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Transphorm新款TOLT封装形式的SuperGaN FET提供更灵活的热管理 (2023.11.29)
Transphorm继近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS电晶体的导通电阻为72毫欧，为采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化??元件 |
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Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用 (2023.11.07)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI应用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款采用TOLL封装的SuperGaN氮化??场效应管（FET），导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合业界标准，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解决方案 |
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从Internet EC导入Wireless EC (2000.02.01)
Internet网站是Eye Ball的战争，WAP服务却是Fingertip的争夺。
其差异是将服务与流程，在有效减少用户手指运动次数的前提下，
精准且实时地到达用户的手中。
愈早在用户心目中建立「服务需求满足者」的形象，就能愈容易建立忠诚度，
进而及早筑起令后进竞争者难以跨越的高墙 |
