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典故
USB2.0——讓電腦與周邊設備暢通無阻

USB2.0是一種目前在PC及周邊設備被廣為應用的通用串列匯流排標準,擺脫了過去侷限於PC的相關應用領域,而更深入地應用在數位電子消費產品當中。
力成湖口封測新廠落成 (2006.01.24)
國內記憶體封測大廠力成科技舉行湖口新廠及總公司落成啟用典禮,由董事長蔡篤恭親自主持。由於去年底以來,英特爾支援DDR2晶片組缺貨問題獲得紓解,DDR2景氣熱度逐步加溫
國內DRAM廠籌資 將超過300億元 (2006.01.16)
雖然包括迪訊(Dataquest)、iSuppli在內的市場調查機構,均對今年DRAM市場景氣抱持保守態度,但包括力晶、茂德、南亞科技、華亞科技在內的四家國內DRAM廠,今年仍積極擴建十二吋廠,四家業者已經開始新一輪的籌資
台灣12吋DRAM新廠 今年將增加五座 (2006.01.16)
國內四家DRAM廠力晶、茂德、南亞、華亞等,今年上半年將向資本市場籌措達300億元資金,而所得資金將用來興建或擴充十二吋廠產能,若以各家DRAM廠規劃來看,力晶中科十二吋廠、南亞自建十二吋廠等將在今年上半年陸續動土
英飛凌90奈米製程技術移轉中芯 (2006.01.06)
德國DRAM大廠英飛凌科技已與大陸晶圓代工廠中芯國際達成協議,中芯獲得英飛凌90奈米DRAM溝槽式(Trench)製程技轉,並在北京十二吋廠中以90奈米技術為英飛凌代工512Mb DDR2,初估英飛凌將可取得中芯北京廠每月1萬5000片以上產能
集邦科技:DRAM價格上揚趨勢將維持至農曆年前 (2006.01.04)
根據DRAM報價網站集邦科技(DRAMeXchange)表示,在耶誕節和新年假期間, DRAM現貨市場交易逐漸趨緩。大多數的買賣雙方對價格的走勢保持觀望的態度,等待年後更明確的價格走勢
DRAM跌價 美光獲利縮水 (2005.12.23)
全美第一大電腦記憶晶片廠商美光公布本會計年度第一季財報,獲利因電腦記憶晶片跌價而縮水六成,但該公司依舊對前景懷抱信心。 美光該季獲利6260萬美元,每股盈餘為9美分,低於分析師預期,也比去年同期減少六成
DRAM現貨價上漲 合約價維持跌勢 (2005.12.21)
雖然DRAM現貨價在近一週內出現反彈,但是十二月下旬合約價卻未因此而止跌。由於OEM電腦大廠的採購補貨動作多於十二月上旬告一段落,在需求量明顯較上旬冷清情況下
iSuppli:明年DRAM市場將出現負成長 (2005.12.16)
儘管市場分析師看壞明年DRAM市場,但實際上今年第四季價格大跌,部份DRAM廠獲利大幅縮減,對明年的擴產動作已轉為謹慎保守,所以明年全球DRAM市場景氣是好是壞,台灣業者的動作將是重要關鍵
下半年DRAM產量充裕 影響市場行情 (2005.12.14)
根據統計,今年11月份全球DRAM總產出量,已經正式突破7億顆256Mb約當顆粒大關,約來到7億400萬顆,若分析11月各地區的產出量成長情況,此次主要成長動力來自於日本爾必達(Elpida),產能月成長率約達14%,其它地區則有1~3%不等的成長幅度
爾必達12吋新廠啟用 目標全球前三大DRAM廠 (2005.12.02)
日本DRAM大廠爾必達(Elpida)宣布,位於日本廣島的十二吋廠E300新建生產線正式落成啟用,除了明年第一季月產能可達5萬4000片外,十二吋廠也將全線導入90奈米製程量產512Mb DDR2及遊戲機用XDR記憶體等高階產品
DRAM廠第四季毛利率將下滑至10~15% (2005.11.24)
第四季以來,國內DRAM廠看好年底歐美傳統旺季需求,認為主流產品256Mb DDR現貨價可望維持在2.5美元,不過十月份主機板廠或筆記型電腦(NB)廠出貨雖再創新高,但DRAM卻由十月初的2.6美元,一路跌至的2.1美元
市場競爭加劇 各廠商提升NAND Flash產能 (2005.11.22)
記憶晶片產業的競爭加劇在即,東芝和三星皆傳出調整記憶晶片生產線的消息。日經產業新聞報導指出,東芝試圖使該公司NAND晶片的讀寫速度於明年提高一倍,用以增強東芝與龍頭廠商三星電子競爭的實力,而三星電子同日對外宣布,擬斥資6370億韓元(約合新台幣208億元)擴張包括NAND在內的記憶晶片產能
十二吋晶圓廠群聚中科 (2005.11.14)
茂德近日將為台中科學園區的十二吋DRAM晶圓廠舉行落成啟用典禮,這是中科第一座量產的十二吋廠。另一家投產DRAM的華邦十二吋廠,也將於2006年第一季進行量產。此外,茂德還計畫2006年下半年動土興建第四座十二吋廠,力晶亦計畫至中科后里基地申請十二吋建廠用地,台中科學園區已然成為十二吋DRAM晶圓廠群聚之處
台灣三DRAM廠成長率全球居冠 (2005.11.09)
市場調查機構迪訊(Gartner Dataquest)公佈2005年第三季全球DRAM廠商排名,基本上主要DRAM廠排名與第二季相若,但若由營收季成長率來看,南亞科、力晶、茂德等台灣DRAM三雄分居前三名,顯示台灣業者積極佈建十二吋廠動作,的確有效拉抬市場佔有率
TSIA:DRAM製程獎勵應維持0.18微米 (2005.10.03)
經濟部日前正進行兩年一次「新興重要策略性產業屬於製造業及技術服務業部分獎勵辦法」之檢討,其中DRAM部份,擬將獎勵範圍修訂為「DRAM(設計以製程0.13微米以下技術)」
奈米製程帶給DRAM廠機會與挑戰 (2005.09.30)
隨著國內DRAM廠華亞、茂德等相繼開始採用90奈米製程生產,國內DRAM產業也正式跨入奈米製程世代,但是有了去年0.14微米微縮至0.11微米的慘痛教訓,國內DRAM廠這回在奈米世代的進程就顯得小心翼翼,拉長在前段試產的學習曲線時間,以期未來導入量產後,可以較平順的拉大產量
工研院研究DRAM材料獲重大突破 (2005.09.21)
工研院電子所繼日前與國內DRAM大廠力晶、茂德、華邦與南亞等共組「新世代相變化記憶體」技術研發聯盟後,近日則再宣佈DRAM技術獲得關鍵性突破。工研院電子所成功研發出以高介電係數(high-k)材料為主的金屬-絕緣層-金屬(Metal-Insulator-Metal;MIM)電容結構
中芯以DRAM填補產能空缺 為市場投入價格變數 (2005.08.01)
中芯國際公佈第二季財報,由於中芯於第二季擴大上海八吋廠及北京十二吋廠的DRAM投片,雖受到DRAM第二季價格大跌影響,讓其第二季晶圓平均出貨價格跌至807美元,毛利率也跌至2.3%,但是中芯的產能利用率還維持在87%
記憶體價格看漲 封測廠直接受惠 (2005.07.15)
旺季效應持續發效,包括DRAM、NAND快閃記憶體等價格持續看漲,為了搶佔商機,包括力晶、茂德、爾必達、東芝等12吋廠產能陸續開出,這些記憶體廠最大後段封測代工夥伴力成則直接受惠,市場預期第三季營收可挑戰30億元
茂德成功試產90奈米DRAM晶圓 (2005.07.14)
茂德科技首批以90奈米堆疊式(stacked)製程技術投產的512Mb DDR12吋晶圓,已於本月八日正式產出,平均良率均超過60%以上,顯示中科12吋廠現有生產線已具量產能力。由於中科12吋廠建置速度較預期中快,因此茂德也決定,明年首季月產能將拉高至1萬5000片,明年下半年就可達3萬片規模

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