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台积电混为ZEEVO产出0.18微米整合射频及基频功能的蓝芽单芯片 (2001.01.16)
台积电16日宣布，该公司已经成功使用其先进的0.18微米混合信号及射频金氧半导体(mixed-signal & RF CMOS)制程技术，为ZEEVO公司产出业界首批0.18微米整合射频(RF)、模拟(analog)及数字(digital)基频功能的蓝芽单芯片产品 |
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台积电推出.13微米混合信号与RF测试晶片 (2000.11.15)
台湾积体电路制造股份有限公司推出.13微米混合信号(mixed-signal)以及射频(radio-frequency; RF)测试晶片。同时，为了提供客户更好的设计服务，台积公司并发展了0.13微米混合信号以及射频元件资料库，预计相关产品将可于2001年第四季正式进入量产 |
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台积电提供阿尔卡特单晶片中嵌入Flash的技术 (2000.11.02)
阿尔卡特公司(Alcatel)与台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC)宣布合作，于阿尔卡特单晶片蓝芽解决方案中开发嵌入式快闪记忆体(EmbFlas)。在这项合作案中，台积公司提供在单晶片系统(System-on-Chip；SoC)中嵌入快闪记忆体(EmbFlas)的技术，使蓝芽标准及相关软体在初期能作更多元的开发，并让客户依其需求开发应用软体 |
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台积电与阿尔卡特合作蓝芽单晶片方案 (2000.11.02)
台积电和欧洲通讯大厂阿尔卡特(Alcatel)，已合作在阿尔特单晶片蓝芽(Bluetooth)解决方案中，开发嵌入式快闪记忆体(Emb Flash)。这项合作案可望扩大台积电通讯晶的代工占有率 |
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台积电提供0.18微米混合信号及射频金氧半导体制程技术 (2000.08.08)
台积电(TSMC)宣布，该公司率先为客户提供0.18微米混合信号以及射频金氧半导体(mixed signal/RF CMOS)制程。台积电表示，其实该公司之混合信号(mixed mode)制程早已为客户量产多时，此次再成功结合射频CMOS制程，除了第一个商品化产品预计于今年9月上市外，初期测试芯片已经成功嵌入了频率高达2.4GHz之电压控制振荡器(VCO)及低噪声放大器(LNA) |
