921地震，震出了台湾的悲情，也震出了前所未有的人民力量。921地震影响了台湾新竹科学园区厂房的生产，而使得DRAM价格大幅飙涨，此情形突显了台湾半导体产业在世界上之影响力。在一般的文章中，比较常提到有关半导体IC制程，不外是设计尺寸大小(Design Rule)，如0.25微米、0.20微米、0.18微米等以代表产品的竞争力，或是否先使用铜制程以代表产品速度的质量。就DRAM制程技术而言，所采用的电容技术发展策略亦有极大的影响。以台湾目前主要的DRAM制造厂来分析，大致可将之归类为两大技术群：以IBM/Siemens/Toshiba为技术源的立体沟槽式DRAM技术，及Mitsubish等的立体堆积式DRAM技术两大类。

厂商的立体堆积式DRAM

(表一)提供了国内各主要DRAM厂的电容制程技术及相关推测，或许与实际上有些许差距，仅供诸位读者参考。由表一略可看出，国内在DRAM技术上的自主性仍偏低，且集中在0.25~0.20微米的设计尺寸阶段，近期华邦所推出的0.175微米256M DRAM算是较有突出表现的。同样是以沟槽式电容制程的茂德及南亚科技，亦应有极大的潜力，于近期内推出0.18或0.175微米的128M或256M DRAM产品。
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