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Transphorm獲得美國能源部合約 提供新型四象限氮化鎵開關管 (2022.09.05) Transphorm宣布贏得一份美國能源部先進能源研究計畫署(ARPA-E)的合約。該專案是ARPA-E CIRCUITS計畫的一部分,透過與伊利諾理工學院的轉包合約展開,包括提供採用氮化鎵的四象限雙向開關管(FQS) |
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SiC牽引逆變器降低功率損耗和熱散逸 (2022.08.25) 本文說明如何在EV牽引逆變器中驅動碳化矽(SiC)MOSFET,透過降低電阻和開關損耗來提高效率,同時增加功率和電流密度。 |
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EPC推出ePower功率級積體電路 實現更高功率密度和簡化設計 (2022.08.11) 宜普電源轉換公司(EPC)推出ePower功率級積體電路,它整合了整個半橋功率級,可在1 MHz工作時實現高達35 A的輸出電流,為高功率密度應用提供更高的性能和更小型化的解決方案,包括DC/DC轉換、馬達控制和D類音頻放大器等應用 |
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TI:SiC MOSFET可減少功率損耗和熱散逸 (2022.08.11) 隨著電動車(EV)製造商之間為了開發成本更低、續航里程更長的車型所進行的競爭日益激烈,電力系統工程師必須設法藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統效率,來提升續航里程並增加競爭優勢 |
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EPC推出高功率密度100V抗輻射電晶體 滿足嚴格航太應用 (2022.07.05) EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2,其總劑量等級大於1 Mrad,線性能量轉移的單一事件效應抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004與EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是採用晶片級封裝,這與其他商用的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)和IC相同 |
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ST攜手MACOM 達成射頻矽基氮化鎵原型晶片性能新里程 (2022.06.14) 意法半導體(STMicroelectronics;ST)和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作,並加強雙方的合作關係。
射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力 |
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Wolfspeed首座8吋SiC晶圓廠投入量產 (2022.05.03) Wolfspeed宣佈其位於美國紐約州莫霍克谷(Mohawk Valley)的SiC製造工廠正式營業。這座 200mm(8英吋)晶圓廠將助力推進諸多產業從 Si 基產品向 SiC 基半導體的轉型。
紐約州州長 Kathy Hochul 蒞臨現場並預祝 Wolfspeed 在莫霍克谷(Mohawk Valley)大展宏圖 |
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羅姆集團旗下SiCrystal紀念成立25周年 (2022.04.28) 半導體製造商羅姆集團旗下的 SiCrystal GmbH(以下簡稱SiCrystal)迎來了成立25周年紀念日。SiCrystal是一家總部位於德國紐倫堡的SiC(碳化矽)晶圓製造商,經過了25年的發展,目前已將業務範圍擴展到全世界,並擁有200多名員工 |
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Wolfspeed與Lucid Motors簽訂協議 生產和供應SiC裝置。 (2022.04.28) Wolfspeed於近日宣佈與Lucid Motors達成重要合作。Lucid Motors將在其高性能、純電動車型Lucid Air中採用Wolfspeed SiC功率元件解決方案。同時,Wolfspeed和Lucid Motors簽訂多年協議,將由Wolfspeed生產和供應SiC裝置 |
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EPC新350V氮化鎵功率電晶體 比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08) 宜普電源轉換公司(EPC)推出 EPC2050,這是一款 350 V GaN 電晶體,最大 RDS(on) 為 80 mΩ,?衝輸出電流? 26 A。 EPC2050 的尺寸僅為 1.95 mm x 1.95 mm。與採用等效矽元件的解決方案相比,基於EPC2050的解決方案的佔板面積小十倍 |
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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制 (2022.03.29) 半導體製造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT?GNE10xxTB系列(GNE1040TB)?的量產體制,該系列產品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達8V,非常適用於基地台、資料中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路 |
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ST:發展碳化矽技術 關鍵在掌控整套產業鏈 (2022.03.14) 電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要。意法半導體汽車和離散元件產品部(ADG)執行副總裁暨功率電晶體事業部總經理Edoardo MERLI指出,由於全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,並將氣溫上升控制在1 |
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ST第三代碳化矽技術問世 瞄準汽車與工業市場應用 (2022.03.14) 電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要,由於全球能源需求正在不斷成長,因此必須控制碳排放,並將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現這些要有科技的支援,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標 |
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下半年8吋基板將量產 第三類功率半導體2025年CAGR達48% (2022.03.10) 據TrendForce研究推估,第三類功率半導體產值將從2021年的9.8億美元,至2025年將成長至47.1億美元,年複合成長率達48%。
SiC適合高功率應用,如儲能、風電、太陽能、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業 |
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Ampleon發佈增強效能的第3代GaN-on-SiC電晶體 (2022.02.23) 埃賦隆半導體(Ampleon)推出兩款新型寬頻碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)高電子遷移率電晶體(HEMT),功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度元件是最近通過認證並投入生產的第3代GaN-SiC HEMT制程的首發產品 |
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Power Integrations推出1700V SiC MOSFET高壓切換開關 IC (2022.02.15) Power Integrations在其 InnoSwitch 3-AQ 系列中新增了兩款符合 AEC-Q100 標準、額定電壓為 1700 伏特的 IC。這些新裝置是業界首款採用碳化矽 (SiC) 一次側切換 MOSFET 的汽車級切換電源供應器 IC |
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ROHM榮獲EcoVadis的2021年永續發展最高評價「白金獎」 (2022.01.10) 半導體製造商ROHM在 EcoVadis(總部位於法國)的2021年永續發展調查中,獲得最高評價「白金獎」,這是ROHM首次榮獲該獎項。「白金獎」是針對約80,000家評價對象中排名前1%企業所頒發的獎項 |
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中美矽晶佈局化合物半導體 成功開發各尺寸晶圓產品 (2021.12.22) 中美矽晶集團積極發展化合物半導體,如碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鉭酸鋰及鈮酸鋰等。在本屆的國際光電大展中,中美矽晶集團攜手旗下半導體子公司環球晶圓及轉投資事業 |
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ST推出第三代碳化矽產品 推動電動汽車和工業應用未來發展 (2021.12.15) 意法半導體(STMicroelectronics,ST)推出第三代STPOWER碳化矽(SiC) MOSFET電晶體,推動最先進的技術在電動汽車動力傳動系統功率設備的應用,以及在其他以功率密度、節能、高可靠性為重要目標的應用 |
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800V架構漸近 2025年電動車對6吋SiC晶圓需求將達169萬片 (2021.12.01) 電動車市場對於延長續航里程及縮短充電時間有著極大需求,整車平臺高壓化趨勢愈演愈烈,對此各大車企已陸續推出800V高壓車型,例如Porsche Taycan、Audi Q6 e-tron、Hyundai Ioniq 5等 |