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Tektronix推出全新Double Pulse Test软体 有效简化电源效率测试 (2019.10.09)
Tektronix今天宣布为其AFG31000任意/函数产生器推出全新的软体扩充应用程式,让工程师可在不到一分钟的时间内执行关键的双脉冲测试,与替代方法相较,显着地节省了大量的时间
打造SiC走廊 科锐将於纽约州建造最大SiC工厂 (2019.09.24)
科锐(Cree)计画在美国东海岸创建碳化矽走廊,建造全球最大的碳化矽制造工厂。科锐将在美国纽约州Marcy建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的200mm(8寸)功率和射频(RF)晶圆制造工厂,而与之相辅相成的超级材料工厂(mega materials factory)的建造扩产正在公司特勒姆总部开展进行
科锐将在纽约州建造全球最大SiC制造工厂 (2019.09.24)
作为碳化矽(SiC)技术全球领先企业的科锐(Cree, Inc.),於今日宣布计画在美国东海岸创建碳化矽走廊,建造全球最大的碳化矽制造工厂。科锐将在美国纽约州Marcy建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的200mm功率和射频(RF)晶圆制造工厂
MIC:2020年5G产业机会 三大应用与四大商机 (2019.09.19)
5G商用持续加速,2019年全球已有32个国家约56家电信商宣布部署5G网路,其中39家电信商已正式开通5G服务,预估2020年全球将有170家电信商提供5G商用服务,除了5G网路布建带来庞大的基础设备商机,新兴应用与关联终端产品市场动能也蓄势待发,而为了满足5G高频、高速特性,新材料与零组件相关需求也受到瞩目
ST提供先进SiC功率电子元件 协助雷诺/日产/三菱联盟研发下一代电动汽车快充技术 (2019.09.16)
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)被雷诺━日产━三菱联盟指定为高效能碳化矽(SiC)技术合作夥伴,为即将推出之新一代电动汽车的先进车载充电器(On-Board Charger,OBC)提供功率电子元件
Cree与德尔福科技开展汽车SiC元件合作 (2019.09.15)
科锐(Cree)与德尔福科技(Delphi Technologies)宣布开展汽车碳化矽(SiC)元件合作。双方的此次合作将通过采用碳化矽(SiC)半导体技术,为未来电动汽车(EV)提供更快、更小、更轻、更强劲的电子系统
工业机器人提升感测效能与价值 有赖与半导体业者深度整合 (2019.08.13)
当2011年工业4.0概念问世以来,让台湾制造业者深感??虑的,不外??设备将因此成本大增,以及市场上仍缺乏工规等级感测器,而积极寻求与台湾半导体产业结盟,直到近年来始吸引国际大厂关注
CoolSiC MOSFET与TRENCHSTOP IGBT推出Easy 2B 封装 (2019.08.07)
相较於传统 3 阶中点箝位拓扑,进阶中点箝位 (ANPC) 变频器设计可支援半导体装置间的均匀损耗分布。英飞凌科技旗下1200V系列混合式 SiC 与 IGBT 功率模组新增采用 ANPC 拓扑的 EasyPACK 2B封装
意法半导体2019年Q2 营收增加4.7% Q3预测净营收成长约15.3% (2019.07.29)
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)第二季净营收达21.7亿美元,毛利率为38.2%,而营业利润率达9.0%,净利润则达1.6亿美元,稀释每股盈馀为0.18美元。 「第二季营收恢复季成长,符合预期
台湾宽能隙技术专家 瀚薪科技聚焦SiC与GaN元件开发 (2019.07.15)
从工研院分拆出来的瀚薪科技设立於台湾新竹,是聚焦宽能隙(wide band-gap)材料基础的高功率半导体设计公司。
意法半导体拟收购碳化矽晶圆制造商Norstel AB的多数股权 (2019.07.12)
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:ST)宣布签署一份协议,即拟收购瑞典碳化矽(SiC)晶圆制造商Norstel AB(Norstel)之多数股权。在此项收购交易完成後,意法半导体将在全球产能受限的情况下掌控部分SiC元件的整个供应链,为把握一个重大的成长机会做好准备
意法半导体公布2019年永续发展报告 (2019.06.10)
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)公布2019年永续发展报告。这是意法半导体的第22个年度永续发展报告,其回顾了意法半导体在2018年永续发展所取得的成效,并根据联合国的全球盟约十项原则和永续发展目标,提出未来规划和至2025年的长期目标
ST:开发丰富类比功能之微控制器势不可挡 (2019.06.04)
新一代智慧电子元件增加了越来越多的感测器驱动功能,并开始采用碳化矽、氮化??等效能更高的功率技术来节省电力,这使得在微控制器市场上具备领先优势的意法半导体(ST),也顺应趋势推出了最新一代的微控制器系列STM32G4家族
英飞凌 CoolGaN e-mode HEMT 获 Computex Best Choice Award 类别奖 (2019.05.21)
英飞凌科技今日宣布,旗下氮化??功率元件CoolGaN e-mode HEMT 系列凭藉其高功率密度、同级最隹效率及降低系统成本等优势,荣获 2019年度Computex BC Award 类别奖。同时,英飞凌也是目前市场上唯一一家专注於高压功率器件,涵盖矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化??(GaN)材料的全方位供应商
英飞凌扩大量产并加速推出CoolSiC MOSFET分离式封装产品组合 (2019.05.17)
英飞凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 产品组合进入大量生产阶段。这些产品的额定值从 30 m? 至 350 m? ,并采用 TO247-3 与 TO247-4 封装。另更延伸产品系列,即将推出的新产品包括表面黏着装置 (SMD) 产品组合及 650 V CoolSiC MOSFET 产品系列
Microchip宣布推出全新碳化矽(SiC)产品 (2019.05.16)
Microchip Technology Inc. 透过其子公司Microsemi(美高森美)宣布推出一系列SiC功率元件。该系列元件具有良好的耐用性,以及宽能隙(wide-bandgap)半导体技术优势。它们将与Microchip各类微控制器和类比解决方案形成产品的互补优势,加入Microchip不断壮大的SiC产品组合,满足了电动汽车和其它大功率应用领域迅速发展的市场需求
是德科技宣布推出具双脉冲测试功能的动态功率元件分析仪 (2019.05.14)
是德科技(Keysight Technologies Inc.)宣布推出搭载双脉冲测试仪的新型动态功率元件分析仪(PD1500A),以提供可靠且可重复的宽能隙(WBG)半导体量测方式,并确保量测硬体与专业测试人员的安全
CREE投资10亿美元 扩大SiC碳化矽产能 (2019.05.08)
Cree 宣布,将投资10亿美元用於扩大SiC碳化矽产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化矽生产工厂和一座材料超级工厂。 该项目为该公司至今最大的投资,将为Wolfspeed SiC碳化矽和GaN-on-SiC碳化矽基氮化??业务提供动能
您的电动汽车充电系统具有适当的安全性,有效性和可靠性? (2019.05.02)
本文概述了市场上不同类型的电动汽车充电站,展示了常见的结构以及如何将安全性,效率和可靠性整合到最隹设计中。
德州仪器推出极精准监测及保护设计 提升油电混合与电动车系统稳定性 (2019.05.02)
德州仪器(TI)近日发布经过充分测试的电池管理及牵引逆变系统叁考设计,以及具备先进监测与保护功能的最新类比电路,可降低二氧化碳排放,并延长油电混合车及电动车的行驶时间和距离


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