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英飞凌推出950 V CoolMOS PFD7系列 大幅提高功率密度 (2022.11.09)
英飞凌推出全新CoolMOS PFD7高压MOSFET系列,为950 V超接面(SJ)技术树立新标竿。全新950 V系列具有出色的效能与易用性,采用整合的快速二极体,确保元件坚固耐用,同时降低了BOM(物料清单)成本
PI推出三相BLDC驱动软体 将与Motor-Expert Suite搭售 (2022.06.24)
Power Integrations推出了用於三相 BLDC马达驱动的全新控制软体。透过结合 Power Integrations 的 BridgeSwitch 整合半桥式马达驱动器和易於使用的 Motor-Expert 配置和诊断工具,这种完整的硬体-软体解决方案可实现 98.2% 的效率,将电路板空间减少 70% 以上,并且电流回授电路只需要三个元件,而在分离式解决方案中需要 30 个元件
英飞凌扩展CoolSiC系列高电压产品 符合1500 VDC应用需求 (2022.06.08)
高功率密度的需求日益成长,因此推动了开发人员在其应用中采用1500 VDC系统规格,以提高每台逆变器的额定功率和降低系统成本。不过,1500 VDC型系统在系统设计上带来更多挑战,例如在高DC电压下快速切换,这通常需要多层次拓扑,因此需要复杂的设计和相对较多的元件数量
PI推出符合汽车产业标准的IGBT/SiC模组驱动器系列 (2022.05.10)
Power Integrations推出SCALE EV 该驱动器适用於原创、再制和新型 SiC 变体,适用目标为电动车辆、混合动力和燃料电池车辆 (包括公车和卡车) 以及建筑、采矿和农业设备的大功率汽车和牵引变频器
Power Integrations:以整合型方案实现高功率、小体积GaN充装置 (2022.01.28)
在全球电动车与绿能趋势的带动下,化合物半导体(第三代半导体)宛如找到了自己的春天,开始在各个产业应用中窜出头来,成为目前最火红的功率半导体解决方案。本文特别专访了美国领先的功率元件供应商Power Integrations行销??总裁Doug Bailey,分别针对氮化??(GaN)的技术与应用进行说明
英飞凌全新 EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200 V单通道闸极驱动器系列 (2021.12.22)
英飞凌科技,推出了EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V 单通道闸极驱动器IC系列。新产品系列旨在提高CoolGaN肖特基闸极(SG)HEMT的性能,但也相容于其他GaN HEMT和矽MOSFET。闸极驱动器的目标锁定广泛应用,包括DC-DC转换器、马达驱动器、电信、伺服器、机器人、无人机、电动工具以及 D 类音讯放大器等
采用LCC拓扑的二相输入300W交直流LED电源供应器 (2021.05.26)
本文探讨如何利用半桥式无引脚晶片载体(LCC)谐振转换器的数位控制功能,搭配同步整流,来打造300W电源供应器。
英飞凌改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组 采用新型AIN陶瓷基板 (2021.05.12)
英飞凌科技利用新型氮化铝(AIN)陶瓷基板,成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组。此半桥式装置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B两种封装型式,导通电阻(RDS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V装置采用高性能陶瓷,因此适合高功率密度应用,如太阳能系统、不断电系统、辅助变频器、储能系统及电动车充电器等
英飞凌发表 30 W- 500 W 功率级应用的 CoolGaN IPS 系列产品 (2021.05.06)
采用氮化?? (GaN) 这类宽能隙 (WBG) 材料制成的功率开关凭藉其优异效率及高速切换频率,开启了功率电子的新时代。因应此一发展,英飞凌科技推出整合功率级 (IPS) 产品 CoolGaN IPS 系列,成为旗下众多 WBG 功率元件组合的最新产品
英飞凌新款650V EiceDRIVER整合靴带二极体 强化强固性及快速切换 (2021.03.26)
英飞凌科技宣布扩展旗下EiceDRIVER产品组合,推出全新650V半桥式与高低侧闸极驱动器,采用公司独特的绝缘层上矽(SOI)技术,提供市场最先进的负VS瞬态电压抗扰性与真正靴带二极体的单片整合,因此有助於降低BOM,并在精简的外型尺寸以MOSFET与IGBT打造更强固的设计
TI:整合型半桥整合器布局复杂 但能简化线路 (2020.12.15)
随着印刷电路板(PCB)的发展不断被限缩,设计工程师越是尝试挑战设计的极限,整合型多通道半桥闸极驱动器也就越受欢迎。PCB的电量与特殊需求功能逐渐增加,体积却越来越小,在设计基本型无刷闸极驱动器时,到底该坚持使用传统的离散型半桥整合器,还是使用较有整合性的三段式设计,如DRV8320,就成了开发人员的大哉问
TI新款车用GaN FET 提供高电源效率且密度加倍 (2020.11.11)
德州仪器(TI)拓展其高压电源管理产品组合,推出适用於汽车及工业应用的650-V 及 600-V 氮化??场效电晶体(GaN FET),整合快速开关的 2.2-MHz 闸极驱动器,相较於既有解决方案,其能协助工程师实现电源密度加倍、效率高达99%,且电磁尺寸缩小59%
TI最新车用GaN FET 整合驱动器、保护功能与主动式电源管理 (2020.11.11)
德州仪器(TI)近日拓展其高压电源管理产品组合,推出适用於汽车及工业应用的650V及600V氮化??场效电晶体(GaN FET),整合快速开关的2.2MHz闸极驱动器,相较於既有解决方案,其能协助工程师实现电源密度加倍、效率高达99%,且电磁尺寸缩小59%
英飞凌推出具备 TDI且超高功率密度的超小型闸极驱动器IC (2020.04.20)
每当 SMPS 内的功率 MOSFET 导通或关闭时,寄生电感会产生地准位浮动,可能造成闸极驱动 IC 的误触发。为避免这样的结果,英飞凌科技旗下具成本效益且尺寸精巧的 EiceDRIVER 1 EDN TDI (真差分输入) 1 通道闸极驱动器系列新推出一款装置
Power Integrations扩展BridgeSwitch BLDC马达驱动器IC系列至400W (2020.02.26)
节能功率转换之高压积体电路厂商Power Integration,今(26)日宣布其BridgeSwitch整合半桥式(IHB)马达驱动器IC系列已经扩展,可支援要求高达400W的应用。BridgeSwitch IC具备高压侧和低压侧进阶FREDFET(快速恢复型二极体场效应电晶体)和整合式无损失电流感测功能,使得无刷直流(BLDC)马达驱动应用中的变频器效率高达99
英飞凌推出650V半桥式SOI驱动器系列 整合靴带式二极体 (2020.01.17)
英飞凌科技股份有限公司扩展旗下EiceDRIVER产品系列,推出采用英飞凌独家SOI(Silicon On Insulator)技术的650V半桥式闸极驱动器。该产品可提供先进的负瞬态电压抗扰性、单片整合实体的靴带式二极体,以及针对MOSFET和IGBT变频应用提供绝隹的闩锁效应防护
变革的700 V高频、高低端驱动器实现超高功率密度 (2019.02.22)
本文将对NCP 51530与业界标准的两个元件进行比较。计算NCP 51530用于主动钳位返驰式 (Active Clamp Flyback;ACF) USB PD转换器中的损耗。然后给出NCP 51530对比两个竞争元件用于ACF应用中的实际热性能
PI整合半桥式马达驱动器 可实现98.5%高效驱动 (2019.01.08)
市场趋势显示出,BLDC马达的应用正持续增加,包括工业帮浦、电风扇、冰箱、洗衣机与空调等等,都会需要使用到BLDC马达。在这些应用上,既使是效率方面很小的改善,也会对於节能有着显着的影响
安森美半导体与伟诠电子共同合作 推出全新的高能效、高密度USB PD电源转换器方案 (2018.11.22)
电源半导体供应商安森美半导体和伟诠合作推出一系列高能效、高密度的USB PD电源转换器,不仅满足市场小型化需求,并且符合超越能效标准COC tier2,如最近的65 W 超高密度USB PD转换器方案,支援USB Type-C介面PD 3
EiceDRIVER 搭配 CoolMOS CFD2 可实现优异冷藏效率 (2018.10.25)
本文说明闸极驱动器电路有效设计的基本考量,以及结合运用 EiceDRIVER IC 及 CoolMOS CFD2 所带来的效益。


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