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CTIMES / 半導體晶圓製造業
科技
典故
只有互助合作才能雙贏——從USB2.0沿革談起

USB的沿革歷史充滿曲折,其中各大廠商從本位主義的相互對抗,到嘗盡深刻教訓後的Wintel合作,能否給予後進有意「彼可取而代之」者一些深思與反省?
力晶將再蓋四座12吋廠 邁向市佔前三大 (2006.02.23)
鑑於DDR2主流世代加速推展,力晶鞏固十二吋廠領先地位動作不停歇,12C、12D興建計畫加速推展,加上今年因採購旺宏十二吋廠,進行產能擴充,力晶年度資本支出將由300億元提高為600億元
台積電45奈米製程顯影技術達量產能力 (2006.02.23)
台積電向45奈米製程跨出大一步,台積聞名全球的「浸潤式曝光顯影技術」已經達到量產能力,台積電宣布,十二吋晶片測試時,晶片缺陷已經可以降到七個,缺陷密度低到每平方公分0.014的程度
多晶矽產能吃緊 影響太陽能產業發展 (2006.02.22)
由於政府力倡太陽能,加上晶片業自網路泡沫破滅後逐日恢復元氣,導致兩方產業必須用到的元件多晶矽(polysilicon)供應十分緊俏。在供應大幅吃緊下,也讓多晶矽價格較兩年前增加逾一倍,恐將影響太陽能產業發展
以創業精神再出發 聯電南科大樓破土 (2006.02.17)
台灣兩大晶圓廠雙雄南北較勁,有別於台積電公司研發團隊,一直固守新竹總公司,聯華電子董事長胡國強表示,「將以創業精神再出發」,座落於台南科學工業園區內的聯華電子南科研發大樓,預定2007年三月中旬完工
產能低於需求 八吋晶圓缺貨 (2006.02.16)
北美半導體設備暨材料協會(SEMI)旗下研究單位矽材料製造業團體(Silicon Manufacturers Group;SMG)公佈去年全球矽晶圓(silicon wafer)出貨統計資料,總出貨面積較前年增加6%,總營收金額則增加8%,均創下新高紀錄
Maxim新推低電源電流升壓型直流/直流轉換器 (2006.02.16)
Maxim推出的MAX1674是個高效率,體積小(μMax 封裝)的升壓的直流/直流轉換器。內建一顆同步MOSFET取代外接的蕭基二極體使得效率有所提升且低雜訊,更省成本,靜態電流也只有16μA
Maxim推出高效率 36V升壓轉換器 (2006.02.16)
Maxim推出的MAX8595X/MAX8596X高效率36V升壓轉換器,可以定電流驅動到9顆白光LED而且提供高效率給手持裝置,手機,PDA的背光模組。串連連接模式可讓LED的電流相同且得到相同亮度
蔣尚義:65奈米進度 手機晶片跑的快 (2006.02.15)
根據工商時報表示,台積電積極部署的65奈米製程,目前以手機晶片進度最快,台積電研發副總蔣尚義表示,目前雖在試產階段,但是已經有樣品送出(deliver)給客戶;台積電內部預估,45奈米製程則可能在2007年底有所進展
跌價聲中 大廠持續投資NAND快閃記憶體 (2006.02.15)
儘管全球記憶體大廠一片看好NAND快閃記憶體,但今年以來NAND晶片現貨價卻呈現崩跌走勢,以目前主流的2Gb NAND晶片為例,今年開春均價仍高達15美元,但昨日收盤價已接近10美元,等於在一個月餘期間,價格已重挫近五成幅度
美光標準型DRAM比重將降至四成 (2006.02.14)
美國DRAM大廠美光科技(Micron)舉行法人說明會,總裁暨執行長愛波頓(SteveAppleton)對外宣示,未來美光將以「提升企業價值(Increasing Company Value)」為營運首要目標,藉由與英特爾、蘋果電腦的合作,提高非標準型DRAM的產能比重
國際大廠減少DRAM產能比重 (2006.02.14)
去年第四季應為傳統標準型DRAM旺季,但是不論是DDR或DDR2,價格均面臨嚴重向下修正壓力,然今年開春以來,因晶片組缺貨問題紓解,去年第四季的需求遞延到今年,DDR及DDR2價格均有不錯反彈,毛利率也明顯提高不少
易立達讀書會-第一讀 ﹕《圖解半導體》科技業的黑色鍊金術。 (2006.02.13)
易立達讀書會-第一讀 ﹕《圖解半導體》科技業的黑色鍊金術。
東芝密集合縱連橫,力抗日立與英特爾 (2006.02.08)
東芝密集合縱連橫,力抗日立與英特爾
東芝密集合縱連橫,力抗日立與英特爾 (2006.02.08)
日本東芝(TOSHIBA)近日密集地公布與其他知名半導體廠商、合作設計開發先進半導體製造技術的計畫,有意與日立(Hitachi)、三星(Samsung)及英特爾(Intel)相互抗衡。 據報導,2月初東芝、NEC與新力(SONY)共同宣布將整合研發資源,計畫繼Intel之後聯合開發0.045微米晶片製造工藝技術
Linear推出針對手持應用的電源管理解決方案 (2006.02.06)
Linear Technology發表一款針對手持應用之高效率、精簡電源管理解決方案LTC3550-1,具備雙電源輸入的鋰電池充電器以及一組高效率同步降壓穩壓器,並全數內裝於一個低高度16接腳3mm x 5mm DFN封裝中
爾必達提高委外代工量 力晶、中芯受惠 (2006.01.25)
日本DRAM廠爾必達看好應用在消費性電子產品、伺服器等的利基型DRAM市場,宣佈「首要DRAM事業」(PremierDRAM Business)策略,本身十二吋廠雖然在一月開出5萬4000片月產能,但會以利基型DRAM為投片主力
晶圓供應太陽能電池 年後激增 (2006.01.23)
太陽能電池大戰八吋晶圓廠,兩邊搶晶圓態勢越演越烈,日本供應商信越株式會社代理商崇越科技表示,農曆年後對太陽能電池方面供應比例將快速上升,可能超越該公司對晶圓廠的供應量
富士通將興建65奈米12吋晶圓廠投入邏輯晶片生產 (2006.01.20)
富士通株式會社近日宣佈將興建一座採用65奈米先進製程技術的12吋晶圓廠,並投入高量產型邏輯晶片之生產。全新的晶圓廠將建於日本中部三重縣的富士通三重廠區內,成為富士通在日本三重縣的第二座12吋晶圓廠,簡稱為「12吋晶圓二廠」
Vishay推出一款晶片電阻分壓器CDHV (2006.01.19)
Vishay Intertechnology宣佈推出一款小型表面貼裝晶片電阻分壓器CDHV,該器件在高壓下可實現出色的比例穩定性。這款新型電阻分壓器主要用於高壓電源、電源開關設備及變頻器控制
富士通將在日本興建65奈米12吋晶圓廠 (2006.01.19)
富士通宣佈將興建一座採用65奈米先進製程技術的12吋晶圓廠,並投入高量產型邏輯晶片之生產。全新的晶圓廠將建於日本中部三重縣的富士通三重廠區內,成為富士通在日本三重縣的第二座12吋晶圓廠,簡稱為「12吋晶圓二廠」

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