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CTIMES / 射頻絕緣矽製程
科技
典故		 只有互助合作才能雙贏——從USB2.0沿革談起

USB的沿革歷史充滿曲折，其中各大廠商從本位主義的相互對抗，到嘗盡深刻教訓後的Wintel合作，能否給予後進有意「彼可取而代之」者一些深思與反省？
東芝推出低插入損耗的智慧型手機射頻開關SOI製程 (2015.11.25)
東芝公司（Toshiba）半導體與儲存產品公司研發新一代TarfSOI（東芝先進的射頻絕緣矽（SOI））製程—TaRF8，該製程針對射頻（RF）開關應用進行最佳化，實現低插入損耗。採用新製程製造的SP12T射頻開關IC適用於智慧型手機，樣品出貨將於2016年1月啟動

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