強型系統管理解決方案 (2008.03.25)
非揮發性鐵電隨機存取記憶體（FRAM）和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈，推出64Kb、3V的Processor Companion產品FM3135，它結合了非揮發性FRAM記憶體與增強型即時時鐘/日曆（RTC）及整合式32kHz時鐘晶振之優點 |
 |
非揮發性FRAM記憶技術原理及其應用初探 (2007.10.26)
FRAM是以RAM為基礎、運用鐵電效應、並使用浮動閘技術作為一個儲存裝置。鐵電結構是基本的RAM設計，電路讀取和寫入簡單而容易。FRAM不需要定期更新，即使在電源消失的情況下，仍能儲存資料 |
|
美國賓州大學完成高密度FeRAM技術研究成果 (2007.10.24)
美國賓夕法尼亞大學結合化學以及機械工程的教授團隊，近期在奈米多尺度力學領域的研究有了重要的突破。10月中他們宣布完成了鐵電域壁（domain walls，亦稱疇壁）的多尺度模型（multi-scale modeling），並提出新的鐵電域壁移動理論，他們發現藉由可滑移的壁，能夠分隔鐵電域壁的磁區，藉由這項技術將可實現高密度的鐵電記憶體 |
|
韓商將FRAM應用於DSP車用音響平台中 (2007.08.03)
非揮發性鐵電隨機存取記憶體（FRAM）和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈，韓國的Daesung-Eltec公司已將 FRAM記憶體設計於其以數位信號處理（DSP）為基礎的汽車音響平台中 |
|
富士通全新2Mbit FRAM元件正式量產 (2007.06.22)
香港商富士通微電子有限公司台灣分公司宣佈其2 Mbit FRAM記憶體晶片已開始供貨上市，為目前全球可量產的最大容量FRAM元件。富士通的MB85R2001和MB5R2002晶片內建非揮發性記憶體 |
|
淺述嵌入式FRAM記憶體的MCU技術 (2007.05.16)
鐵電記憶體（FRAM）現正成為許多設計工程師所喜歡的非揮發性記憶體。隨著記憶體技術漸趨成熟，已由獨立的形式轉變為嵌入式，市場對嵌入式FRAM的興趣也越來越濃，而本文將描述嵌入式FRAM 的應用實例 |
|
Ramtron發表新一代FRAM記憶體 (2007.03.30)
Ramtron發表業界第一款400萬位元的FRAM記憶體，此並為密度最高的FRAM產品，容量為既有FRAM記憶體的四倍。FM22L16採用44接腳、薄型小尺寸塑膠（TSOP）封裝的3V、4Mb並列式非揮發性RAM，具備高存取速度、幾乎無上限的讀/寫次數、以及低功耗等優點 |
|
Ramtron推出+125℃ FRAM記憶體FM25C160 (2007.03.05)
非揮發性鐵電記憶體(FRAM)和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International宣佈推出首款 +125℃ FRAM記憶體 FM25C160。該款5V 16Kb 的串列SPI介面 FRAM可滿足Grade 1和AEC-Q100規範的要求，可在 -40℃到 +125℃ 的整個汽車溫度範圍內工作 |
|
Ramtron全新單晶片解決方案採用微型封裝 (2006.11.03)
非揮發性鐵電記憶體(FRAM)和整合半導體產品供應商Ramtron International公司，宣佈推出64Kb、3V FRAM-Enhanced Processor Companion產品FM3130，在微型封裝中將非揮發性鐵電RAM和整合式即時時鐘/日曆(RTC)兩者的效益結合在一起 |
|
Ramtron推出FRAM增強型8051 微控制器 (2006.06.18)
非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (FRAM) 和整合半導體產品供應商及開發商Ramtron International宣佈推出市場上以8051為基礎、並具有非揮發性FRAM記憶體的微控制器VRS51L3074。Ramtron已將FRAM加進到其兼具高速與彈性的Versa 8051系列中，以便實現快速和可靠的非揮發性資料儲存和處理系統，而這種系統只有FRAM增強型微控制器才能提供 |
|
高科技 安樂死 (2003.07.05)
在這個高度資訊化的時代，每天都有許多新科技、好科技，不斷被提出，就像是曾引起廣泛討論與期待的FRAM（鐵電記憶體）、MRAM（磁阻式記憶體）與Bluetooth（藍芽）、HomeRF等技術一樣，但是除了技術本身之外，許多外在因素包括市場等後天條件的配合，好像才是其能否避免「安樂死」－－尚未享受正常生命週期就必須殞落的關鍵 |
|
以提供高整合度半導體儲存技術為職志 (2003.03.05)
從1989年首度提出Flash Disk概念就專注於快閃磁碟解決方案的M-System（艾蒙系統），耕耘快閃記憶體技術多年，近年來由於資訊產品可攜式的概念風行，同時具備高儲存容量、體積小與重量輕的快閃記憶體技術，在可攜式產品與可攜式儲存解決方案上相當受到市場歡迎，使得該公司在發展高整合度的半導體儲存技術上更具信心 |
