921地震，震出了台灣的悲情，也震出了前所未有的人民力量。921地震影響了台灣新竹科學園區廠房的生產，而使得DRAM價格大幅飆漲，此情形突顯了台灣半導體產業在世界上之影響力。在一般的文章中，比較常提到有關半導體IC製程，不外是設計尺寸大小(Design Rule)，如0.25微米、0.20微米、0.18微米等以代表產品的競爭力，或是否先使用銅製程以代表產品速度的品質。就DRAM製程技術而言，所採用的電容技術發展策略亦有極大的影響。以台灣目前主要的DRAM製造廠來分析，大致可將之歸類為兩大技術群：以IBM/Siemens/Toshiba為技術源的立體溝槽式DRAM技術，及Mitsubish等的立體堆積式DRAM技術兩大類。

廠商的立體堆積式DRAM

(表一)提供了國內各主要DRAM廠的電容製程技術及相關推測，或許與實際上有些許差距，僅供諸位讀者參考。由表一略可看出，國內在DRAM技術上的自主性仍偏低，且集中在0.25~0.20微米的設計尺寸階段，近期華邦所推出的0.175微米256M DRAM算是較有突出表現的。同樣是以溝槽式電容製程的茂德及南亞科技，亦應有極大的潛力，於近期內推出0.18或0.175微米的128M或256M DRAM產品。
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