![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
意法半導體與Soitec攜手開發SiC基板製造技術 (2022.12.08) 意法半導體(STMicroelectronics,ST)與半導體材料設計製造公司Soitec宣布下一階段的碳化矽(Silicon Carbide,SiC)基板合作計畫,意法半導體準備於18個月內完成Soitec碳化矽基板技術產前認證測試 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
Cambridge GaN Devices 融資擴大功率半導體裝置市場 (2022.11.22) 無晶圓廠半導體公司Cambridge GaN Devices(CGD),於2016年從英國劍橋大學工程系著名的功率裝置集團分割出來,已募集1900萬美元的Series B資金。此投資案由Parkwalk Advisors和BGF領投,另有IQ Capital、CIC、Foresight Williams Technology 和 Martlet Capital 跟投 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
TI:提高功率密度 有效管理系統散熱問題 (2022.10.21) 幾乎各種應用的半導體數量都在加倍增加,電子工程師面臨的許多設計挑戰都與更高功率密度的需求息息相關。
‧超大規模資料中心:機架式伺服器使用大量的電力,這對於想要因應持續成長需求的公用事業公司和電力工程師構成一大挑戰 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
ST將於義大利興建整合式碳化矽基板製造廠 (2022.10.06) 意法半導體(STMicroelectronics;ST)將於義大利興建一座整合式碳化矽(Silicon Carbide;SiC)基板製造廠,以支援意法半導體客戶對汽車及工業用碳化矽元件與日俱增的需求,協助其邁向電氣化並追求更高效率 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
西門子與聯電合作開發3D IC hybrid-bonding流程 (2022.09.30) 西門子數位化工業軟體近日與聯華電子(UMC)合作,為聯華電子的晶圓對晶圓堆疊(wafer-on-wafer)及晶片對晶圓堆疊(chip-on-wafer)技術提供新的多晶片 3D IC 規劃、組裝驗證,以及寄生參數萃取(PEX)工作流程 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
安森美在捷克擴建碳化矽工廠 未來兩年SiC產能提高16倍 (2022.09.22) 安森美(onsemi),慶祝其在捷克共和國Roznov擴建的碳化矽「SiC」工廠的落成。以工業和貿易部科長Zbynek Pokorny、茲林州州長Radim Holis和市長Jiri Pavlica以及其他當地政要為首的多位嘉賓出席了剪綵儀式,突顯此事件和半導體製造在捷克共和國的重要性 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
TI:氮化鎵電源管理設計將被加速採用 (2022.09.15) 隨著全球技術不斷升級,電源設計人員對功率密度和系統級效率的關注也隨之提高,從而帶動更高效的寬能隙功率半導體應用由以往的資料中心擴展至測試和測量、儲能系統 (ESS) 及消費性電子等應用領域 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
碇基半導體獲4.56億元投資 加速開發氮化鎵功率半導體 (2022.09.14) 台達子公司碇基半導體,宣布已完成新一輪4.56億新台幣的增資合約簽訂,且在這次增資的同時,獲得了與力智電子(uPI)、中美矽晶(SAS)、日商羅姆半導體(Rohm),以及母公司台達等夥伴建立策略合作關係,共同加速GaN功率半導體技術的發展 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
Transphorm獲得美國能源部合約 提供新型四象限氮化鎵開關管 (2022.09.05) Transphorm宣布贏得一份美國能源部先進能源研究計畫署(ARPA-E)的合約。該專案是ARPA-E CIRCUITS計畫的一部分,透過與伊利諾理工學院的轉包合約展開,包括提供採用氮化鎵的四象限雙向開關管(FQS) |
![](/icon/objclass/article_icon.gif) |
GaN將在資料伺服器中挑起效率大樑 (2022.08.26) GaN具有獨特的優勢,提供卓越的性能和效率,並徹底改變數據中心的配電和轉換、節能、減少對冷卻系統的需求,並最終使數據中心更具成本效益和可擴展性。 |
![](/icon/objclass/product_icon.gif) |
EPC推出ePower功率級積體電路 實現更高功率密度和簡化設計 (2022.08.11) 宜普電源轉換公司(EPC)推出ePower功率級積體電路,它整合了整個半橋功率級,可在1 MHz工作時實現高達35 A的輸出電流,為高功率密度應用提供更高的性能和更小型化的解決方案,包括DC/DC轉換、馬達控制和D類音頻放大器等應用 |
![](/icon/objclass/product_icon.gif) |
飛宏新款65W配接器採用Transphorm氮化鎵技術 (2022.08.02) 全球電源產品和電動汽車充電站供應商飛宏(Phihong)新推出65W 2C1A USB PD配接器,其中採用Transphorm公司的氮化鎵(GaN)技術。這款配接器採用Transphorm的SuperGaN第四代技術,這是一種氮化鎵場效應管(FET)平台,具有系統設計簡單,元件數量少,高性能,高可靠等優點 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
EPC推出高功率密度100V抗輻射電晶體 滿足嚴格航太應用 (2022.07.05) EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2,其總劑量等級大於1 Mrad,線性能量轉移的單一事件效應抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004與EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是採用晶片級封裝,這與其他商用的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)和IC相同 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
ST攜手MACOM 達成射頻矽基氮化鎵原型晶片性能新里程 (2022.06.14) 意法半導體(STMicroelectronics;ST)和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作,並加強雙方的合作關係。
射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
[COMPUTEX] 德儀:運用GaN技術可提升資料中心的能源效率 (2022.05.26) 德州儀器(TI)副總裁暨台灣、韓國與南亞總裁李原榮,今(26)日於2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示,TI將協助客戶充分發揮氮化鎵(GaN)技術的潛力,以實現更高的功率密度和效率 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
EPC積極發展光達應用的車規認證積體電路 (2022.04.29) EPC公司宣佈推出 額定電壓?100 V、58 mΩ 和脈衝電流為20 A 的共源雙路氮化鎵場效應電晶體EPC2221,可用於機器人、監控系統、無人機、自動駕駛車輛和吸塵器的光達系統。
EPC2221採用低電感、低電容設計,允許快速開關 (100 MHz) 和窄脈衝寬度 (2 ns),從而實現高解析度和高效率 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
羅姆集團旗下SiCrystal紀念成立25周年 (2022.04.28) 半導體製造商羅姆集團旗下的 SiCrystal GmbH(以下簡稱SiCrystal)迎來了成立25周年紀念日。SiCrystal是一家總部位於德國紐倫堡的SiC(碳化矽)晶圓製造商,經過了25年的發展,目前已將業務範圍擴展到全世界,並擁有200多名員工 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
EPC新350V氮化鎵功率電晶體 比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08) 宜普電源轉換公司(EPC)推出 EPC2050,這是一款 350 V GaN 電晶體,最大 RDS(on) 為 80 mΩ,?衝輸出電流? 26 A。 EPC2050 的尺寸僅為 1.95 mm x 1.95 mm。與採用等效矽元件的解決方案相比,基於EPC2050的解決方案的佔板面積小十倍 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
宏光半導體以GaN核心力 全方位建構實現策略性轉型 (2022.04.01) 宏光半導體專注經營發光二極管(LED)燈珠業務,持續追尋多元化發展,於年內正式投身第三代半導體氮化鎵(「GaN」)行業。集團憑藉其在LED製造方面的行業專業知識,將業務擴展至第三代半導體晶片設計製造及系統應用解決方案 |
![](/icon/objclass/news_icon.gif) |
ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制 (2022.03.29) 半導體製造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT?GNE10xxTB系列(GNE1040TB)?的量產體制,該系列產品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達8V,非常適用於基地台、資料中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路 |