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科技
典故
Internet的起源

組成Internet的兩大元件,一是作為傳達內容的本體—超文本,另一個是傳輸的骨幹—網路,網際骨幹可追溯到1968年的美俄冷戰時期,當時美國國防部的DARPA計畫發展出ARPANET,網頁結構則是由超文件(Hypertext)演變而來。
美光將與南亞科技合作50奈米DRAM的設計與開發 (2008.04.09)
美光科技(Micron Technology)和南亞科技(Nanya Technology)共同合資成立了50奈米級的DRAM設計開發公司。據了解,兩公司已經交換備忘錄,在往後幾個月內將正式簽定合作契約,雙方未來將共同進行DRAM的設計與開發,以提高投資效率並強化市場競爭力
力晶竹科P4/P5廠動土 總投資2500億新台幣 (2008.04.08)
力晶半導體於本月8日舉行第四座與第五座十二吋晶圓廠(P4/P5廠)新廠動土典禮。於竹科興建的兩座十二吋晶圓廠,總投資額達新台幣2500億元,將創造逾3600個工作機會。力晶以具體行動展現積極投資台灣的決心,結合竹科既有三座十二吋晶圓廠和中科瑞晶電子的龐大先進產能,凸顯力晶躋身世界級記憶體大廠的企圖心
尋找新投資者 中芯國際考慮出售股份 (2008.04.01)
外電消息報導,中國中芯國際(SMIC)日前表示,目前正與投資者洽談出售股份的計劃,若協議順利達成,將有可能出售16%的股份。 由於受全球DRAM市場不景氣的影響,中芯已連續2年的業績都出現虧損,而目前該公司正積極的調整其營運計畫,以因應虧損的狀況
茂德最快第二季將獲海力士54奈米製程技術 (2008.03.17)
茂德與海力士間的次世代技術授權談判近期將出現進展。據了解,由於南韓政府放行,海力士可將技術移轉海外合作夥伴,因此茂德與海力士間的技術授權談判已重新開啟,未來茂德可望取得海力士先進的54奈米製程技轉
美光與南亞科技簽約合作開發50奈米DRAM技術 (2008.03.05)
美光科技(Micron Technology)和南亞科技(Nanya Technology)宣布,共同合資成立了50nm級的DRAM設計開發公司。兩公司已經交換備忘錄,在往後的數個月內將正式簽定合作契約。雙方將共同進行設計開發DRAM產品,以提高投資效率並強化市場競爭力
力晶與IMEC簽約合作開發新世代製程技術 (2008.01.28)
力晶半導體宣佈與比利時微電子研發中心(IMEC)合作,共同開發32奈米微影技術,以強化該公司在先進記憶體製程的研發動能。 據了解,IMEC產學合作研發績效卓著,在半導體領域累積可觀的科技能量,目前該中心所從事的研發工作,估計領先業界需求三至十年
奇夢達開始供應首款512Mb XDRTM DRAM樣品 (2008.01.18)
奇夢達宣佈已開始向客戶供應首款512Mb XDR DRAM的樣品。XDR(Extreme Data Rate)記憶體解體決方案擴展了奇夢達的繪圖RAM產品組合,以針對全球成長快速的電腦和消費性電子市場,提供更佳的高效能、高頻寬應用
分拆、分拆、再分拆 (2008.01.17)
最近有傳聞,認為台灣的華邦電子(Winbond)有可能進行分拆,將邏輯性的晶片產品分立出去,而自身將專注於DRAM記憶體的研製業務。無論此傳聞是否為真,但此一推論也確實有據,並非空穴來風,以下筆者將以其他國外先例來說明此一發展可能
報告:06-11年亞洲半導體年複合成長率達10.8% (2007.12.11)
外電消息報導,市場研究公司In-Stat日前發表一份最新的研究報告表示,亞洲半導體的生產能力將持續增強,自2006年至2011年之間,年複合成長率將達到10.8%。 該篇研究報告指出,亞洲半導體製造業正持續且快速的提高其生產能力,而這種趨勢在未來幾年內還會繼續下去
廣穎電通代理Elixir記憶體獲2007年台灣精品獎 (2007.12.03)
國內快閃記憶體廠商廣穎電通(Silicon Power),獨家代理全球DRAM大廠南亞科技台灣區Elixir品牌記憶體,旗下Elixir DDR2-1066記憶體模組首次參與經濟部主辦台灣精品獎評選,以高品質與高性能表現,深受評審青睞與肯定,榮獲第15屆台灣精品獎殊榮,突顯出Elixir品牌記憶體之效能與創新設計
為提升獲利 DRAM廠紛導入70奈米製程 (2007.11.12)
DRAM以70奈米製程生產時,測試時間將增加40%。據了解,512Mb的DDR2毛利下跌,因此DRAM廠商為了降低生產成本,紛紛將製程導入70奈米,而產品線也開始轉向生產價格較高的1Gb DDR2
聯電跨足記憶體 與爾必達交互授權技術 (2007.10.25)
聯電積極佈局記憶體市場,將與日本爾必達(Elpida)合作進行交互授權,由爾必達提供聯電SOC內嵌DRAM所需的技術,聯電則提供爾必達發展先進製程所需的低介電質銅導線(low-k/Cu)專利
短暫的復甦之後 DRAM市場將再度減弱 (2007.09.04)
根據市場研究公司iSuppli發表報告指出,DRAM記憶體市場在今年第2季短暫的反彈後,將在9月再度轉弱,2007年DRAM記憶體市場約可成長1.97%。 iSuppli 認為,DRAM記憶體因生產過剩而造成持續地過度供給,價格將自9月開始下跌
奇夢達提供華邦75奈米和58奈米DRAM製程技術 (2007.07.06)
德國奇夢達(Qimonda AG)將提供台灣廠商華邦電子(Winbond Electronics)75奈米和58奈米製程之DRAM製造技術。據了解,華邦將在台灣的12吋晶圓廠生產線上導入75奈米和58奈米製程技術,並生產提供給奇夢達的DRAM晶片
Renesas推出適用汽車導航系統之單晶片電源供應IC (2007.07.02)
瑞薩科技宣佈推出適用於汽車導航系統之R2S25402FT單晶片電源供應控制IC,預計於2007年9月起在日本開始提供樣品。 R2S25402FT是瑞薩科技第一款汽車導航系統專用的的電源供應IC,可為執行汽車導航主要運算及DRAM資料儲存之處理器提供電源供應電路,並透過64-pin QFP封裝之單晶片實現DRAM終端電阻電壓供應電路
RAMBUS XDR記憶體架構獲德州儀器DLP投影機系統採用 (2007.06.20)
全球高速晶片設計技術授權公司Rambus宣佈XDR記憶體架構已經獲得德州儀器技術採用。由應用XDR記憶體架構的DLP晶片所驅動的投影機,能帶來高度的鮮豔色彩和影像品質,非常適合播放電影、運動節目、遊戲以及數位相片
2010年兩岸DRAM產量將超越南韓 (2007.05.31)
台灣和中國的DRAM總產量,將在2010年之前超過南韓。根據iSuppli預測,台灣和中國的DRAM廠陸續擴產,相較之下南韓僅有三星電子(Samsung Electronics)和海力士半導體(Hynix Semiconductor)為主要DRAM生產商,且該兩廠商未來也會將生產的重心移向NAND快閃記憶體
PQI多樣新款記憶體於Computex 2007同步亮相 (2007.05.30)
2007 Computex Taipei將於2007年6月5日~6月9日於台北世貿展覽中心隆重登場,勁永國際(PQI)於世貿一館D330~435將展出全線產品,完整呈現USB旅行碟、Flash記憶卡、Intelligent Stick智慧棒、DRAM模組、DOM及MP3六大產品線,滿足來自各國的參觀者
微軟認為DRAM是導致當機的主因 應升級ECC (2007.05.21)
外電消息報導,依據一份微軟外流的機密資料顯示,微軟認為導致電腦系統當機的主要原因是DRAM的資料讀寫錯誤,而為了降低當機的機率,微軟建議廠商應該使用具有ECC功能的記憶體
DRAM導入90奈米製程 八吋廠尋找新出路 (2007.04.30)
由於標準型DRAM紛紛導入90奈米製程,因此為了解決八吋廠成本競爭力不足的問題,DRAM廠有意將八吋廠產能轉為邏輯晶片代工之用途,對於此舉是否影響晶圓代工廠之產能利用,部份晶圓代工廠認為將不會有所影響

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