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美光32Gb伺服器DRAM通過驗證並出貨 滿足生成式AI應用要求 (2024.05.08)
美光科技宣布其採用高容量單片 32Gb DRAM 晶粒的 128GB DDR5 RDIMM 記憶體正式驗證與出貨。美光 128GB DDR5 RDIMM 記憶體速度高達 5,600 MT/s，適用於各種先進伺服器平台，該產品採用美光的 1β 技術，相比其他 3DS直通矽晶穿孔（TSV）堆疊的產品，位元密度提升超過 45%，能源效率提升 22%，延遲則降低 16% |
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SEMI：2024年首季全球矽晶圓出貨總量下滑5% (2024.05.03)
SEMI國際半導體產業協會旗下矽產品製造商委員會 (SMG) 發佈最新晶圓產業分析季度報告指出，2024年第一季全球矽晶圓出貨量較上一季減少5.4%，降至2,834百萬平方英吋 (MSI)，較去年同期3,265百萬平方英吋同比下跌13.2% |
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A+計劃補助電動車產業 驅動系統、晶片和SiC衍生投資3億元 (2024.04.30)
為提升當前電動車主快充體驗與滿足長續航里程等需求，關鍵系統技術正持續進步。經濟部也在近期「A+企業創新研發淬鍊計畫」決審會議中通過3項計畫，分別從電動車驅動系統、半導體晶片製程技術和碳化矽（SiC）元件的品質控制方面創新技術和提升產業 |
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運用能量產率模型 突破太陽能預測極限 (2024.04.17)
能量產率模型（Energy Yield Model）由歐洲綠能研究組織EnergyVille成員—比利時微電子研究中心（imec）和比利時哈瑟爾特大學（UHasselt）所開發，該模型利用由下而上設計方法，精準巧妙地結合太陽能板的光學、溫度及電氣動力學，正在為太陽能預測帶來全新氣象 |
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以霍爾效應電流感測器創新簡化高電壓感測 (2024.03.27)
在電動車（EV）充電和太陽能逆變器系統中，電流感測器會透過監測分流電阻器中的壓降，或是流過導體電流所產生的磁場來量測電流。這些高壓系統使用電流資訊來控制與監測電源轉換、充電與放電 |
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台積擴資本支出達280~300億元 補助供應商加速減碳 (2024.02.19)
農曆年節過後，受益於人工智慧（AI）熱門話題帶動台灣半導體產業股價屢創新高，又以台積公司身為晶圓代工龍頭角色，更早在今年初1月18日法說會上，即宣告將加碼資本支出280~320億美元，擴及上中游半導體設備供應鏈廠商也可望受惠，能否加入的關鍵，則在其是否符合永續標準 |
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Ansys推出2024 R1 透過AI技術擴展多物理優勢 (2024.02.19)
Ansys推出最新版本Ansys 2024 R1，旨在透過AI提升數位工程生產力。2024 R1結合開放式架構，簡化工程工作流程，促進更強的協同合作及即時互動，並提升專案的成果。
新一代產品正在變成越來越複雜的系統，包括整合式電子產品、嵌入式軟體和無所不在的連線能力 |
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英飛凌與Wolfspeed擴展碳化矽6 吋晶圓供應協定 (2024.01.25)
隨著產業供應鏈對碳化矽產品的需求持續增加，英飛凌科技與Wolfspeed 公司共同宣布擴大於 2018 年 2 月所簽署的長期 6 吋碳化 （SiC） 矽晶圓供應協定，並且延長期限。雙方擴展的合作範圍，包括一個多年期的產能預訂協定，進而穩定英飛凌整體供應鏈，以因應汽車、太陽能、電動車應用及儲能系統等領域對於碳化矽半導體需求成長 |
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台灣研究團隊開發雙模二維電子元件 突破矽晶圓物理限制 (2024.01.15)
在國科會「A世代前瞻半導體專案計畫」支持下，清華大學電子所蔡孟宇博士、研發長邱博文教授、中興大學物理系林彥甫教授和資工系吳俊霖教授等共同組成的研究團隊，成功開發出新穎的雙模式二維電子元件，不僅突破了傳統矽晶圓的物理限制，還為高效能計算和半導體製程簡化開啟了新的方向 |
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英飛凌與SK Siltron CSS簽訂新碳化矽晶圓供應協議 (2024.01.14)
英飛凌科技宣布，與碳化矽（SiC）供應商 SK Siltron CSS 簽訂協議。根據協議，SK Siltron CSS 將提供高品質的 6吋 SiC 晶圓，用以支援 SiC 半導體的生產。在後續階段，SK Siltron CSS 將在協助英飛凌過渡到 8 吋晶圓方面扮演重要角色 |
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長庚、明志跨校研發太陽能電池有成 獲第20屆國家新創獎 (2024.01.05)
由長庚大學吳明忠教授與明志科技大學副教授黃裕清組成的跨校研發團隊，深耕「高效率半透明鈣鈦礦太陽能電池技術」有成，豐碩研發成果在「第20屆國家新創獎」中獲得「學研新創獎」榮譽，並且為迎來好兆頭，展現強強聯手的豐沛研發能量 |
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日本強震對半導體業影響可控 惟曝露供應鏈風險 (2024.01.03)
剛度過2024年跨年假期，日本石川縣便在元旦當天下午發生規模7.6強震，讓台日半導體業者在假期不平靜，包括矽晶圓、MLCC及多間半導體廠停工檢查。依半導體供應鏈業者初步了解 |
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經濟部加強引進半導體材料設備投資 全球三巨頭齊聚台灣 (2023.12.28)
為了維持台灣半導體產業長期競爭優勢，經濟部除了長期投資次世代半導體晶圓製造等先進技術研發外，亦著重建構先進半導體設備及高階材料在台發展的能量。於今（28）日宣布近5年已投入近NT.65億元，補助台灣設備及材料業者投入研發初見成效，至今共促進約137項自製產品，進入半導體國際供應鏈 |
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雷射輔助切割研磨碳化矽效率 (2023.12.26)
台灣廠商還具備過去多年來於矽基半導體產業累積的基礎，且有如工研院等法人單位輔導，正積極投入建立材料開發、雷射輔助加工製程等測試驗證平台和服務，將加速產業聚落成型 |
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鎖定5G先進基地台及行動裝置應用 imec展示高效能矽基氮化鎵 (2023.12.14)
於本周舉行的2023年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了在8吋矽晶圓上製造的氮化鋁（AlN）／氮化鎵（GaN）金屬—絕緣體—半導體（MIS）高電子遷移率電晶體（HEMT），該元件能在28GHz的操作頻率下展現高輸出功率及能源效率 |
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EV GROUP將革命性薄膜轉移技術投入量產 (2023.12.12)
EV Group（EVG）宣布推出EVG 850 NanoCleave薄膜剝離系統，這是首款採用EVG革命性NanoCleave技術的產品平台。EVG850 NanoCleave系統使用紅外線（IR）雷射搭配特殊的無機物材質，在透過實際驗證且可供量產（HVM）的平台上，以奈米精度讓已完成鍵合、沉積或增長的薄膜從矽載具基板釋放 |
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TI：擴大低功率GaN產品組合 實現AC/DC電源供應器體積縮小50% (2023.12.04)
德州儀器（TI）擴大其低功率氮化鎵 (GaN) 產品組合，旨在協助提升功率密度、最大化系統效率，以及縮小 AC/DC 電源供應消費電子和工業系統的尺寸。TI 具備整合式閘極驅動器的 GaN 場效應電晶體 (FET) 整體產品組合，可解決常見的散熱設計挑戰，讓供應器維持低溫，同時以更小的體積推動更大功率 |
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美光推出128GB DDR5 RDIMM記憶體 為生成式AI應用提供更佳解 (2023.11.27)
美光科技，宣布推出128GB DDR5 RDIMM 記憶體，採用 32Gb 單片晶粒，以高達 8,000 MT/s 的同類最佳效能支援當前和未來的資料中心工作負載。此款大容量高速記憶體模組專為滿足資料中心和雲端環境中各種關鍵應用的效能及資料處理需求所設計，包含人工智慧（AI）、記憶體資料庫（IMDBs）、高效處理多執行緒及多核心運算工作負載等 |
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新思科技與台積電合作 在N3製程上運用從探索到簽核的一元化平台 (2023.11.02)
新思科技近日宣佈擴大與台積公司的合作，並利用支援最新3Dblox 2.0標準和台積公司3DFabric技術的全面性解決方案，加速多晶粒系統設計。新思科技多晶粒系統解決方案包括3DIC Compiler，這是一個從探索到簽核一元化的平台，可以為產能與效能提供最高等級的設計效率 |
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半導體業凜冬未完？SEMI估全球矽晶圓出貨量最快2024年反彈 (2023.10.28)
根據SEMI國際半導體產業協會最新公布年度矽晶圓出貨量預測報告指出，不含非拋光矽晶圓和再生晶圓的全球電子級矽晶圓出貨量，在2022年以14,565百萬平方英吋（million square inch, MSI）達歷史高點之後，2023年將下滑14%至12,512百萬平方英吋 |
