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安森美NIS6111整合型同步整流器 (2005.01.31)
安森美半導體（ON Semiconductor）近日宣佈推出整合型同步整流器，此整合方案解決設計人員需採用分離元件來達到高功率密度所面臨的難題。
安森美半導體專用產品行銷經理Sue Nee表示，「目前的同步整流設計，要達到高效率水平的要求十分困難 |
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IDM廠釋單 記憶體測試代工產能吃緊 (2005.01.27)
據業界消息，國際IDM業者陸續釋出記憶體委外測試代工訂單，也讓台灣測試代工業者首季業績可望再創新高；其中京元電可望取得瑞薩（Renesas）、英飛凌的NOR規格快閃記憶體訂單，力成也將接受超捷（SST）及超微的快閃記憶體晶圓測試（Wafer Sort）代工訂單 |
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IR IGBT Co-Pack為高功率AC-DC開關電路創造效益 (2005.01.27)
國際整流器公司(IR)推出新晶體管IRGP50B60PD，將600V非穿孔式(NPT)絕緣閘雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor – IGBT)與經強化的25A HEXFRED二極體聯合封裝，有效把開關速度提升至150kHz |
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Linear LTC2606小型尺寸能最佳化電路板佈局 (2005.01.27)
Linear推出一款採用3毫米×3毫米DFN封裝的新型16位元I2C串列介面DAC，該元件可大幅度地縮減可攜式産品的尺寸。LTC2606的小型尺寸能夠最佳化電路板佈局，因此非常適用於空間受限的應用 |
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美商亞德諾推出具有SFDR特性的14位元ADC (2005.01.27)
Analog Devices推出的14位元、80MSPS的ADC(類比數位轉換器)，提供了所有該等級產品中最佳的SFDR(Spurious Free Dynamic Range無雜訊動態範圍)。隨著無線通信業者納入多種無線標準的市場趨勢，SFDR在增加話務量(Call Capacity)與降低斷話率(Dropped Call)的角色上漸形重要 |
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TI推出新型全差動放大器 (2005.01.27)
德州儀器(TI)宣佈推出業界最低雜訊和最小失真的全差動放大器，可用來驅動高達100 MHz的高速類比數位轉換器。相較於先前領先業界的其它全差動放大器，1.9 GHz THS4509的穩定時間(settling time)只需它們的三分之一，最適合支援要求嚴格的各種應用，例如測試和量測、醫療影像、無線基礎設施和工業 |
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飛思卡爾突破GSM/GPRS前端模組尺寸大小限制 (2005.01.26)
由於飛思卡爾開發出先進的前端功率放大模組，現在手機製造商終於能夠提供消費者平價且多功能的手機。使用MMM6015功率放大模組可以比現階段基板所需空間減少40%以上 |
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Agere Systems推出通用性3G雙模基頻解決方案 (2005.01.26)
Agere Systems（傑爾系統）26日宣佈針對大眾化、且雙模UMTS/EDGE多媒體手機，推出晶片組與軟體解決方案，俾使3G/UMTS與2.5G/EDGE網路之間能夠無接縫連線。已於2004年7月供應客戶樣本的Agere Sceptre HPU解決方案 |
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Rambus向國際多家記憶體業者提出侵權訴訟 (2005.01.26)
據外電消息，美國記憶體晶片設計業者Rambus，分別對記憶體業者包括韓國Hynix、德國英飛凌（Infineon）、台灣南亞科技與Inotera Memories提起一項專利侵權訴訟，控告前述幾家公司的DDR2記憶體設備，以及GDDR2和GDDR3圖形記憶體設備，侵犯其多達18項的專利 |
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美國國家半導體電源管理產品體積小巧轉換效率高 (2005.01.26)
美國國家半導體(National Semiconductor Corporation)宣佈推出兩款全新的迷你型高效率同步降壓直流/直流轉換器。這兩款型號分別為LM3670及LM3671的晶片是該系列的兩個最先推出的型號 |
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以TI DRP單晶片技術 Nokia擴大市場領導地位 (2005.01.25)
德州儀器(TI)與諾基亞(Nokia)宣佈將攜手合作，由諾基亞使用TI以數位射頻處理器(Digital RF Processor，簡稱DRP)技術為基礎的單晶片解決方案來發展未來的行動電話。這項合作使諾基亞能夠提供成本更低的進階手機，尤其在銷售量龐大的低階產品市場 |
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專利侵權告不完 Mosaid宣布已與三星和解 (2005.01.24)
據外電消息，加拿大半導體廠商Mosaid Technologies於2001年在美國控告南韓三星電子（Samsung Electronics）侵犯該公司7項DRAM科技專利權，日前Mosaid表示該訴訟已與三星達成和解，雙方將簽訂為期5年的授權協定，由三星支付Mosaid權利金；但雙方並未透露相關細節 |
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飛利浦DDR2記憶體模組搭配高速暫存器極速登場 (2005.01.24)
隨著製程技術的不斷演進，記憶體模組解決方案已經從較低速的單倍數據傳輸率(SDR)演變為較高速的雙倍數據傳輸率(DDR)，此外，由於對精確的信號控制的要求，暫存器的使用也與日俱增 |
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TI寬頻帶放大器適合支援視訊線路驅動器應用 (2005.01.21)
德州儀器(TI)宣佈推出單位增益穩定的高速電壓回授型放大器OPA830，它源自TI的Burr-Brown產品線，增益頻寬高達110 MHz，電壓迴轉率則為600 V/μs，可提供低失真操作能力。這顆低功耗而低成本的放大器擁有絕佳的視訊線路驅動器規格，而且適合廣泛應用，包括做為類比數位轉換器的輸入緩衝器，或是用於消費電子產品和測試儀錶 |
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VISHAY推出新型超薄表面貼裝電感器系列 (2005.01.20)
Vishay宣佈推出封裝尺寸為2525的新型超薄表面貼裝電感器系列。IHLP-2525AH-01系列器件的飽和電流均額定為40A，這些器件在1.8毫米厚的封裝中具有低達3.0m.的典型DCR值。
在已獲專利的IHLP系列中添加的這些新器件具有比傳統解決方案更低的DCR 值 |
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安森美ThermalTrak偏置控制輸出電晶體系列 (2005.01.19)
安森美半導體推出ThermalTrak的創新內建偏置控制輸出電晶體系列，提供簡化的、單元件音頻放大器設計解決方案，擴大了在功率音頻元件市場的實力。安森美半導體的新元件用申請中的專利技術，消除冗長的預熱時間，啟用快速精確的溫度調節功能，同時提高音質和偏置穩定性 |
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傳茂德計畫斥資10億美元在中國興建晶圓廠 (2005.01.19)
繼南韓DRAM廠三星電子宣布提高半導體資本支出後；國內DRAM業者力晶、茂德與華亞科技也紛紛展開開始進行新的籌資建廠計劃；據業界消息，其中茂德計畫一旦赴中國投資8吋晶圓廠申請案通過後，在2005下半年即斥資十億美元興建中國新廠 |
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Microchip轉用符合RoHS標準無鉛封裝 (2005.01.19)
Microchip十九日宣佈，自二零零五年一月起所有產品將採用環保無鉛電鍍封裝，以符合即將於全球實施的政府法規和業界標準。Microchip將採用霧錫（matte tin）作為新的電鍍材料，確保所有無鉛產品都能向後相容於業界標準的錫/鉛焊接製程，並向前相容於採用無鉛錫/銀/銅膏的高溫無鉛製程 |
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Linear推出小型獨立式線性單蕊鋰離子電池充電器-LTC4061 (2005.01.19)
Linear Technology公司推出小型獨立式線性單蕊鋰離子電池充電器LTC4061。該元件具有先進的功能，可提高充電安全性，簡化充電終止與狀態回報，以及延長電池壽命。提高安全性，LTC4061配有可維持適當溫度充電的熱敏電阻介面、作備援充電終止功能的可調計時器，以及可防止電池過度充電的高精確度浮動電壓 |
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三星選擇TI影像處理器發展內建硬碟的照相手機 (2005.01.19)
德州儀器(TI)宣佈三星電子已選擇TI影像處理器發展內建硬碟的照相手機，可用來儲存所拍攝的相片和視訊。此外，三星身為電信、半導體和數位手機的全球領導者，還利用TI影像處理器技術發展出另外三款照相手機 |
