CTIMES - 其他記憶元件

三星將支出3億美元擴充DRAM產能 (2004.02.05)
網站Silicon Strategies消息指出，為因應DRAM需求攀升，南韓三星（Samsung）電子2004年度將支出3597億韓元（約3.07億美元），用來擴充DRAM產能。分析師認為，三星在致力於Flash市場維持競爭力的同時，也將盡力守住DRAM市場霸主地位，因此有必要持續針對這些重點記憶體產品加碼投資

美光今年資本支出將達16億美元 (2004.02.05)
據道瓊社（Dow Jones）消息，記憶體大廠美光（Micron）2004年度（2003年9月～2004年8月）資本支出將近16億美元，其中大部份資金預計運用在維吉尼亞廠12吋產能擴充上。該公司在新年度除將技轉12吋晶圓生產外，也將調整產品線生產比重

從三星經驗看「韓流」 (2004.02.05)
近年來南韓半導體產業的蓬勃發展為全球有目共睹，而其中三星電子集團的崛起與快速成長，更是業界關注的焦點，該公司挾其龐大資本、產能與先進記憶體技術，在國際市場地位日益顯著；本文將由三星的發展歷史與營運策略，為讀者分析此一波強勁「韓流」走勢

NOR Flash銷售比重將被NAND Flash逐漸趕上 (2004.01.27)
據市調機構iSuppli最新預測，由於市場需求持續高漲，Flash市場一路成長，推估2004年成長幅度將達近4成，值得注意的是，原本屬Flash市場銷售大宗的NOR Flash，將逐漸被NAND Flash趕上，所佔的比重差距將在新的一年裡大幅拉近

FASL計畫進軍NAND型Flash市場 (2004.01.08)
據日本工業新聞報導，由日本富士通與超微（AMD）合資成立的NOR型快閃記憶體（Flash）業者FASL日前表示，該公司有意跨足NAND型快閃記憶體市場，並預定在2004年中推出相關產品，與三星、東芝等主力廠商分庭抗禮

2004年NAND Flash市場將持續成長 (2004.01.06)
工商時報引述市調機構iSuppli之最新調查報告指出，三星與東芝2大業者掌控2003年全球約9成NAND快閃記憶體（Flash）市場，雖許多記憶體廠商宣佈投產NAND晶片，但2004年由2大供應商寡佔市場局勢仍不會改變

美光宣布跨足NAND Flash市場 (2003.12.31)
網站Semiconductor Reporter消息指出，DRAM大廠美光（Micron）宣布將跨足NAND型快閃記憶體（Flash）市場，以擴充該公司記憶體產品線。台灣DRAM廠認為美光之加入，將為NAND型Flash市場掀起新一波激烈競爭；但由另一角度來看，因DRAM廠產能陸續轉做Flash，反而有助於DRAM價格止跌回升

iSuppli預估2003年Flash市場將成長40％ (2003.12.31)
據市調機構iSuppli的最新調查報告，快閃記憶體（Flash）為所有半導體產業中成長速度最快的產品，估計2003年Flash市場將大幅成長40％，規模超過110億美元，其中NAND型晶片需求大量浮現，且預估可在2006年取代NOR Flash成為市場大宗

瑞薩追加330億日圓投資擴產快閃記憶體 (2003.12.29)
日本經濟新聞報導，為縮短與三星電子與東芝之間的距離，日本半導體大廠瑞薩科技（Renesas）表示，將追加投資330億日圓（約3億美元），擴充快閃記憶體（Flash）產能。瑞薩2003年度設備投資預算為900億日圓，此為該公司二度追加投資計畫，預計全年度設備投資額已累積至1300億日圓（約為12億美元）

Hynix來台尋求利基型記憶體代工機會 (2003.12.15)
據Digitimes報導，因利基型記憶體面臨產能吃緊壓力，台系設計公司再度面臨尋覓代工廠壓力，據IC設計業者透露，部份記憶體設計公司與南韓記憶體廠海力士（Hynix）接觸，尋求代工產能的可行性，Hynix近期派員來台獲得初步協議，最快2004年上半128MB SDRAM產品線可導入試產

茂德「科技群英會」廣募新血 (2003.12.12)
茂德科技（ProMos）13日於新竹科學園區舉辦大規模的「科技群英會」人才招募活動，招募的對象包括了半導體製程、研發、資訊技術、市場行銷與管理等各領域的專業人才

摩托羅拉半導體加速奈米晶體快閃記憶體研發時程 (2003.12.10)
已獨立的摩托羅拉（Motorola）半導體部門（Semiconductor Products Sector；SPS）日前宣佈，該公司已加速對於奈米晶體快閃記憶體（Nanocrystal Flash）研發時程；市場分析師指出，該款快閃記憶體將可至少向下延伸到45奈米製程節點，摩托羅拉預定2005年時可推出樣本，並可在2005年將目前之90奈米製程進階至65奈米

Semico Research預估Flash缺貨情況將持續4個月 (2003.11.27)
由於終端需求增加，目前市場正出現全球性的快閃記憶體（Flash）缺貨狀態，包括東芝等供應廠商隨即宣佈將增加資本支出，提高快閃記憶體產能，但據網站Silicon Strategies引述市調機構Semico Research報告，廠商擴產速度仍將緩不濟急，估計目前快閃記憶體缺貨期長達4個月

日立數據系統發表Thunder 9580V系列 (2003.11.25)
企業儲存方案供應商日立數據系統（Hitachi Data Systems）25日於台北紅樓劇場舉行「高階Thunder 9580V模組化儲存系統發表會」，會中針對最新產品Thunder 9580V系列做詳細介紹，並發表多項儲存服務解決方案，以及未來儲存概念，提供現場來賓儲存產品技術與趨勢的最新資訊

記憶體秘密檔案 (2003.11.05)
記憶體元件或記憶裝置由其特殊性觀察之，為邏輯元件與感測元件之間的媒介，必須具有隨機存取的記憶功能，發揮支援系統之間各種運算與處理作業。本文以記憶體為主題，分類說明記憶體之特殊性、媒介性與功能作用，同時據此對照出記憶體未來可發展的方向

Ovonic Unified Memory支援獨立型記憶體與嵌入型裝置應用 (2003.11.05)
OUM的資料儲存作業是透過類似可複寫CD或DVD光碟使用的硫屬合金材料所製成的薄膜，藉由熱引起的相位變化在無規律與多晶排列的狀態之間進行切換。OUM技術被視為高密度、低電壓、高cycle-count的非揮發性記憶體，適合於VLSI獨立型記憶體以及各種嵌入型產品的應用

淺談磁性記憶體技術原理與前景 (2003.11.05)
新一代的磁性隨機存取記憶體不僅擁有flash的非揮發特性，DRAM的高集積度以及SRAM的高速存取特性；同時MRAM還具有相當高的的讀寫次數壽命，幾乎是兼具現有三大記憶體的優點，所以被稱為下一代的夢幻記憶體

英特爾將推出1GB手持式記憶體 (2003.10.16)
英特爾在今年台北舉辦的英特爾科技論壇（IDF）中宣布，將生產最高可達到1GB容量的手持式裝置專用記憶系統。英特爾資深副總裁Ron Smith表示，此產品的技術架構採最新的高階堆疊式封裝，可將英特爾的StataFlash記憶體和動態記憶體（RAM）堆疊在一起，做成大小只有8x11公釐的記憶體模組

可攜帶行動裝置 (2003.10.05)
行動裝置繁多，可以大致歸類成三個大項：通訊、儲存和即時性的資料處理。分別滿足人們隨時通訊，和資訊帶著走及分析的需要。由這些項目的代表性產品來看，通訊是手機、或無線網路；儲存是隨身碟、數位相機等；即時性的資料處理就是Plam、Notebook，甚至掌上型電玩都算是其中一類

MRAM為我國磁儲存產業發展重點 (2003.08.20)
中央社報導，工研院光電所副所長黃得瑞於台灣磁性技術協會所主辦的研討會中指出，台灣目前磁性產業產值約為台幣100至200億元，且未來仍有發展空間，未來發展重點則是在磁儲存技術領域，尤其是MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）技術的研發